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51.

发明公开
半导体封装及其制造方法有权

公开(公告)号：CN112687634A

公开(公告)日：2021-04-20

申请号：CN202010093038.3

申请日：2020-02-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 鲁珺地 , 蔡豪益 , 曾明鸿 , 江宗宪 , 林彦良 , 黄子松

IPC: H01L23/31 , H01L25/16 , H01L21/56 , H01L21/60 , H01L23/485 , H01L23/488

Abstract: 提供一种半导体封装及一种半导体封装的制造方法。所述封装包括管芯、层间穿孔、介电膜、后侧膜及焊料膏部分。所述层间穿孔设置在半导体管芯旁边且模塑化合物在横向上环绕管芯及层间穿孔。所述介电膜设置在半导体管芯的后侧上，且所述后侧膜设置在介电膜上。后侧膜的热膨胀系数及杨氏模量中的至少一者比介电膜的热膨胀系数及杨氏模量中的至少一者大。所述焊料膏部分设置在层间穿孔上且位于穿透过介电膜及后侧膜的开口内。具有在开口内位于介电膜与后侧膜之间的界面处的凹槽。本公开提供的结构及方法与包含对已知良好管芯进行中间验证的测试方法结合使用以提高良率。

52.

发明授权
封装件及方法有权

公开(公告)号：CN107026093B

公开(公告)日：2020-05-19

申请号：CN201710057555.3

申请日：2017-01-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 朱强瑞 , 余振华 , 刘重希 , 蔡豪益 , 曾明鸿 , 郭鸿毅

IPC: H01L21/50 , H01L23/31 , H01L23/64

Abstract: 本发明实施例揭露一种封装件及方法。其中，所述封装件包括装置裸片；以及囊封材料，囊封所述装置裸片于其中。所述囊封材料具有顶部表面，其与所述装置裸片的顶部表面共平面。线圈是从所述囊封材料的所述顶部表面延伸到所述囊封材料的底部表面，以及所述装置裸片在所述线圈所圈绕的区中。至少一个介电层形成于所述囊封材料以及所述线圈上方。多个重布线在所述至少一个介电层中。所述线圈通过所述重布线电耦合到所述装置裸片。

53.

发明公开
半导体器件和方法有权

公开(公告)号：CN109585309A

公开(公告)日：2019-04-05

申请号：CN201810979949.9

申请日：2018-08-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄子松 , 余振华 , 郭鸿毅 , 蔡豪益 , 曾明鸿

IPC: H01L21/50 , H01L21/56 , H01L23/58

Abstract: 本发明的实施例公开了半导体器件及其形成方法。在一个实施例中，一种半导体器件包括：在第一介电层上的导电屏蔽件；在第一介电层和导电屏蔽件上的第二介电层，第一和第二介电层围绕导电屏蔽件，第二介电层包括：沿着导电屏蔽件的外围设置的第一部分；延伸穿过导电屏蔽件的中心区域的第二部分；以及延伸穿过导电屏蔽件的通道区的第三部分，第三部分将第一部分连接至第二部分；在第二介电层上的线圈，线圈设置在导电屏蔽件上方；在第二介电层上的集成电路管芯，集成电路管芯设置在线圈的外部；以及围绕线圈和集成电路管芯的密封剂，密封剂、集成电路管芯和线圈的顶表面是平齐的。

54.

发明公开
热增强型堆叠封装（PoP）无效

公开(公告)号：CN108766942A

公开(公告)日：2018-11-06

申请号：CN201810410372.X

申请日：2012-12-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 江宗宪 , 曾明鸿 , 陈承先

IPC: H01L23/367 , H01L23/057 , H01L23/36 , H01L23/498 , H01L25/065 , H01L21/48

CPC classification number: H01L23/36 , H01L23/057 , H01L23/3672 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L24/20 , H01L25/0657 , H01L2224/02379 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/06181 , H01L2224/12105 , H01L2224/131 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06565 , H01L2924/014

Abstract: 本发明公开了一种热增强型堆叠封装。本发明提供了一种提高多芯片和堆叠封装(PoP)应用中热管理的方法和结构。第一基板接合到较小的第二基板，其中，接合到第一基板的散热环环绕第二基板，散热环包括导热材料和高效的散热几何体。第一基板包括产热芯片，且第二基板包括热敏芯片。提出一种方法，该方法提供了能够增强散热以远离热敏芯片的组装结构。

55.

发明授权
封装结构中的细长凸块结构有权

公开(公告)号：CN103915401B

公开(公告)日：2017-05-03

申请号：CN201310119638.2

申请日：2013-04-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 庄曜群 , 庄其达 , 曾明鸿 , 陈承先

IPC: H01L23/488 , H01L21/60

CPC classification number: H01L24/13 , H01L23/49811 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L2224/0345 , H01L2224/0401 , H01L2224/05009 , H01L2224/05022 , H01L2224/05124 , H01L2224/05139 , H01L2224/05147 , H01L2224/05572 , H01L2224/1145 , H01L2224/1146 , H01L2224/13005 , H01L2224/13012 , H01L2224/13013 , H01L2224/13014 , H01L2224/13016 , H01L2224/13022 , H01L2224/1308 , H01L2224/13082 , H01L2224/13109 , H01L2224/13111 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13164 , H01L2224/13169 , H01L2224/14155 , H01L2224/16225 , H01L2224/16237 , H01L2224/16238 , H01L2224/81024 , H01L2224/81191 , H01L2224/81203 , H01L2224/81385 , H01L2224/814 , H01L2224/81424 , H01L2224/81444 , H01L2224/81447 , H01L2224/81455 , H01L2224/81464 , H01L2224/81484 , H01L2224/81815 , H01L2924/00012 , H01L2924/1305 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/206 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/01029 , H01L2924/014 , H01L2924/01047

Abstract: 本发明公开了封装结构中的细长凸块结构，其中封装结构包括附接至衬底的芯片。芯片包括凸块结构，其包括具有沿着导电柱的长轴测量的长度(L)和沿着导电柱的短轴测量的宽度(W)的导电柱。衬底包括焊盘区域和位于焊盘区域上方的掩模层，其中，掩模层具有露出部分焊盘区域的开口。芯片附接至衬底以在导电柱和焊盘区域之间形成互连件。开口具有沿着长轴测量的第一尺寸(d1)和沿着短轴测量的第二尺寸(d2)。在一个实施例中，L大于d1，而W小于d2。

56.

发明公开
无线充电器件及其制造方法和充电方法无效

公开(公告)号：CN106571694A

公开(公告)日：2017-04-19

申请号：CN201610707968.7

申请日：2016-08-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 , 庄其达 , 陈承先 , 曾明鸿 , 许森贵 , 陈玉芬 , 林彦良

IPC: H02J50/12 , H02J7/02 , H01F38/14 , H01F27/28

CPC classification number: H02J7/025 , H01F27/2804 , H01F38/14 , H01F41/04 , H01F41/042 , H02J7/0042 , H02J7/04 , H02J5/005 , H01F27/28 , H01F2038/143

Abstract: 公开了无线充电器件、无线充电器件制造方法和电子器件的充电方法。在一些实施例中，无线充电器件包括控制器、设置在控制器周围的模塑材料以及设置在模塑材料上方并且连接至控制器的互连结构。该无线充电器件包括连接至控制器的无线充电线圈。该无线充电线圈包括设置在互连结构中的第一部分和设置在模塑材料中的第二部分。该无线充电线圈适应于提供电感以向电子器件充电。

57.

发明公开
热增强型堆叠封装（PoP）无效复审申请

公开(公告)号：CN103715153A

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：CN201210586803.0

申请日：2012-12-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 江宗宪 , 曾明鸿 , 陈承先

IPC: H01L23/367 , H01L21/48

CPC classification number: H01L23/36 , H01L23/057 , H01L23/3672 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L24/20 , H01L25/0657 , H01L2224/02379 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/06181 , H01L2224/12105 , H01L2224/131 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06565 , H01L2924/014

Abstract: 本发明公开了一种热增强型堆叠封装。本发明提供了一种提高多芯片和堆叠封装(PoP)应用中热管理的方法和结构。第一基板接合到较小的第二基板，其中，接合到第一基板的散热环环绕第二基板，散热环包括导热材料和高效的散热几何体。第一基板包括产热芯片，且第二基板包括热敏芯片。提出一种方法，该方法提供了能够增强散热以远离热敏芯片的组装结构。

58.

发明授权
金属柱凸块结构及其形成方法失效

公开(公告)号：CN101950728B

公开(公告)日：2013-08-21

申请号：CN201010226312.6

申请日：2010-07-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 曾明鸿 , 连永昌 , 陈承先 , 郭正铮

IPC: H01L21/60 , H01L23/485

CPC classification number: H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2224/11462 , H01L2224/11472 , H01L2224/1182 , H01L2224/11849 , H01L2224/11906 , H01L2224/13082 , H01L2224/13111 , H01L2224/13124 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13562 , H01L2224/136 , H01L2924/00013 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01018 , H01L2924/01022 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/10329 , H01L2924/00014 , H01L2224/13099 , H01L2224/13599 , H01L2224/05599 , H01L2224/05099 , H01L2224/29099 , H01L2224/29599

Abstract: 本发明公开了一种金属柱凸块结构及其形成方法，该方法包括：形成一保护层于一半导体基板之上；形成一导电层于该保护层之上；提供经图案化与经过蚀刻的一阻剂层于该导电层之上，该阻剂层中定义有至少一开口；沉积一金属层于该至少一开口内；沿着介于该阻剂层与该金属层间的一或多个界面蚀刻部分的该阻剂层，以形成多个凹穴；沉积一焊锡材料于该至少一开口内，该焊锡材料填入所述多个凹穴内以及高于该金属层的该开口的一部内；移除剩余的该阻剂层与未形成于该金属层之下的该导电层；以及回焊该焊锡材料以包覆该金属层。本发明可于制造过程中保护金属柱凸块的侧壁。