公开(公告)号：CN102664150A

公开(公告)日：2012-09-12

申请号：CN201210169475.4

申请日：2012-05-28

申请人： 上海华力微电子有限公司

发明人： 周军

IPC分类号： H01L21/311 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L21/3105 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823864 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7843

摘要： 本发明提供了提高接触刻蚀阻挡层工艺中PMOS性能的方法，其包括：叠层形成步骤，用于在包含PMOS和NMOS的半导体硅片上依次形成第一二氧化硅层、含氢氮化硅层和第二二氧化硅层；第二二氧化硅层刻蚀步骤，用于对第二二氧化硅层进行刻蚀从而去除NMOS区域上的第二二氧化硅层，并留下PMOS区域上的第二二氧化硅层；辐射步骤，用于利用紫外光对第二二氧化硅层刻蚀步骤之后得到的结构进行辐射；以及第二二氧化硅层去除步骤，用于去除PMOS区域上的剩余第二二氧化硅层。根据本发明，通过使用紫外光对硅片的NMOS区域的低应力氮化硅进行照射，从而使NMOS区域的氮化硅产生高的张应力，而PMOS区域没有高的张应力产生，从而减少了接触刻蚀阻挡层工艺对PMOS性能衰退的不良影响。

公开(公告)号：CN102610514A

公开(公告)日：2012-07-25

申请号：CN201110291533.6

申请日：2011-09-26

申请人： 大日本网屏制造株式会社

发明人： 桥诘彰夫

IPC分类号： H01L21/311

CPC分类号： B05C9/06 ,  B05C11/00 ,  B05C13/00 ,  B05C15/00 ,  C01B21/0687 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/67063 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67126 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/68742

摘要： 本发明的基板处理方法包括：甲硅烷化工序，向基板供给甲硅烷化剂；蚀刻工序，在进行所述甲硅烷化工序之后，向所述基板供给蚀刻剂。所述基板处理方法可以包括反复工序，在反复工序中，多次进行包括甲硅烷化工序和所述蚀刻工序的一系列工序在内的循环周期。所述循环周期还可以包括在进行所述蚀刻工序之后向所述基板供给冲洗液的冲洗工序。而且，所述循环周期还可以包括在进行所述蚀刻工序之后向所述基板照射紫外线的紫外线照射工序。所述基板处理方法还可以包括在进行所述甲硅烷化工序之前或之后向所述基板照射紫外线的甲硅烷化前紫外线照射工序。

公开(公告)号：CN102569026A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201110035083.4

申请日：2011-01-28

申请人： 南亚科技股份有限公司

发明人： 廖建茂 ,  陈逸男

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L21/321 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/76819 ,  H01L21/7684

摘要： 本发明提供一种元件的制造方法与平坦化制程。该方法提供一基底，基底上已形成有多个图案以及位于图案之间的多个开口。于图案上形成一第一液态支撑层，第一液态支撑层填入开口中。将第一液态支撑层转变成一第一固态支撑层，第一固态支撑层包括形成于开口中的多个支撑件，其中支撑件形成于图案之间。对图案进行一处理步骤。将包括支撑件的第一固态支撑层转变成一第二液态支撑层。移除第二液态支撑层。本发明的元件的制造方法与平坦化制程具有较佳的效率与简化的步骤。

公开(公告)号：CN101496147B

公开(公告)日：2011-12-28

申请号：CN200780028267.X

申请日：2007-07-18

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 三好秀典 ,  成岛正树

IPC分类号： H01L21/3205 ,  H01L21/312

CPC分类号： H01L21/76826 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76883

摘要： 本发明提供一种热处理方法，其包括：将形成有low-k膜和配线膜的晶片(W)收容在热处理炉(41)内的工序；利用质量流量控制器(44d)对气相醋酸酐进行流量调节并向热处理炉(41)内供给的工序；和利用设置在热处理炉(41)中的加热器(41b)对供给气相醋酸酐后的热处理炉(41)内的晶片(W)进行加热的工序。

公开(公告)号：CN102292798A

公开(公告)日：2011-12-21

申请号：CN201080005296.6

申请日：2010-01-22

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 堀込正弘 ,  黑鸟讬也 ,  小林保男 ,  松冈孝明 ,  野泽俊久

IPC分类号： H01L21/314 ,  H01L21/285

CPC分类号： H01L21/32051 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/3146 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76864

摘要： 一种制造半导体器件的方法，包括下述步骤：对绝缘层进行退火，和在绝缘层上形成包括金属元素的阻挡层。绝缘层包括氟碳化合物(CFx)膜。在退火步骤之后，用高温溅射工艺形成阻挡层。

公开(公告)号：CN101627460B

公开(公告)日：2011-12-14

申请号：CN200780047559.8

申请日：2007-11-20

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 尹秀敏 ,  赵成焕 ,  什里坎特·洛霍卡雷 ,  马克·威尔考克森 ,  约翰·M·德拉里奥斯 ,  斯蒂芬·霍夫曼

IPC分类号： H01L21/306

CPC分类号： H01L21/3105 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76826

摘要： 一种用于从低k介电膜层去除被破坏材料的装置、系统和方法，包括识别控制化学制剂，该控制化学制剂配置为有选择地从该低k介电膜层去除该被破坏材料，该被破坏材料位于一个区域，在该区域内透过该低k介电膜层形成特征；建立多个处理参数，以表征将被去除的该被破坏材料的方面，以及将该控制化学制剂应用到该低k介电膜层，基于所建立的该被破坏材料的处理参数限定该控制化学制剂的应用，从而从围绕该特征的区域大体上去除该被破坏材料，并且围绕该特征的该区域大体上由该低k介电膜层的低k特性限定。

公开(公告)号：CN101604658B

公开(公告)日：2011-11-02

申请号：CN200910145489.0

申请日：2009-06-09

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 笹原丽红 ,  田村纯 ,  田原慈

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/3105

CPC分类号： H01L21/7682 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76885

摘要： 本发明提供一种具有相对介电常数大约为1的层间绝缘层的半导体器件的制造方法，能够实现以良好的形状形成布线，并且/或者实现在形成气隙后也能够抑制布线变质。具备相对介电常数大约为1的层间绝缘层的半导体器件的制造方法，包括以下至少任意一个工序：在将气隙(7)形成在使布线(6)之间绝缘的层间绝缘膜(2)上之前对层间绝缘膜(2)进行疏水改性处理的工序；和在将气隙(7)形成在使布线(6)之间绝缘的层间绝缘膜(2)上之后对布线(6)进行疏水改性处理的工序。

公开(公告)号：CN101533799B

公开(公告)日：2011-10-05

申请号：CN200910118996.5

申请日：2009-03-12

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 松岡孝明

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/321 ,  H01L21/311

CPC分类号： H01L21/76814 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76834

摘要： 本发明是一种在衬底上有导体和绝缘膜的半导体器件的制造方法，该方法包括在该衬底上设置该导体、在该导体上形成该绝缘膜、除去该导体上的绝缘膜、以及吹有机硅烷气体和氢气来还原该导体上氧化区域的步骤，其中当该绝缘膜被除去后，该导体上会形成该氧化区域。

公开(公告)号：CN102017081A

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN200980114768.9

申请日：2009-04-02

申请人： 应用材料股份有限公司

发明人： 米哈拉·鲍尔西努 ,  克里斯多佛·丹尼斯·本彻 ,  咏梅·陈 ,  伊萨贝丽塔·罗夫洛克斯 ,  夏立群 ,  德里克·R·维迪 ,  立岩·苗 ,  维克多·恩古源

IPC分类号： H01L21/205 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L21/31144 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/318 ,  H01L21/76832 ,  H01L29/4966

摘要： 本发明提供一种方法和设备来形成邻接基板结构的间隔物材料。在一实施方式中，提供一种处理基板的方法，包括将一具有邻接基板表面的基板结构的基板放到沉积腔室内、沉积间隔层至基板结构和基板表面、以及蚀刻间隔层而露出基板结构和部分基板表面，其中间隔层被设置邻接基板结构。间隔层可包含氮化硼材料。间隔层可包含基底间隔层和衬底层，间隔层可以二步骤的蚀刻工艺蚀刻。

公开(公告)号：CN101944482A

公开(公告)日：2011-01-12

申请号：CN201010167894.5

申请日：2008-12-26

申请人： 佳能株式会社 ,  佳能安内华股份有限公司

发明人： 北野尚武 ,  福地祐介 ,  铃木伸昌 ,  北川英夫

IPC分类号： H01L21/316 ,  C23C14/14

CPC分类号： H01L21/28229 ,  C23C14/185 ,  C23C14/34 ,  C23C14/5853 ,  C23C14/5893 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/3145 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/321 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517

摘要： 本发明公开了形成介电膜的方法。在硅衬底上形成至少包含金属原子、硅原子和氧原子的介电膜的方法包括：第一步，使硅衬底的表面部分氧化以形成二氧化硅膜；第二步，在非氧化气氛中在二氧化硅膜上形成金属膜；第三步，在非氧化气氛中加热以使构成金属膜的金属原子扩散到二氧化硅膜中；和第四步，使包含扩散的金属原子的二氧化硅膜氧化以形成包含金属原子、硅原子和氧原子的膜。