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公开(公告)号：CN101458957B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN200810177883.8
申请日：2008-09-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F12/16
CPC classification number: G06F11/1658 , G06F3/0616 , G06F3/0619 , G06F11/1072 , G06F12/0246 , G06F2212/1032 , G06F2212/7211 , G11C16/349 , G11C16/3495
Abstract: 本发明提供了一种存储器系统和磨损平衡方法。存储器系统包括快闪存储器设备和存储器控制器。快闪存储器设备包括多个存储块，每个存储块包括多个存储单元。该存储器控制器被配置成基于每个存储块的擦除事件信息和检错与纠错(ECC)事件信息来控制该快闪存储器设备，以使得更加均衡地分配存储块的使用。
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公开(公告)号：CN101458957A
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200810177883.8
申请日：2008-09-12
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G06F11/1658 , G06F3/0616 , G06F3/0619 , G06F11/1072 , G06F12/0246 , G06F2212/1032 , G06F2212/7211 , G11C16/349 , G11C16/3495
Abstract: 本发明提供了一种存储器系统和磨损平衡方法。存储器系统包括快闪存储器设备和存储器控制器。快闪存储器设备包括多个存储块，每个存储块包括多个存储单元。该存储器控制器被配置成基于每个存储块的擦除事件信息和检错与纠错(ECC)事件信息来控制该快闪存储器设备，以使得更加均衡地分配存储块的使用。
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公开(公告)号：CN107919151B
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN201710827030.3
申请日：2017-09-13
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 曹成奎
Abstract: 公开了一种存储器器件。存储器器件包括：连接到多个字线和位线的单元阵列，所述单元阵列包括多个存储器单元，每个存储器单元包括可变电阻元件和双向选择元件；选择电路，选择所选字线和所选位线；和控制逻辑电路，控制选择电路，使得在待机状态下，连接到单元阵列的第一区域的存储器单元的字线和位线保持在放电状态，并且连接到单元阵列的第二区域的存储器单元的字线和位线保持在预充电状态。
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公开(公告)号：CN101044465B
公开(公告)日：2010-04-14
申请号：CN200580036005.9
申请日：2005-07-26
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 曹成奎
IPC: G06F13/00
CPC classification number: G06F13/1694
Abstract: 公开了一种在存储芯片之间直接传送数据的多芯片系统和方法。所述多芯片系统包括第一和第二存储芯片、以及控制第一和第二存储芯片的操作的主机系统。第一存储芯片响应于从主机系统提供的本地传送信息控制第二存储芯片，将数据传送到第二存储芯片。第一存储芯片控制主机系统在执行本地传送操作时不访问第二存储芯片。根据本发明，因为能够直接在存储芯片之间传送数据、而不需要主机系统，所以，增强了多芯片系统的效率，并且改善了数据传送速度。
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公开(公告)号：CN1905072A
公开(公告)日：2007-01-31
申请号：CN200610110018.2
申请日：2006-07-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/5628 , G11C11/5642 , G11C16/10 , G11C16/24
Abstract: 一种用于非易失半导体存储器设备的页缓冲器，包含：开关，被配置来将耦合于第一存储器单元的第一比特线耦合到耦合于第二存储器单元的第二比特线；第一锁存块，耦合于第一比特线，并且被配置来将第一锁存数据传送给第一存储器单元；以及第二锁存块，耦合于第二比特线及第一锁存块，并且被配置来将第二锁存数据传送给第二存储器单元。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1779853B
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN200510106784.7
申请日：2005-10-12
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 曹成奎
IPC: G11C11/401 , G11C11/403
CPC classification number: G11C11/406 , G11C11/40611
Abstract: 本发明提供用于自动刷新易失存储器设备中多个存储器单元的方法，在该方法中，响应于自动刷新模式激活命令而激活易失存储器设备的自动刷新模式。其后，可以响应于自动刷新命令在多个存储器单元上执行自动刷新操作。也提供了相关的动态随机访问存储器设备、存储器系统和逻辑嵌入存储器。
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公开(公告)号：CN101044465A
公开(公告)日：2007-09-26
申请号：CN200580036005.9
申请日：2005-07-26
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 曹成奎
IPC: G06F13/00
CPC classification number: G06F13/1694
Abstract: 公开了一种在存储芯片之间直接传送数据的多芯片系统和方法。所述多芯片系统包括第一和第二存储芯片、以及控制第一和第二存储芯片的操作的主机系统。第一存储芯片响应于从主机系统提供的本地传送信息控制第二存储芯片，将数据传送到第二存储芯片。第一存储芯片控制主机系统在执行本地传送操作时不访问第二存储芯片。根据本发明，因为能够直接在存储芯片之间传送数据、而不需要主机系统，所以，增强了多芯片系统的效率，并且改善了数据传送速度。
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公开(公告)号：CN101436434B
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN200810188792.4
申请日：2008-08-18
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H03M13/356 , G06F11/1072 , G11C11/5628 , G11C11/5642 , G11C16/0483 , G11C29/00 , G11C2211/5641 , H03M13/098 , H03M13/13 , H03M13/6306
Abstract: 揭示了一种用于非易失性存储系统的编程和读方法，包括确定以快速和正常模式之一编程第一数据；在快速模式中，将由多位ECC引擎产生的错误代码提供给第一数据，并且产生第二数据；通过具有比第一开始电平高的第二开始电平的编程电压在单元阵列中编程该第二数据；以及从该单元阵列阵列中读该第二数据，该第二数据在由多位ECC引擎从该第二数据中检测和纠正一个错误处理后被输出。
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公开(公告)号：CN1905072B
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN200610110018.2
申请日：2006-07-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/5628 , G11C11/5642 , G11C16/10 , G11C16/24
Abstract: 一种用于非易失半导体存储器设备的页缓冲器，包含：开关，被配置来将耦合于第一存储器单元的第一比特线耦合到耦合于第二存储器单元的第二比特线；第一锁存块，耦合于第一比特线，并且被配置来将第一锁存数据传送给第一存储器单元；以及第二锁存块，耦合于第二比特线及第一锁存块，并且被配置来将第二锁存数据传送给第二存储器单元。
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