公开(公告)号：CN103199007A

公开(公告)日：2013-07-10

申请号：CN201210175123.X

申请日：2012-05-30

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 林思宏 ,  吴林荣 ,  杨琪铭 ,  林进祥

IPC分类号： H01L21/033 ,  H01L21/02 ,  C23C16/44

CPC分类号： C23C16/56 ,  C23C16/08 ,  C23C16/34 ,  C23C16/44 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/32051

摘要： 本发明提供了金属硬掩模的制造方法和由这些方法制造的金属硬掩模。方法包括将至少一种金属反应气体流入被配置为进行化学汽相沉积(CVD)的反应室中，其中，至少一种金属反应气体包括，金属卤素气体或金属有机气体。该方法进一步包括，使用至少一种金属反应气体通过CVD沉积金属硬掩模层。

公开(公告)号：CN103199007B

公开(公告)日：2016-02-24

申请号：CN201210175123.X

申请日：2012-05-30

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 林思宏 ,  吴林荣 ,  杨琪铭 ,  林进祥

IPC分类号： H01L21/033 ,  H01L21/02 ,  C23C16/44

CPC分类号： C23C16/56 ,  C23C16/08 ,  C23C16/34 ,  C23C16/44 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/32051

摘要： 本发明提供了金属硬掩模的制造方法和由这些方法制造的金属硬掩模。方法包括将至少一种金属反应气体流入被配置为进行化学汽相沉积(CVD)的反应室中，其中，至少一种金属反应气体包括，金属卤素气体或金属有机气体。该方法进一步包括，使用至少一种金属反应气体通过CVD沉积金属硬掩模层。