公开(公告)号：CN101651144A

公开(公告)日：2010-02-17

申请号：CN200910166990.5

申请日：2009-06-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 沈载星 ,  崔正达

IPC: H01L27/115 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/8247 ,  G11C11/40

CPC classification number: H01L27/11582 ,  G11C16/0408 ,  G11C16/14 ,  G11C16/26 ,  H01L21/823481 ,  H01L27/11519 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11565 ,  H01L27/1157 ,  H01L29/04 ,  H01L29/16 ,  H01L29/42328 ,  H01L29/42344 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/7881

Abstract: 本发明提供一种包括竖直立柱的存储器件及制造和操作该存储器件的方法。在一种半导体器件及形成该器件的方法中，该半导体器件包括在水平方向延伸的由半导体材料制成的基板。在该基板上提供多个层间电介质层。提供多个栅极图案，每个栅极图案位于相邻的较低层间电介质层与相邻的较高层间电介质层之间。由半导体材料制成的竖直沟道在竖直方向延伸并穿过该多个层间电介质层和该多个栅极图案，位于每个栅极图案和竖直沟道间的栅极绝缘层使栅极图案与竖直沟道绝缘，竖直沟道在包括半导体区域的接触区接触基板。

公开(公告)号：CN101621078A

公开(公告)日：2010-01-06

申请号：CN200910139658.X

申请日：2009-06-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李昌炫 ,  崔正达

IPC: H01L29/792 ,  H01L29/423 ,  H01L29/51 ,  H01L27/115 ,  G11C7/10

CPC classification number: H01L21/28282 ,  H01L21/28273 ,  H01L27/11565 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/513 ,  H01L29/7883 ,  H01L29/792

Abstract: 本发明提供一种具有多层隧道绝缘体的存储器单元晶体管及存储器器件。一种存储器单元晶体管包括：有源区，该有源区在第一延伸方向上伸长；该有源区上的隧道层，该隧道层包括第一隧道绝缘层、第一隧道绝缘层上的第二隧道绝缘层和第二隧道绝缘层上的第三隧道绝缘层；隧道层上的电荷储存层；电荷储存层上的阻挡绝缘层；以及阻挡绝缘层上的控制栅电极，该控制栅电极在横向于第一延伸方向的第二延伸方向上伸长，有源区具有第二延伸方向上的第一宽度，第二隧道绝缘层具有第二延伸方向上的第二宽度，第二宽度不同于第一宽度。

公开(公告)号：CN100373584C

公开(公告)日：2008-03-05

申请号：CN200410001967.8

申请日：2004-01-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜大雄 ,  金泓秀 ,  崔正达 ,  朴奎灿 ,  曹盛纯 ,  任庸植 ,  场成男

IPC: H01L21/76 ,  H01L21/31 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L27/11521 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11543

Abstract: 本发明提供制造具有多栅极绝缘层的半导体装置的方法以及由此制造的半导体装置。该方法包括在半导体衬底的第一区域和第二区域分别形成垫绝缘层和初始高电压栅极绝缘层。穿过垫绝缘层并掩埋在半导体衬底中的第一隔离层被形成以定义第一区域中的第一有源区，而穿过初始高电压绝缘层并掩埋在半导体衬底中的第二隔离层被形成以定义第二区域中的第二有源区。随后垫绝缘层被去除以露出第一有源区。低电压绝缘层形成在露出的第一有源区上。因此，可以使得在去除垫绝缘层以便在邻近第一隔离层的有源区上形成低电压栅极绝缘层的过程中形成在第一隔离层边缘处的凹陷区域(凹槽区域)的深度被最小化，并且它能够防止凹槽区域形成在第二隔离层的边缘处。

公开(公告)号：CN1988178A

公开(公告)日：2007-06-27

申请号：CN200610168629.2

申请日：2006-12-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴起台 ,  崔正达 ,  鲁旭镇

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L29/7881 ,  G11C16/0483 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11524 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/792

Abstract: 一种半导体器件，包括在半导体衬底中限定的有源区，以及横跨有源区的栅电极。在栅电极的两侧上的有源区中限定源区/漏区。源区/漏区的至少一个是由栅电极的边缘场产生的场效应源区/漏区。另一个源区/漏区是具有与衬底不同的杂质场和不同的导电性的PN结源区/漏区。源区/漏区的至少一个是场效应源区/漏区。因此，可以在器件中减小或消除短沟道效应。

公开(公告)号：CN1905072A

公开(公告)日：2007-01-31

申请号：CN200610110018.2

申请日：2006-07-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴起台 ,  崔正达 ,  曹成奎

IPC: G11C16/10 ,  G11C16/02

CPC classification number: G11C11/5628 ,  G11C11/5642 ,  G11C16/10 ,  G11C16/24

Abstract: 一种用于非易失半导体存储器设备的页缓冲器，包含：开关，被配置来将耦合于第一存储器单元的第一比特线耦合到耦合于第二存储器单元的第二比特线；第一锁存块，耦合于第一比特线，并且被配置来将第一锁存数据传送给第一存储器单元；以及第二锁存块，耦合于第二比特线及第一锁存块，并且被配置来将第二锁存数据传送给第二存储器单元。

公开(公告)号：CN1832203A

公开(公告)日：2006-09-13

申请号：CN200610007065.4

申请日：2006-02-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴起台 ,  崔正达

IPC: H01L29/792 ,  H01L27/115 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L27/115 ,  H01L21/28282 ,  H01L27/11568 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/7923

Abstract: 一种非易失性集成电路存储器件包括：衬底，包括在其中的第一和第二源区/漏区以及其间的沟道区，邻近第一源区/漏区的沟道区上的第一存储单元，以及邻近第二源区/漏区的沟道区上的第二存储单元。第一存储单元包括沟道区上的第一导电栅和其间的第一多层电荷存储结构。类似地，第二存储单元包括沟道区上的第二导电栅和其间的第二多层电荷存储结构。在第一和第二存储单元之间的沟道区上沿其侧壁延伸的单层绝缘层。单层绝缘层可以不包括电荷俘获层，以及可以将第一和第二导电栅分开一距离，该距离小于第一多层电荷存储结构的厚度。还论述了相关的制造方法。

公开(公告)号：CN1095188A

公开(公告)日：1994-11-16

申请号：CN94102636.1

申请日：1994-03-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔正达 ,  徐康德

IPC: H01L27/102 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11 ,  H01L27/10 ,  G11C11/34

CPC classification number: G11C7/18 ,  G11C7/12 ,  G11C17/123

Abstract: 一种半导体存储器，包括一由双极晶体管构成的电流驱动晶体管，其连接到相应的位线以增加位线电流。该电流驱动晶体管的收集极由一个接地的阱构成，基极由二个相邻选行晶体管的公共漏区构成。其发射极是一与第一层间隔离层及第二层间隔离层分开排列的多晶硅层，它通过接触孔同时被接到基区和位线。该发射极是形成在作为二个相邻选行晶体管公共漏区的基区中的一个掺杂区。这种存储器件具有提高运行速度和提高集成度的能力。

公开(公告)号：CN1072040A

公开(公告)日：1993-05-12

申请号：CN92112534.8

申请日：1992-10-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔正达 ,  李炯坤 ,  李一宽

IPC: G11C17/10 ,  H01L27/112

CPC classification number: G11C17/123 ,  H01L27/112

Abstract: 一与非型掩码只读存储器包含一串联连于比特线的耗尽型和增强型第一和第二字符串选择晶体管，且多个单元晶体管串联连接于字符串选择晶体管和接地电压端之间，其中增强型字符串选择晶体管的沟道长度长于耗尽型字符串选择晶体管，这样避免了漏电流进入未选的字符串。

公开(公告)号：CN107068182A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201611218247.6

申请日：2011-11-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 沈善一 ,  张在薰 ,  崔正达 ,  李云京 ,  金基玄

IPC: G11C16/06 ,  G11C16/16

Abstract: 本发明提供了一种非易失性存储装置、擦除方法及包括该非易失性存储装置的存储系统。所述非易失性存储装置包括衬底和设置在所述衬底上的多个单元串，所述多个单元串中的每个单元串包括在垂直于所述衬底的方向上堆叠的多个单元晶体管，所述擦除方法包括步骤：将接地电压施加到与所述多个单元串的多个接地选择晶体管相连接的接地选择线；将接地电压施加到与所述多个单元串的多个串选择晶体管相连接的多个串选择线；将字线擦除电压施加到与所述多个单元串的多个存储单元相连接的多个字线；将擦除电压施加到所述衬底；响应所述擦除电压的施加来控制所述接地选择线的电压；和响应所述擦除电压的施加来控制所述多个串选择线的电压。

公开(公告)号：CN104241270A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201410232029.2

申请日：2014-05-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权兑勇 ,  金相秀 ,  梁正吉 ,  崔正达

IPC: H01L27/02 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L29/1054 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/845 ,  H01L27/088 ,  H01L27/0924 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/165 ,  H01L29/20 ,  H01L29/205 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/6681 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7842 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件，其包括衬底、化合物半导体层和第一半导体图案和第二半导体图案。衬底包括第一区和第二区。第一半导体图案位于第一区的化合物半导体层上，并包括元素半导体。第二半导体图案位于第二区的化合物半导体层上，并包括III-V族半导体材料。