公开(公告)号：CN101442063B

公开(公告)日：2011-09-28

申请号：CN200810135288.8

申请日：2008-08-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 谢元智 ,  刘世昌 ,  傅士奇 ,  许慈轩 ,  喻中一 ,  萧国裕 ,  蔡嘉雄

IPC: H01L27/146 ,  H01L23/485

CPC classification number: H01L27/14643 ,  H01L24/05 ,  H01L27/14636 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体装置及影像感测装置，该半导体装置包含：具有一前表面及一后表面的一半导体基材；形成于基材上的元件；形成于基材的前表面上的互连金属层，包含一最高互连金属层；一内金属介电层，供绝缘位于其中的多个互连金属层中的每一个；以及位于内金属介电层中的一接合垫，接合垫与除了最高互连金属层之外的互连金属层之一接触。

公开(公告)号：CN101853864A

公开(公告)日：2010-10-06

申请号：CN200910246943.1

申请日：2009-12-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘丙寅 ,  许家豪 ,  喻中一 ,  蔡嘉雄

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L27/1469 ,  H01L21/76256 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/1464

Abstract: 本发明涉及晶片键合方法，提供了一种制造半导体器件的方法。该方法包括提供具有正面、背面和第一边缘部分的器件衬底，在器件衬底的正面的一部分的上方形成材料层，修剪第一边缘部分，移除材料层，将器件衬底的正面键合到载体衬底，从背面减薄器件衬底，修剪减薄的器件衬底的第二边缘部分。

公开(公告)号：CN101494197A

公开(公告)日：2009-07-29

申请号：CN200810187376.2

申请日：2008-12-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘人诚 ,  杨敦年 ,  伍寿国 ,  罗际兴 ,  许峰嘉 ,  喻中一

IPC: H01L21/822 ,  H01L21/768 ,  H01L27/146 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L27/14625 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14685

Abstract: 本发明是有关于一种影像感测器及其制造方法，藉由在半导体基材上形成像素阵列与周边区环绕像素阵列的方式来制作光学影像感测器，周边区包含周边电路系统。形成内层介电层于基材上，并形成多个内连线路层于此内层介电层上。每个内连线路层包括多个内连金属特征以及一层内层介电材料覆盖在这些内连金属特征上。提供内连线路层时是以有N层内连线路层设在周边区、而有1至N－1层内连线路层设在像素阵列上的方式。形成蚀刻终止层于周边区的最上层内连金属特征上。

公开(公告)号：CN101425516A

公开(公告)日：2009-05-06

申请号：CN200710167197.8

申请日：2007-11-02

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 谢章仁 ,  宋弘政 ,  朱文定 ,  黄成铭 ,  高雅真 ,  刘世昌 ,  罗际兴 ,  喻中一 ,  蔡嘉雄

IPC: H01L27/115 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L27/115 ,  H01L27/11521

Abstract: 本发明提供一种分裂式栅极存储单元，包括沿第一方向形成于半导体衬底上的多个绝缘区域，在两个相邻的绝缘区域之间定义出有源区域，该有源区域具有形成于该半导体衬底中的一对漏极与源极区域。一对浮动栅极设置于该有源区域上，且自对准于所述绝缘区域，其中该对浮动栅极的顶表面与所述绝缘区域的顶表面高度相等。一对控制栅极自对准于该浮动栅极，且沿第二方向设置于该浮动栅极上。源极线沿该第二方向设置于该对控制栅极之间。一对选择栅极沿该第二方向设置于与该对控制栅极相对的外侧侧壁上。本发明可使得浮动栅极自对准于隔离区域或者说绝缘区域以及源极线，从而有助于存储元件的进一步微缩化和集成化。

公开(公告)号：CN100461440C

公开(公告)日：2009-02-11

申请号：CN200610128861.3

申请日：2006-08-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 谢元智 ,  喻中一 ,  黄宗勋 ,  许慈轩 ,  蔡嘉雄

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14632 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14687

Abstract: 本发明提供了一种图像感测装置，包括：一半导体基板；多个像素单元，位于该半导体基板上；以及一蚀刻停止层，位于所述像素单元上，其中该蚀刻停止层具有小于600埃的厚度。该图像感测装置还包括一层间介电层，覆盖该蚀刻停止层。该蚀刻停止层具有小于2的折射率和小于0.1的消光系数。本发明的图像感测装置，克服了公知感应器的感光能力、特别是对于蓝光的感测能力劣化的缺点，对于包括蓝光的所有色彩均具有较佳的感测能力。

公开(公告)号：CN100452348C

公开(公告)日：2009-01-14

申请号：CN200410096737.4

申请日：2004-12-03

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈汉平 ,  喻中一

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/00 ,  H01L27/00

CPC classification number: H01L27/11521 ,  H01L23/485 ,  H01L27/115 ,  H01L27/1203 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种制造微电子电路元件的方法与集成电路元件，所述制造微电子电路元件的方法，包括：提供具有多个部分完成的微电子元件的基底，微电子元件包括至少部分完成的存储器元件与至少部分完成的晶体管；在部分完成的晶体管部分上形成第一层，以在随后的材料移除步骤中保护至少部分完成的晶体管的部分；形成第二层大体上覆盖部分完成的存储器元件与部分完成的晶体管；移除部分第二层，留下部分的第二层于部分完成的晶体管上；以及在第二层的部分移除后，从部分完成的晶体管移除至少实质部分的第一层。

公开(公告)号：CN100413082C

公开(公告)日：2008-08-20

申请号：CN200510102450.2

申请日：2005-09-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王文德 ,  杨敦年 ,  伍寿国 ,  喻中一

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14654 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14636 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种互补型金属氧化物半导体影像感应器。光遮蔽物包括形成在一影像感光元件与一相邻电路之间的结构。该结构以一种光阻碍材料，如金属、金属合金、金属化合物或其他类似材料所形成，形成在多个介电层内，并覆盖在该影像感应元件上。本发明所述的互补型金属氧化物半导体影像感应器，可避免或减少因光源产生的电流干扰。

公开(公告)号：CN100377334C

公开(公告)日：2008-03-26

申请号：CN03153009.5

申请日：2003-08-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 喻中一 ,  罗际兴 ,  蔡嘉雄

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/8239 ,  H01L27/105

Abstract: 一种分离栅极快闪内存单元(SplitGateFlashMemoryCell)的字符线(WordLine)结构及其制造方法。此方法先提供分离栅极快闪内存单元的栅极结构，其中此栅极结构上形成有字符线的材料层。再在此字符线材料层上形成覆盖层。接着，利用化学机械研磨(CMP)技术移除部分的覆盖层与部分的字符线材料层。在暴露的字符线材料层的表面上形成氧化层后，去除剩下的覆盖层及其下方的字符线材料层，从而形成分离栅极快闪内存单元的方型(Box-shape)字符线。

公开(公告)号：CN101127311A

公开(公告)日：2008-02-20

申请号：CN200710008340.9

申请日：2007-01-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 谢元智 ,  喻中一 ,  萧国裕 ,  傅士奇 ,  刘铭棋 ,  蔡嘉雄

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/304 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/14687 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法，适用于背面感光装置的制造。特别是本制造方法可减少由于晶片边缘处不良的连接质量在制造过程中对晶片的危害。在一实施例中，将晶片连接至基板之前，施以晶片边缘裁切的步骤。使用一预磨刀(pre－grind blade)沿着晶片的圆周形成一直角的边缘，以消除所有的锐利的边缘。在另一实施例中，将晶片连接至基板之后，施以边缘裁切，其使用一预磨刀来移除研磨前发生连接不佳的晶片边缘的环状区。在各情况中，研磨后的晶片的最终厚度约为50μm。

公开(公告)号：CN101055877A

公开(公告)日：2007-10-17

申请号：CN200710096160.0

申请日：2007-04-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王士玮 ,  林春荣 ,  黄成铭 ,  谢章仁 ,  罗际兴 ,  喻中一 ,  许峰嘉 ,  杜友伦 ,  朱怡欣 ,  杨仁盛

IPC: H01L27/115 ,  H01L27/12 ,  H01L27/02 ,  H01L21/8247 ,  H01L21/84 ,  H01L21/82 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L27/11568 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11573

Abstract: 本发明提供了一种半导体结构及其制造方法。首先，形成快闪存储单元的栅极堆叠在基板上，其中栅极堆叠的顶部包括覆盖层。接着，形成栅极，其至少有一部分位于覆盖层之上；以及，减少栅极位于覆盖层上至少一部分厚度。如此，可减少同一芯片上快闪存储单元与金属氧化物半导体元件的高度差异。