公开(公告)号：CN115223937A

公开(公告)日：2022-10-21

申请号：CN202210725033.7

申请日：2022-06-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 谢宛蓁 ,  柯忠廷 ,  黄泰钧

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/088

Abstract: 半导体结构包括横跨第一半导体鳍结构的第一栅极堆叠件、横跨第二半导体鳍结构的第二栅极堆叠件、位于第一半导体鳍结构和第二半导体鳍结构之间的介电鳍结构以及位于介电鳍结构上方并且位于第一栅极堆叠件与第二栅极堆叠件之间的栅极切割隔离结构。栅极切割隔离结构包括保护层和位于保护层上方的填充层，并且保护层和填充层由不同的材料制成。本发明的实施例还涉及半导体器件结构。

公开(公告)号：CN113140614A

公开(公告)日：2021-07-20

申请号：CN202110018404.3

申请日：2021-01-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王捷平 ,  黄泰钧 ,  卢永诚 ,  陈亭纲 ,  徐志安

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L29/423

Abstract: 本公开涉及具有隔离结构的半导体器件。公开了一种具有不同介电常数的隔离结构的半导体器件及其制造方法。半导体器件包括鳍部结构以及第一对栅极结构和第二对栅极结构，鳍部结构具有设置在第一器件区域上的第一鳍部部分和设置在第二器件区域上的第二鳍部部分，第一对栅极结构设置在第一鳍部部分上，第二对栅极结构设置在第二鳍部部分上。第二对栅极结构与第一对栅极结构电隔离。半导体器件还包括插入在第一对栅极结构之间的第一隔离结构和插入在第二对栅极结构之间的第二隔离结构。第一隔离结构包括第一氮化物内衬和第一氧化物填充层。第二隔离结构包括第二氮化物内衬和第二氧化物填充层。第二氮化物内衬比第一氮化物内衬更厚。

公开(公告)号：CN112680713A

公开(公告)日：2021-04-20

申请号：CN202011111250.4

申请日：2020-10-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 柯忠廷 ,  陈玟儒 ,  谢宛蓁 ,  吴明发 ,  黄泰钧 ,  卢永诚 ,  徐志安

IPC: C23C16/20 ,  C23C16/44

Abstract: 在一个实施例中，一种半导体装置的形成方法包括在一排气管线的内部表面上形成疏水涂层、将所述排气管线连接至半导体制程腔体、将第一前驱物导入至半导体制程腔体中、将第二前驱物导入至半导体制程腔体中，其中第一前驱物与第二前驱物反应以产生氧化材料层、以及自半导体制程腔体以及经由所述排气管线泵抽第一前驱物及第二前驱物。

公开(公告)号：CN108122770B

公开(公告)日：2020-09-04

申请号：CN201710729426.4

申请日：2017-08-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 卢柏全 ,  黄泰钧

IPC: H01L21/336

Abstract: 制造半导体器件的方法包括在半导体鳍和栅极堆叠件上形成间隔件材料，其中，形成间隔件材料进一步包括使用原子层沉积以将第一材料沉积在半导体鳍上并且使用原子层沉积以将第二材料沉积在第一材料上，其中，第二材料与第一材料不同。从半导体鳍去除间隔件材料，其中，去除间隔件材料进一步包括将蚀刻改性剂注入至间隔件材料以形成改性的间隔件材料并且去除改性的间隔件材料。本发明的实施例还涉及半导体器件。

公开(公告)号：CN108122832B

公开(公告)日：2020-07-03

申请号：CN201711047931.7

申请日：2017-10-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林经祥 ,  黄泰钧 ,  包天一

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: 一个实施例是一种方法，包括凹进位于衬底上的半导体鳍上方的栅电极以从介电层的顶面形成第一凹槽，在位于凹进的栅电极上方的第一凹槽中形成第一掩模，凹进位于半导体鳍的源极/漏极区上方第一导电接触件以从介电层的顶面形成第二凹槽，以及在位于凹进的第一导电接触件上方的第二凹槽中形成第二掩模。本发明实施例涉及FINFET和形成FINFET的方法。

公开(公告)号：CN111261524A

公开(公告)日：2020-06-09

申请号：CN201911212353.7

申请日：2019-12-02

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李隽毅 ,  陈亭纲 ,  王捷平 ,  柯宏宪 ,  林嘉慧 ,  黄泰钧

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/8234

Abstract: 本公开涉及一种半导体装置的形成方法。该方法包括蚀刻栅极结构以形成沟槽延伸至栅极结构中，其中沟槽的侧壁包括金属氧化物材料；对沟槽的侧壁进行侧壁处理制程，其中侧壁处理制程的结果为移除金属氧化物材料；以及将第一介电材料填入沟槽以形成介电区，其中介电区接触栅极结构的侧壁。

公开(公告)号：CN109216258A

公开(公告)日：2019-01-15

申请号：CN201810355437.5

申请日：2018-04-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄建修 ,  黄彦钧 ,  唐邦泰 ,  彭治棠 ,  黄泰钧

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/768 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 本公开实施例为有关于半导体装置以及制造方法，特别为在沟槽中具有增强的间隙填充层的半导体装置。本公开实施例提供通过使用多步骤沉积和原位处理工艺形成的新颖的间隙填充层。沉积工艺可为通过使用一种或多种辅助气体以及低反应性粘附系数(RSC)分子的流动式化学气相(FCVD)沉积。处理工艺可为在沉积工艺之后的原位工艺，且包含将沉积的间隙填充层暴露于等离子体活化辅助气体，辅助气体可由氨形成。低反应性粘附系数分子可由三硅烷胺(TSA)或全氢聚硅氮烷(PHPS)形成。

公开(公告)号：CN108987253A

公开(公告)日：2018-12-11

申请号：CN201711114368.0

申请日：2017-11-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄彦钧 ,  唐邦泰 ,  彭治棠 ,  黄泰钧

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/762 ,  H01L21/336

Abstract: 提供半导体装置的形成方法，此方法包含执行原子层沉积工艺，以沉积介电材料于基底上，使用紫外光将沉积的介电材料硬化，以及在硬化之后，将沉积的介电材料退火。

公开(公告)号：CN107818919A

公开(公告)日：2018-03-20

申请号：CN201710203359.2

申请日：2017-03-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄彦钧 ,  陈婷婷 ,  苏煜中 ,  聂菱甫 ,  苏品全 ,  蔡腾群 ,  黄泰钧 ,  郑雅如

IPC: H01L21/336 ,  H01L27/088

CPC classification number: H01L21/76897 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/28123 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/845 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/66795 ,  H01L27/0886

Abstract: 本公开实施例公开一种半导体装置的形成方法，具体为一种鳍状场效晶体管结构与其形成方法。在一方法中，形成凹陷露出晶片上的多个半导体鳍状物。虚置接点材料形成于凹陷中。虚置接点材料含碳。以一或多道烘烤步骤硬化虚置接点材料。一或多道烘烤步骤可硬化虚置接点材料。将虚置接点材料的第一部分置换为层间介电层。将虚置接点材料的第二部分置换为多个接点。接点电性耦接至半导体鳍状物的源极/漏极区。

公开(公告)号：CN104037116B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201310231141.X

申请日：2013-06-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 彭治棠 ,  黄泰钧 ,  连浩明 ,  李资良

IPC: H01L21/762 ,  H01L27/088

CPC classification number: H01L27/0886 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823821 ,  H01L27/10879 ,  H01L29/7831

Abstract: 隔离区域沟槽填充方法，通过可流动沉积工艺或其他沟槽填充沉积工艺，在半导体器件上方沉积第一介电材料，其中半导体器件包括具有多个第一鳍状件的第一FinFET和具有多个第二鳍状件的第二FinFET。方法进一步包括移除第一FinFET和第二FinFET间的第一介电材料，从而形成器件间间隙，在器件间间隙内沉积第二介电材料，并且在半导体器件上应用退火工艺。