发明授权
CN101627460B 被破坏低k介电膜层去除的方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 被破坏低k介电膜层去除的方法
-
申请号: CN200780047559.8申请日: 2007-11-20
-
公开(公告)号: CN101627460B公开(公告)日: 2011-12-14
- 发明人: 尹秀敏 , 赵成焕 , 什里坎特·洛霍卡雷 , 马克·威尔考克森 , 约翰·M·德拉里奥斯 , 斯蒂芬·霍夫曼
- 申请人: 朗姆研究公司
- 申请人地址: 美国加利福尼亚州
- 专利权人: 朗姆研究公司
- 当前专利权人: 朗姆研究公司
- 当前专利权人地址: 美国加利福尼亚州
- 代理机构: 上海胜康律师事务所
- 代理商 周文强; 李献忠
- 优先权: 11/644,779 2006.12.21 US
- 国际申请: PCT/US2007/024404 2007.11.20
- 国际公布: WO2008/088459 EN 2008.07.24
- 进入国家日期: 2009-06-22
- 主分类号: H01L21/306
- IPC分类号: H01L21/306
摘要:
一种用于从低k介电膜层去除被破坏材料的装置、系统和方法,包括识别控制化学制剂,该控制化学制剂配置为有选择地从该低k介电膜层去除该被破坏材料,该被破坏材料位于一个区域,在该区域内透过该低k介电膜层形成特征;建立多个处理参数,以表征将被去除的该被破坏材料的方面,以及将该控制化学制剂应用到该低k介电膜层,基于所建立的该被破坏材料的处理参数限定该控制化学制剂的应用,从而从围绕该特征的区域大体上去除该被破坏材料,并且围绕该特征的该区域大体上由该低k介电膜层的低k特性限定。
公开/授权文献
- CN101627460A 被破坏低k介电膜层去除的方法 公开/授权日:2010-01-13
IPC分类: