公开(公告)号：CN110874024A

公开(公告)日：2020-03-10

申请号：CN201910814730.8

申请日：2019-08-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 訾安仁 ,  林进祥 ,  张庆裕

IPC: G03F7/20 ,  B08B3/08

Abstract: 一种极紫外光微影收集器的清洁方法包含对极紫外光辐射源反应室中的极紫外光微影收集器的表面施加清洁化合物，极紫外光微影收集器具有残余物在收集器的表面上。清洁化合物包含：具25>δd>15、25>δp>10、与30>δh>6的汉森溶解度参数的主要溶剂；以及具-15

公开(公告)号：CN110874016A

公开(公告)日：2020-03-10

申请号：CN201910812144.X

申请日：2019-08-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 訾安仁 ,  张庆裕 ,  林进祥

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/038

Abstract: 一种光阻组成物，包含聚合物树脂、光活性化合物、有机金属化合物、增强添加剂以及第一溶剂。增强添加剂为一离子型界面活性剂、非离子型界面活性剂、或沸点大于150℃的第二溶剂。

公开(公告)号：CN110215759A

公开(公告)日：2019-09-10

申请号：CN201810174853.5

申请日：2018-03-02

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王建惟 ,  张庆裕 ,  赖韦翰 ,  林进祥

IPC: B01D35/06 ,  B01D35/00 ,  B01D36/00 ,  B01D15/10 ,  B01D46/00 ,  B01D46/42 ,  B01D51/00

Abstract: 本公开提供一种过滤装置，包括一壳体、一过滤元件、及一电场产生单元。壳体具有一入口及一出口，其中入口允许一流体流入壳体，而出口允许流体流出壳体。过滤元件设置于入口与出口之间，用以通过一吸附方式过滤流过过滤元件之流体中的杂质。电场产生单元配置用以产生一电场，使得前述杂质沿着电场的方向移动至过滤元件上。

公开(公告)号：CN109786219A

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201810570106.3

申请日：2018-06-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄世钧 ,  叶雅雯 ,  沈育佃 ,  赖建文 ,  林纬良 ,  张雅惠 ,  严永松 ,  林进祥 ,  刘如淦

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/768

Abstract: 半导体装置的制作方法包括形成硬掩模层于基板上。多层光致抗蚀剂形成于硬掩模层上。蚀刻多层光致抗蚀剂，形成多个开口于多层光致抗蚀剂中，以露出部分硬掩模层。依角度方向性地提供离子至多层光致抗蚀剂，使离子主要接触多层光致抗蚀剂中的开口侧壁而非硬掩模层。在一实施例中，通过依角度导向的蚀刻离子，可方向性地蚀刻多层光致抗蚀剂，且蚀刻离子主要接触多层光致抗蚀剂中的开口侧壁而非硬掩模层。在另一实施例中，通过依角度导向的注入离子，可方向性地注入多层光致抗蚀剂，且注入离子主要接触多层光致抗蚀剂中的开口侧壁而非硬掩模层。

公开(公告)号：CN109782540A

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201811173309.5

申请日：2018-10-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 訾安仁 ,  郑雅如 ,  张庆裕 ,  林进祥

IPC: G03F7/16 ,  G03F7/20

Abstract: 一种光刻胶图案的形成方法，包括在形成于基底上的光刻胶层上形成保护层，且将光刻胶层选择性地曝光于光化辐射。将光刻胶层显影，以在光刻胶层中形成图案，以及去除保护层。保护层包含具有多个氟碳侧基的聚合物。

公开(公告)号：CN104681465B

公开(公告)日：2018-07-17

申请号：CN201410705549.0

申请日：2014-11-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 于伟波 ,  顾文昱 ,  庄国胜 ,  林进祥

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/30604 ,  G01B11/0641 ,  G01N2201/025 ,  G01N2201/061 ,  H01L21/67253 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20

Abstract: 本发明公开了一种集成系统操作方法，该方法包括以下步骤：通过计量装置测量衬底的膜以获得膜信息。将衬底从计量装置移至邻近转移装置的工艺装置。将膜信息发送至工艺装置。根据膜信息对衬底施加膜处理。本发明还涉及集成系统以及膜处理方法。

公开(公告)号：CN108231554A

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201710889749.X

申请日：2017-09-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林云跃 ,  陈炫辰 ,  林志诚 ,  李信昌 ,  辜耀进 ,  罗唯仁 ,  严涛南 ,  林进祥 ,  钱志道

IPC: H01L21/033

CPC classification number: G03F1/62 ,  G03F1/24 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/0331 ,  H01L21/0337

Abstract: 本申请实施例提供半导体元件的制造方法，包括形成第一介电层于基板的背表面之上；在形成第一介电层之后，形成石墨烯层于基板的前表面之上；在形成石墨烯层之后，图案化第一介电层以于第一介电层中形成开口，其露出基板的背表面的一部分；当使用图案化的第一介电层为罩幕时，对基板的背表面进行蚀刻工艺以形成护膜，其具有包括石墨烯层的护膜膜片。

公开(公告)号：CN103383913B

公开(公告)日：2018-02-13

申请号：CN201310097345.9

申请日：2013-03-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黃至鸿 ,  张钧琳 ,  郑迺汉 ,  杨棋铭 ,  林进祥

IPC: H01L21/265 ,  H01J37/32 ,  H01J37/20

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/1474 ,  H01J37/20 ,  H01J37/3023 ,  H01J37/3172 ,  H01J2237/12 ,  H01J2237/20228 ,  H01J2237/30477 ,  H01J2237/30483 ,  H01L21/265 ,  H01L21/68764

Abstract: 提供了一种用于离子注入方法和装置的工艺控制方法以在衬底上提供诸如可以补偿明显非均匀性的高剂量区域。在离子注入工具中，提供单独可控电极作为设置于离子束外部的多组相对电极。离子束阻挡件可定位在离子束中。电极和离子束阻挡件都可控制地减少入射在衬底上的离子束的区域。电极和离子束阻挡件也改变入射在表面上的区域减小的离子束的位置。衬底扫描穿过离子束的速度可以在注入工艺期间动态改变以在衬底中生成各种剂量浓度。本发明还提供了离子注入工艺和装置的离子束尺寸控制以及先进工艺控制。

公开(公告)号：CN103811379B

公开(公告)日：2016-12-28

申请号：CN201310028026.2

申请日：2013-01-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡柏沣 ,  何家栋 ,  巫尚霖 ,  王若飞 ,  牟忠一 ,  林进祥

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02 ,  H01L21/66

Abstract: 本发明提供了用于调节加工工具的工艺参数的各种方法，包括实施这种调节的系统。一种调节加工工具的工艺参数使得通过加工工具所加工的晶圆呈现出期望的工艺监测项目的示例性方法包括：限定行为约束准则和灵敏度调节准则；利用与通过加工工具所加工的晶圆相关联的工艺监测项目数据、与工艺监测项目对每个工艺参数的灵敏度相关联的灵敏度数据、行为约束准则以及灵敏度调节准则生成一组可能的工具调节工艺参数组合；通过该组可能的工具调节工艺参数组合生成一组最优的工具调节工艺参数组合；以及根据最优的工具调节工艺参数组合中的一个配置加工工具。本发明还提供了工具优化调节系统和相关方法。

公开(公告)号：CN103382551B

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN201210292464.5

申请日：2012-08-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 周友华 ,  李志聪 ,  吴淑芬 ,  林进祥

IPC: C23C16/455 ,  H01L21/67 ,  H01L21/02

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/5096

Abstract: 本发明公开了一种用于在半导体衬底上形成薄膜的装置和方法。在一个实施例中的装置包括：工艺室，被配置成用于支撑衬底；气体激励电源；以及第一分配喷头和第二气体分配喷头，与包含膜前体的反应工艺气体供给部流体连通。喷头将气体散布到衬底上方的两个不同区域中，该激发以在晶圆上方生成内部等离子体场和外部等离子体场。装置以促进越过衬底具有基本均匀厚度的膜的形成方式在衬底上沉积材料。在一个实施例中，衬底是晶圆。多种实施例包括连接至第一喷头和第二喷头以改变每个区域中的功率电平和等离子体密度的第一独立可控电源和第二独立可控电源。本发明还提供了半导体膜形成装置和工艺。