公开(公告)号：CN103199007B

公开(公告)日：2016-02-24

申请号：CN201210175123.X

申请日：2012-05-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林思宏 ,  吴林荣 ,  杨琪铭 ,  林进祥

IPC: H01L21/033 ,  H01L21/02 ,  C23C16/44

CPC classification number: C23C16/56 ,  C23C16/08 ,  C23C16/34 ,  C23C16/44 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/32051

Abstract: 本发明提供了金属硬掩模的制造方法和由这些方法制造的金属硬掩模。方法包括将至少一种金属反应气体流入被配置为进行化学汽相沉积(CVD)的反应室中，其中，至少一种金属反应气体包括，金属卤素气体或金属有机气体。该方法进一步包括，使用至少一种金属反应气体通过CVD沉积金属硬掩模层。

公开(公告)号：CN103147071B

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201210271435.0

申请日：2012-07-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郭铭修 ,  李志聪 ,  周友华 ,  蔡明志 ,  陈嘉和 ,  林进祥

IPC: C23C16/52 ,  C23C16/455

CPC classification number: C23C16/44 ,  C23C16/45565

Abstract: 本公开提供了控制化学气相沉积(CVD)膜的轮廓均匀性的方法和系统。一种方法包括利用第一喷头通过CVD在衬底上沉积第一层，该第一层具有第一轮廓，以及利用第二喷头通过CVD在第一层上方沉积第二层，该第二层具有第二轮廓。组合的第一层和第二层具有第三轮廓，并且第一轮廓、第二轮廓，以及第三轮廓彼此不同。

公开(公告)号：CN104681465A

公开(公告)日：2015-06-03

申请号：CN201410705549.0

申请日：2014-11-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 于伟波 ,  顾文昱 ,  庄国胜 ,  林进祥

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/30604 ,  G01B11/0641 ,  G01N2201/025 ,  G01N2201/061 ,  H01L21/67253 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20

Abstract: 本发明公开了一种集成系统操作方法，该方法包括以下步骤：通过计量装置测量衬底的膜以获得膜信息。将衬底从计量装置移至邻近转移装置的工艺装置。将膜信息发送至工艺装置。根据膜信息对衬底施加膜处理。本发明还涉及集成系统以及膜处理方法。

公开(公告)号：CN102540761B

公开(公告)日：2014-09-03

申请号：CN201110461339.8

申请日：2006-06-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张庆裕 ,  游大庆 ,  林进祥

IPC: G03F7/20

CPC classification number: G03F7/70341

Abstract: 本发明提供一种在半导体基底上进行浸润式光刻的方法及其处理系统，所述浸润式光刻的方法包括：提供一光阻层在半导体基底上，以及使用浸润式光刻曝光系统曝光该光阻层。该浸润式光刻曝光系统在曝光时使用液体，并可在曝光后去除一些但不是全部的液体；曝光后，使用一处理步骤去除光阻层上残留的液体；处理后，进行曝光后烘烤及显影步骤。

公开(公告)号：CN103714191A

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：CN201310231147.7

申请日：2013-06-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林俊贤 ,  陈瑞龙 ,  赵蕙韵 ,  牟忠一 ,  林进祥

IPC: G06F17/50

CPC classification number: G06F17/50 ,  G03F7/70533 ,  G03F7/70616 ,  G05B23/024

Abstract: 本发明公开了一种用于分析半导体加工系统的异常的方法，提供了对用于多个加工晶圆中的每个加工晶圆的多个工艺步骤的每个工艺步骤处与多个工具中的每个工具相关联的生产历史进行方差分析，以及确定关键工艺步骤。对每个工艺步骤处的多个晶圆的多个测量值进行回归分析，并且确定关键测量参数。对关键测量参数和关键工艺步骤进行协方差分析，并且基于f比率对关键工艺步骤进行排序，其中对关键工艺步骤的异常进行排序。而且，基于与协方差分析相关联的正交t比率来对与关键工艺步骤的每个工艺步骤相关联的多个工具排序，其中对与关键工艺步骤相关联的每个工具的异常进行排序。本发明还提供了用于异常工具和阶段诊断的2D/3D分析。

公开(公告)号：CN103681395A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201210539997.9

申请日：2012-12-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 何家栋 ,  蔡柏沣 ,  陈俊仁 ,  李资良 ,  王若飞 ,  牟忠一 ,  林进祥

IPC: H01L21/66

CPC classification number: G05B19/4065 ,  G05B2219/37252 ,  G05B2219/45031

Abstract: 本发明提供了用于工具状态监控的各种方法，本发明还包括用于实现这种监控的系统。一种示例性方法包括接收与由集成电路制造工艺工具对晶圆实施工艺相关联的数据；以及使用数据监控集成电路制造工艺工具的状态。监控包括：基于异常识别标准、异常过滤标准以及异常阈值评估数据以确定数据是否满足警报阈值。方法进一步包括当数据满足警报阈值时发布警报。本发明还提供了用于工具状态监控的定性故障检测和分类系统及相关方法。

公开(公告)号：CN103543611A

公开(公告)日：2014-01-29

申请号：CN201210407666.X

申请日：2012-10-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李永尧 ,  王盈盈 ,  刘恒信 ,  林进祥

IPC: G03F7/20 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/70633

Abstract: 本发明公开了一种光刻工艺，如图案化半导体晶圆的光刻。该工艺包括接收其上形成有各种部件和层的入检半导体晶圆。接收单元诱发的重叠(uniiOVL)修正以及对重叠模块中的入检半导体晶圆进行形变测量。通过对形变测量结果应用预定算法，以通过形变测量结果得出形变诱发的重叠(defiOVL)修正。将defiOVL修正和uniiOVL修正前向馈送给曝光模块，然后对入检半导体晶圆进行曝光处理。

公开(公告)号：CN103426794A

公开(公告)日：2013-12-04

申请号：CN201210350834.6

申请日：2012-09-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张知天 ,  巫尚霖 ,  王若飞 ,  牟忠一 ,  林进祥

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/66

CPC classification number: H01L22/26 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67248 ,  H05B1/0233

Abstract: 本发明公开了一种设备，系统和方法。示例设备包括：晶圆加工室。该设备进一步包括：设置在不同区域中并可操作以加热位于晶圆加工室内的晶圆不同部分的辐射加热元件。该设备进一步包括：设置在晶圆加工室外面并可操作以监测设置在不同区域的辐射加热元件的能量的传感器。该设备进一步包括：配置以利用传感器表征设置在不同区域中的辐射加热元件并为设置在不同区域中的辐射加热元件提供校准的计算机，从而在整个晶圆的表面保持基本均一的温度分布。本发明提供晶圆加工室灯模块的实时校准。

公开(公告)号：CN103249241A

公开(公告)日：2013-08-14

申请号：CN201210208923.7

申请日：2012-06-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡明志 ,  林柏宏 ,  高宗恩 ,  林进祥

IPC: H05H1/46 ,  C23C14/34

CPC classification number: C23C14/351 ,  H01J37/3211 ,  H01J37/34 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/4667

Abstract: 在一些实施例中，本发明内容涉及被配置成在工件周围形成对称的等离子体分布的等离子体处理系统。在一些实施例中，等离子体处理系统包括在处理室周围对称设置的多个线圈。当向线圈提供电流时，独立线圈发射出独立磁场，磁场用于离子化靶原子。独立磁场在线圈内作用于离子以在线圈内部形成等离子体。而且，独立磁场在线圈之间彼此叠加以在线圈外形成等离子体。因此，所公开的等离子体处理系统可以沿着工件的圆周以高度的均匀性（例如，没有死空间）形成连续延伸的等离子体。本发明还提供了新型多线圈靶设计。

公开(公告)号：CN103187236A

公开(公告)日：2013-07-03

申请号：CN201210194993.1

申请日：2012-06-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 萧颖 ,  林进祥

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01J37/321 ,  G03F7/427 ,  H01J37/32596 ,  H01J37/32706 ,  H01J37/32807 ,  H01J37/32889 ,  H01J37/32899 ,  H01L21/31138

Abstract: 在一些实施例中，本发明涉及一种等离子体蚀刻系统，该等离子体蚀刻系统具有与处理室连通的直流和局部化等离子体源。直流等离子体源用于将直流等离子体提供给处理室以蚀刻半导体工件。直流等离子体具有通过将大的偏压施加给工件形成的高电势。在完成蚀刻以后，关断偏压和直流等离子体源。然后，局部化等离子体源用于将低电势局部化等离子体提供在处理室内的适当位置使得局部化等离子体与工件空间分离。空间分离导致形成与工件接触的具有零电势/低电势的扩散等离子体。零电势/低电势的扩散等离子体使得实施反应灰化，而降低了由于正等离子体电势所引起的离子轰击造成的工件损伤。本发明还公开了具有有效的无损害原位灰化的等离子体蚀刻器设计。