公开(公告)号：CN101471256A

公开(公告)日：2009-07-01

申请号：CN200810190696.3

申请日：2008-12-26

申请人： 佳能株式会社 ,  佳能安内华股份有限公司

发明人： 北野尚武 ,  福地祐介 ,  铃木伸昌 ,  北川英夫

IPC分类号： H01L21/283 ,  H01L21/316

摘要： 本发明公开了形成介电膜的方法。在硅衬底上形成至少包含金属原子、硅原子和氧原子的介电膜的方法包括：第一步，使硅衬底的表面部分氧化以形成二氧化硅膜；第二步，在非氧化气氛中在二氧化硅膜上形成金属膜；第三步，在非氧化气氛中加热以使构成金属膜的金属原子扩散到二氧化硅膜中；和第四步，使包含扩散的金属原子的二氧化硅膜氧化以形成包含金属原子、硅原子和氧原子的膜。

公开(公告)号：CN101944482A

公开(公告)日：2011-01-12

申请号：CN201010167894.5

申请日：2008-12-26

申请人： 佳能株式会社 ,  佳能安内华股份有限公司

发明人： 北野尚武 ,  福地祐介 ,  铃木伸昌 ,  北川英夫

IPC分类号： H01L21/316 ,  C23C14/14

CPC分类号： H01L21/28229 ,  C23C14/185 ,  C23C14/34 ,  C23C14/5853 ,  C23C14/5893 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/3145 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/321 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517

摘要： 本发明公开了形成介电膜的方法。在硅衬底上形成至少包含金属原子、硅原子和氧原子的介电膜的方法包括：第一步，使硅衬底的表面部分氧化以形成二氧化硅膜；第二步，在非氧化气氛中在二氧化硅膜上形成金属膜；第三步，在非氧化气氛中加热以使构成金属膜的金属原子扩散到二氧化硅膜中；和第四步，使包含扩散的金属原子的二氧化硅膜氧化以形成包含金属原子、硅原子和氧原子的膜。

公开(公告)号：CN101471255A

公开(公告)日：2009-07-01

申请号：CN200810190692.5

申请日：2008-12-26

申请人： 佳能株式会社 ,  佳能安内华股份有限公司

发明人： 北川英夫 ,  北野尚武

IPC分类号： H01L21/283 ,  H01L21/314

CPC分类号： H01L21/28202 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28229 ,  H01L21/3145 ,  H01L21/31645 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

摘要： 本发明公开了形成介电膜的方法。在硅衬底上形成包括金属硅酸盐的介电膜的方法包括：第一步，使硅衬底的表层部分氧化并形成二氧化硅膜；第二步，将离子照射在二氧化硅膜的表面上并将二氧化硅膜的表层部分制成具有Si－O结合切断的反应加速层；第三步，在非氧化气氛中将金属膜层叠在反应加速层上；和第四步，使金属膜氧化并形成将金属从金属膜扩散到二氧化硅膜的金属硅酸盐膜。

公开(公告)号：CN101471256B

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN200810190696.3

申请日：2008-12-26

申请人： 佳能株式会社 ,  佳能安内华股份有限公司

发明人： 北野尚武 ,  福地祐介 ,  铃木伸昌 ,  北川英夫

IPC分类号： H01L21/283 ,  H01L21/316

摘要： 本发明公开了形成介电膜的方法。在硅衬底上形成至少包含金属原子、硅原子和氧原子的介电膜的方法包括：第一步，使硅衬底的表面部分氧化以形成二氧化硅膜；第二步，在非氧化气氛中在二氧化硅膜上形成金属膜；第三步，在非氧化气氛中加热以使构成金属膜的金属原子扩散到二氧化硅膜中；和第四步，使包含扩散的金属原子的二氧化硅膜氧化以形成包含金属原子、硅原子和氧原子的膜。

公开(公告)号：CN101944482B

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：CN201010167894.5

申请日：2008-12-26

申请人： 佳能株式会社 ,  佳能安内华股份有限公司

发明人： 北野尚武 ,  福地祐介 ,  铃木伸昌 ,  北川英夫

IPC分类号： H01L21/316 ,  C23C14/14

CPC分类号： H01L21/28229 ,  C23C14/185 ,  C23C14/34 ,  C23C14/5853 ,  C23C14/5893 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/3145 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/321 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517

摘要： 本发明公开了形成介电膜的方法。在硅衬底上形成至少包含金属原子、硅原子和氧原子的介电膜的方法包括：第一步，使硅衬底的表面部分氧化以形成二氧化硅膜；第二步，在非氧化气氛中在二氧化硅膜上形成金属膜；第三步，在非氧化气氛中加热以使构成金属膜的金属原子扩散到二氧化硅膜中；和第四步，使包含扩散的金属原子的二氧化硅膜氧化以形成包含金属原子、硅原子和氧原子的膜。

公开(公告)号：CN101471255B

公开(公告)日：2012-08-29

申请号：CN200810190692.5

申请日：2008-12-26

申请人： 佳能株式会社 ,  佳能安内华股份有限公司

发明人： 北川英夫 ,  北野尚武

IPC分类号： H01L21/283 ,  H01L21/314

CPC分类号： H01L21/28202 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28229 ,  H01L21/3145 ,  H01L21/31645 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

摘要： 本发明公开了形成介电膜的方法。在硅衬底上形成包括金属硅酸盐的介电膜的方法包括：第一步，使硅衬底的表层部分氧化并形成二氧化硅膜；第二步，将离子照射在二氧化硅膜的表面上并将二氧化硅膜的表层部分制成具有Si-O结合切断的反应加速层；第三步，在非氧化气氛中将金属膜层叠在反应加速层上；和第四步，使金属膜氧化并形成将金属从金属膜扩散到二氧化硅膜的金属硅酸盐膜。

公开(公告)号：CN1275295C

公开(公告)日：2006-09-13

申请号：CN200310115486.5

申请日：2003-11-26

申请人： 佳能株式会社

发明人： 北川英夫 ,  铃木伸昌 ,  内山信三

IPC分类号： H01L21/30 ,  H01L21/31

CPC分类号： H01L21/0234 ,  H01J37/32192 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/3144 ,  H01L29/518

摘要： 提供一种在短处理时间内生成能够充分减小氧化硅薄膜与硅基板界面的氮浓度且提高氧化硅膜中的氮浓度、减少损伤的高品位的氧氮化硅薄膜的表面改质方法。在利用等离子体对被处理基体的表面进行改质的方法中，其特征在于，该方法具有以下将被处理基体的温度调节至200℃以上、400℃以下的步骤；向等离子体处理室内导入含有氮原子的气体或含有氮原子的气体与惰性气体的混合气的步骤；将上述等离子体处理室内的压力调节至13.3Pa以上的步骤；在上述等离子体处理室内生成等离子体的步骤；以及以10eV以下的能量使上述等离子体中的离子入射到上述被处理基体中的步骤。

公开(公告)号：CN1503331A

公开(公告)日：2004-06-09

申请号：CN200310115486.5

申请日：2003-11-26

申请人： 佳能株式会社

发明人： 北川英夫 ,  铃木伸昌 ,  内山信三

IPC分类号： H01L21/30 ,  H01L21/31

CPC分类号： H01L21/0234 ,  H01J37/32192 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/3144 ,  H01L29/518

摘要： 提供一种在短处理时间内生成能够充分减小氧化硅薄膜与硅基板界面的氮浓度且提高氧化硅膜中的氮浓度、减少损伤的高品位的氧氮化硅薄膜的表面改质方法。在利用等离子体对被处理基体的表面进行改质的方法中，其特征在于，该方法具有以下将被处理基体的温度调节至200℃以上、400℃以下的步骤；向等离子体处理室内导入含有氮原子的气体或含有氮原子的气体与惰性气体的混合气的步骤；将上述等离子体处理室内的压力调节至13.3Pa以上的步骤；在上述等离子体处理室内生成等离子体的步骤；以及以10eV以下的能量使上述等离子体中的离子入射到上述被处理基体中的步骤。