公开(公告)号：CN1228835C

公开(公告)日：2005-11-23

申请号：CN02127088.0

申请日：2002-07-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 徐德训 ,  宋弘政 ,  张立文 ,  陈汉平 ,  黄成铭 ,  高雅真

IPC: H01L21/8239 ,  H01L21/8246 ,  G11C16/00

Abstract: 一种抑制分离栅快闪存储单元位线漏电流的方法，上述存储单元由存储单元页为行列元素，每一存储单元页又以分离栅快闪存储单元为行列元素，当欲程序化时，选定的分离栅快闪存储单元所属的共用源极线施以源极程序化电压，其他的共用源极线施以至少0.5伏的电压，欲程序化的分离栅快闪存储单元所属的共用字线施以控制栅极程序化电压，其他的共用字线接地，共用位线施以漏极程序化电压，其他的共用字线施以漏极抑制程序化电压；本发明可以抑制分离栅快闪存储单元位线漏电流，而避免了字线干扰的问题。

公开(公告)号：CN1472795A

公开(公告)日：2004-02-04

申请号：CN02127088.0

申请日：2002-07-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 徐德训 ,  宋弘政 ,  张立文 ,  陈汉平 ,  黄成铭 ,  高雅真

IPC: H01L21/8239 ,  H01L21/8246

Abstract: 一种抑制分闸快闪存储单元位元线漏电流的方法，上述存储单元由存储单元页为行列元素，每一存储单元页又以分闸快闪存储单元为行列元素，当欲程序化时，选定的分闸快闪存储单元所属的共用源极线施以源极程序化电压，其他的共用源极线施以至少0.5伏的电压，欲程序化的分闸快闪存储单元所属的共用字线施以控制栅极程序化电压，其他的共用字线接地，共用位元线施以漏极程序化电压，其他的共用字线施以漏极抑制程序化电压；本发明可以抑制分闸快闪存储单元位元线漏电流，而避免了字线干扰的问题。

公开(公告)号：CN100452348C

公开(公告)日：2009-01-14

申请号：CN200410096737.4

申请日：2004-12-03

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈汉平 ,  喻中一

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/00 ,  H01L27/00

CPC classification number: H01L27/11521 ,  H01L23/485 ,  H01L27/115 ,  H01L27/1203 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种制造微电子电路元件的方法与集成电路元件，所述制造微电子电路元件的方法，包括：提供具有多个部分完成的微电子元件的基底，微电子元件包括至少部分完成的存储器元件与至少部分完成的晶体管；在部分完成的晶体管部分上形成第一层，以在随后的材料移除步骤中保护至少部分完成的晶体管的部分；形成第二层大体上覆盖部分完成的存储器元件与部分完成的晶体管；移除部分第二层，留下部分的第二层于部分完成的晶体管上；以及在第二层的部分移除后，从部分完成的晶体管移除至少实质部分的第一层。

公开(公告)号：CN1702851A

公开(公告)日：2005-11-30

申请号：CN200410096737.4

申请日：2004-12-03

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈汉平 ,  喻中一

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/00 ,  H01L27/00

CPC classification number: H01L27/11521 ,  H01L23/485 ,  H01L27/115 ,  H01L27/1203 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种制造微电子电路元件的方法与集成电路元件，所述制造微电子电路元件的方法，包括：提供具有多个部分完成的微电子元件的基底，微电子元件包括至少部分完成的存储器元件与至少部分完成的晶体管；在部分完成的晶体管部分上形成第一层，以在随后的材料移除步骤中保护至少部分完成的晶体管的部分；形成第二层大体上覆盖部分完成的存储器元件与部分完成的晶体管；移除部分第二层，留下部分的第二层于部分完成的存储器元件上；以及在第二层的部分移除后，从部分完成的晶体管移除至少实质部分的第一层。

公开(公告)号：CN2781573Y

公开(公告)日：2006-05-17

申请号：CN200420116030.0

申请日：2004-12-03

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈汉平 ,  喻中一

IPC: H01L27/00

CPC classification number: H01L27/11521 ,  H01L23/485 ,  H01L27/115 ,  H01L27/1203 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本实用新型提供一种集成电路元件，包括：具有至少存储器单元区与至少周边电路区的基底；多个绝缘结构位于存储器单元区中；多个主动区，每个主动区皆位于多个绝缘结构的邻近处间；以及多层栅极电极层，每层栅极电极层皆位于多个绝缘结构的邻近处间且位于所对应的多个主动区上，每层多层栅极电极层的宽度大于与栅极电极层接触的相邻绝缘结构的间隔宽度。