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公开(公告)号：CN101840881B
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN200910139953.5
申请日：2009-07-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/70 , H01L21/266
CPC classification number: H01L21/266 , H01L21/26513 , H01L29/66537
Abstract: 本发明公开了一种制造集成电路元件的方法，包括提供基板；形成第一硬掩模层于基板上；图案化第一硬掩模层，使其具有一个或多个具有第一关键尺寸的第一开口；进行第一注入工艺于基板上，形成第二硬掩模层于第一硬掩模层上，且第二硬掩模层具有第二关键尺寸的一个或多个第二开口；以及进行第二注入工艺。本发明提供了一种制造集成电路元件的方法，只需单一光掩模即可进行不同关键尺寸的注入工艺。其具有一种或多种优点，比如降低工艺成本、易于改良不同关键尺寸的工艺如注入、易于发展集成电路元件、和/或易于延伸本发明的方法至次世代工艺。
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公开(公告)号：CN102347338A
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN201110038171.X
申请日：2011-02-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H01L31/0352
CPC classification number: H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L27/14689
Abstract: 本发明公开了一种含背照式图像感测元件的装置及图像感测元件的制造方法，该图像感测元件包含基底，具有正面以及相对于正面的背面，图像感测元件也包含形成于基底内的辐射检测元件，辐射检测元件用于检测经由背面进入基底的辐射波，图像感测元件还包含深沟槽隔绝特征，其设置邻接辐射检测元件，图像感测元件还包含掺杂层，其以顺应性的方式至少部分地围绕深沟槽隔绝特征。本发明的优点之一为降低图像感测元件内的串音干扰。
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公开(公告)号：CN101853872A
公开(公告)日：2010-10-06
申请号：CN201010158451.X
申请日：2010-03-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1462 , H01L27/1464 , H01L27/14685 , H01L31/02165
Abstract: 本发明提供一种图像感测装置及其制造方法。该图像感测装置包含一具有一前端及一背端的装置基材。装置基材具有一辐射感测区域，其可感测具有一相对应波长的辐射。图像传感器也包含一形成于装置基材的前端上的第一层。第一层具有一第一折射系数及一第一厚度，第一厚度为第一折射系数的函数。图像传感器具有一形成于第一层上的第二层。第二层不同于第一层并具有一第二折射系数及一第二厚度，第二厚度为第二折射系数的函数。本发明可以将像素对于辐射的吸收最佳化。
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公开(公告)号：CN101814519A
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN201010125286.8
申请日：2010-02-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L31/02005 , H01L27/1463 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L27/14689 , H01L27/14698 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供一种背照式图像感测器及其制造方法。该图像感测器包括一半导体基板，一保护环结构，于该基板中，以及至少一像素，为该保护环结构所包围。该保护环结构通过高能量注入形成于该基板中。本发明通过对基板前侧表面进行离子注入形成保护环结构以及对注入保护环的基板进行回火以移除因注入与活化注入掺质造成的损伤，以降低成品元件保护环中硅损伤的量。
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公开(公告)号：CN101783319A
公开(公告)日：2010-07-21
申请号：CN200910211246.2
申请日：2009-11-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/82 , H01L27/146 , H01L21/768 , H01L21/60
CPC classification number: H01L27/14636 , H01L24/82 , H01L27/14632 , H01L27/1464 , H01L27/14687 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01049 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/04941 , H01L2924/10329 , H01L2924/10336 , H01L2924/14 , H01L2924/30105
Abstract: 公开了一种制造具有改进的焊接性能的半导体器件的方法。该方法包括设置具有前表面和后表面的衬底；在衬底的前表面上形成一个或多个传感器元件；在衬底的前表面上方形成一个或多个金属化层，其中形成第一金属化层包括在衬底的前表面上方形成第一导电层；将第一导电层从所述衬底的第一区域中去除；在衬底的前表面上方形成第二导电层；以及将第二导电层的部分从衬底的第一区域和第二区域中去除，其中第一区域中的第一金属化层包括第二导电层，第二区域中的第一金属化层包括第二导电层和第二导电层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101312202A
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200710148796.5
申请日：2007-09-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14643 , H01L27/14625 , H01L27/1464
Abstract: 本发明提供一种背面照光感测器。该背面照光感测器，包含有具有正面的半导体基底。多个像素形成于该半导体基底的正面。至少一个像素具有光电栅结构。该光电栅结构具有栅极，且该栅极具有光反射层。本发明可以增加感测器的敏感度。
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公开(公告)号：CN101261999A
公开(公告)日：2008-09-10
申请号：CN200710112236.4
申请日：2007-06-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14654
Abstract: 本发明提供一种图像感测装置及其形成方法和半导体装置。其中该图像感测装置包括：半导体衬底，其具有第一类型导电性；第一材料层，在该半导体衬底上方，该第一材料层具有该第一类型导电性；第二材料层，在该第一材料层上方，该第二材料层具有第二类型导电性，该第二类型导电性与该第一类型导电性不同；以及多个象素，在该第二材料层中。本发明的装置及其制作方法能够降低串音干扰及电子溢流现象。此外，本发明提供的装置及其制作方法可以容易地和现今的半导体工艺设备及技术整合。利用本发明提供的装置及其制作方法可避免工艺设备与技术的极限。再者，本发明提供的装置及其制作方法可适用于持续缩小的象素的尺寸。
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公开(公告)号：CN101005090A
公开(公告)日：2007-07-25
申请号：CN200610149597.1
申请日：2006-11-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H01L23/485 , H01L23/488 , H01L21/60
CPC classification number: H01L27/14618 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14632 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L31/0203 , H01L2224/48463 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种背照式影像感测元件，此元件具有金属延伸。在一实施例中，此元件包括第一及第二焊垫组，以及电性连接两者的金属层。第二焊垫组中一焊垫自元件表面露出以作为测试用。在另一实施例中，第二焊垫直接位于第一焊垫组下方，两者电性连接且此第二焊垫自元件表面露出以作为测试用。
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公开(公告)号：CN1901630A
公开(公告)日：2007-01-24
申请号：CN200610103545.0
申请日：2006-07-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H04N5/335
CPC classification number: H01L27/14645 , H01L27/14641 , H04N5/37457 , H04N9/045
Abstract: 本发明关于一种影像感测单元及其应用的CMOS影像感测装置与阵列，该影像感测单元包括：一第一像素区，其内设置有至少一第一感光二极管，第一感光二极管是针对一第一色彩的一光信号而产生一第一感测信号；一第二像素区，邻近第一像素区，其内设置有至少一第二感光二极管，第二感光二极管是针对一第二色彩的一光信号而产生一第二感测信号；一第三像素区邻近第一与第二像素区，其内设置有至少一第三感光二极管，第三感光二极管是针对一第三色彩的一光信号而产生一第三感测信号；至少一感测放大器大体设置于第一、第二与第三像素区内，以放大第一、第二与第三感测信号，第一、第二、第三像素区大体上具有相同的尺寸并占据影像感测单元的整体区域。
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公开(公告)号：CN1897251A
公开(公告)日：2007-01-17
申请号：CN200610003394.1
申请日：2006-02-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/82
CPC classification number: H01L27/14685 , H01L27/14623 , H01L27/14627 , H01L27/14632
Abstract: 本发明是有关于一种半导体装置至少包括具有光感测元件形成在其上的半导体基材；设置在在基材上的第一材料层，其中此第一材料层包括一部分，此部分具有形成在基材上做为负型微透镜的大体为凹型的表面；以及设置在第一材料层上的第二材料层，其中此第二材料层包括大体为凸型的部分，此大体为凸型的部分是与前述的大体为凹型的表面相互垂直地对齐并紧密配合，此大体为凸型的部分被建构与配置来定义一微透镜，此微透镜被定位来使穿透微透镜的平行光会合并照射在光感测元件上。
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