公开(公告)号：CN102017081A

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN200980114768.9

申请日：2009-04-02

申请人： 应用材料股份有限公司

发明人： 米哈拉·鲍尔西努 ,  克里斯多佛·丹尼斯·本彻 ,  咏梅·陈 ,  伊萨贝丽塔·罗夫洛克斯 ,  夏立群 ,  德里克·R·维迪 ,  立岩·苗 ,  维克多·恩古源

IPC分类号： H01L21/205 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L21/31144 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/318 ,  H01L21/76832 ,  H01L29/4966

摘要： 本发明提供一种方法和设备来形成邻接基板结构的间隔物材料。在一实施方式中，提供一种处理基板的方法，包括将一具有邻接基板表面的基板结构的基板放到沉积腔室内、沉积间隔层至基板结构和基板表面、以及蚀刻间隔层而露出基板结构和部分基板表面，其中间隔层被设置邻接基板结构。间隔层可包含氮化硼材料。间隔层可包含基底间隔层和衬底层，间隔层可以二步骤的蚀刻工艺蚀刻。