公开(公告)号：CN101627460B

公开(公告)日：2011-12-14

申请号：CN200780047559.8

申请日：2007-11-20

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 尹秀敏 ,  赵成焕 ,  什里坎特·洛霍卡雷 ,  马克·威尔考克森 ,  约翰·M·德拉里奥斯 ,  斯蒂芬·霍夫曼

IPC分类号： H01L21/306

CPC分类号： H01L21/3105 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76826

摘要： 一种用于从低k介电膜层去除被破坏材料的装置、系统和方法，包括识别控制化学制剂，该控制化学制剂配置为有选择地从该低k介电膜层去除该被破坏材料，该被破坏材料位于一个区域，在该区域内透过该低k介电膜层形成特征；建立多个处理参数，以表征将被去除的该被破坏材料的方面，以及将该控制化学制剂应用到该低k介电膜层，基于所建立的该被破坏材料的处理参数限定该控制化学制剂的应用，从而从围绕该特征的区域大体上去除该被破坏材料，并且围绕该特征的该区域大体上由该低k介电膜层的低k特性限定。

公开(公告)号：CN101627460A

公开(公告)日：2010-01-13

申请号：CN200780047559.8

申请日：2007-11-20

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 尹秀敏 ,  赵成焕 ,  什里坎特·洛霍卡雷 ,  马克·威尔考克森 ,  约翰·M·德拉里奥斯 ,  斯蒂芬·霍夫曼

IPC分类号： H01L21/306

CPC分类号： H01L21/3105 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76826

摘要： 一种用于从低k介电膜层去除被破坏材料的装置、系统和方法，包括识别控制化学制剂，该控制化学制剂配置为有选择地从该低k介电膜层去除该被破坏材料，该被破坏材料位于一个区域，在该区域内透过该低k介电膜层形成特征；建立多个处理参数，以表征将被去除的该被破坏材料的方面，以及将该控制化学制剂应用到该低k介电膜层，基于所建立的该被破坏材料的处理参数限定该控制化学制剂的应用，从而从围绕该特征的区域大体上去除该被破坏材料，并且围绕该特征的该区域大体上由该低k介电膜层的低k特性限定。