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公开(公告)号：CN101458957B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN200810177883.8
申请日：2008-09-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F12/16
CPC classification number: G06F11/1658 , G06F3/0616 , G06F3/0619 , G06F11/1072 , G06F12/0246 , G06F2212/1032 , G06F2212/7211 , G11C16/349 , G11C16/3495
Abstract: 本发明提供了一种存储器系统和磨损平衡方法。存储器系统包括快闪存储器设备和存储器控制器。快闪存储器设备包括多个存储块，每个存储块包括多个存储单元。该存储器控制器被配置成基于每个存储块的擦除事件信息和检错与纠错(ECC)事件信息来控制该快闪存储器设备，以使得更加均衡地分配存储块的使用。
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公开(公告)号：CN101458957A
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200810177883.8
申请日：2008-09-12
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G06F11/1658 , G06F3/0616 , G06F3/0619 , G06F11/1072 , G06F12/0246 , G06F2212/1032 , G06F2212/7211 , G11C16/349 , G11C16/3495
Abstract: 本发明提供了一种存储器系统和磨损平衡方法。存储器系统包括快闪存储器设备和存储器控制器。快闪存储器设备包括多个存储块，每个存储块包括多个存储单元。该存储器控制器被配置成基于每个存储块的擦除事件信息和检错与纠错(ECC)事件信息来控制该快闪存储器设备，以使得更加均衡地分配存储块的使用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101436434A
公开(公告)日：2009-05-20
申请号：CN200810188792.4
申请日：2008-08-18
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H03M13/356 , G06F11/1072 , G11C11/5628 , G11C11/5642 , G11C16/0483 , G11C29/00 , G11C2211/5641 , H03M13/098 , H03M13/13 , H03M13/6306
Abstract: 揭示了一种用于非易失性存储系统的编程和读方法，包括确定以快速和正常模式之一编程第一数据；在快速模式中，将由多位ECC引擎产生的错误代码提供给第一数据，并且产生第二数据；通过具有比第一开始电平高的第二开始电平的编程电压在单元阵列中编程该第二数据；以及从该单元阵列中读该第二数据，该第二数据在由多位ECC引擎从该第二数据中检测和纠正一个错误处理后被输出。
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公开(公告)号：CN101131876A
公开(公告)日：2008-02-27
申请号：CN200710139739.0
申请日：2007-07-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C29/42
CPC classification number: G11C7/1006 , G06F11/1008 , G11C2029/0411 , G11C2207/104
Abstract: 提供了一种误差校正电路、误差校正方法和包含该误差校正电路的半导体存储装置。误差校正电路包括：局部校正子发生器、第一和第二误差位置检测器、系数计算器和确定器。局部校正子发生器计算至少两个局部校正子。第一误差位置检测器使用部分局部校正子计算第一误差位置。系数计算器使用局部校正子计算误差位置方程的系数。确定器基于系数确定误差类型。第二误差位置检测器基于误差类型选择地计算第二误差位置。半导体存储装置包括：误差校正电路；ECC编码器，基于信息数据产生编码的数据并通过将校正子数据和信息数据结合产生编码的数据；存储核，存储编码的数据。多比特ECC性能被保持，并且可对预定(1或2)或更少数量的误差比特快速执行ECC。
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公开(公告)号：CN101131876B
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：CN200710139739.0
申请日：2007-07-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C29/42
CPC classification number: G11C7/1006 , G06F11/1008 , G11C2029/0411 , G11C2207/104
Abstract: 提供了一种误差校正电路、误差校正方法和包含该误差校正电路的半导体存储装置。误差校正电路包括：局部校正子发生器、第一和第二误差位置检测器、系数计算器和确定器。局部校正子发生器计算至少两个局部校正子。第一误差位置检测器使用部分局部校正子计算第一误差位置。系数计算器使用局部校正子计算误差位置方程的系数。确定器基于系数确定误差类型。第二误差位置检测器基于误差类型选择地计算第二误差位置。半导体存储装置包括：误差校正电路；ECC编码器，基于信息数据产生编码的数据并通过将校正子数据和信息数据结合产生编码的数据；存储核，存储编码的数据。多比特ECC性能被保持，并且可对预定(1或2)或更少数量的误差比特快速执行ECC。
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公开(公告)号：CN101436434B
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN200810188792.4
申请日：2008-08-18
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H03M13/356 , G06F11/1072 , G11C11/5628 , G11C11/5642 , G11C16/0483 , G11C29/00 , G11C2211/5641 , H03M13/098 , H03M13/13 , H03M13/6306
Abstract: 揭示了一种用于非易失性存储系统的编程和读方法，包括确定以快速和正常模式之一编程第一数据；在快速模式中，将由多位ECC引擎产生的错误代码提供给第一数据，并且产生第二数据；通过具有比第一开始电平高的第二开始电平的编程电压在单元阵列中编程该第二数据；以及从该单元阵列阵列中读该第二数据，该第二数据在由多位ECC引擎从该第二数据中检测和纠正一个错误处理后被输出。
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公开(公告)号：CN101211667A
公开(公告)日：2008-07-02
申请号：CN200710196257.9
申请日：2007-11-30
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 任容兑
IPC: G11C29/42
CPC classification number: G06F11/1008 , G11C2029/0411 , H03M13/15 , H03M13/3707 , H03M13/3715
Abstract: 本发明提供了降低误纠概率的纠错电路和方法以及包括该电路的半导体存储设备。该纠错电路包括错误校验和纠正(ECC)编码器和ECC解码器。ECC编码器根据信息数据和生成多项式生成允许h位纠错的校正子数据，其中“h”是2或大于2的整数。ECC解码器可以根据包括信息和校正子数据的编码数据，在检测关于信息数据中的最多(h－j)位的错误位置的单一操作模式下操作，其中“j”是1或大于1的整数。可替代地，ECC解码器可以根据包括信息和校正子数据的编码数据，在检测关于信息数据中的最多h位的错误位置的第一操作模式下，或在检测关于信息数据中的最多(h－j)位的错误位置的第二操作模式下操作。于是，降低误纠概率，因此，可以提高数据可靠性。
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