公开(公告)号：CN1988178A

公开(公告)日：2007-06-27

申请号：CN200610168629.2

申请日：2006-12-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴起台 ,  崔正达 ,  鲁旭镇

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L29/7881 ,  G11C16/0483 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11524 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/792

Abstract: 一种半导体器件，包括在半导体衬底中限定的有源区，以及横跨有源区的栅电极。在栅电极的两侧上的有源区中限定源区/漏区。源区/漏区的至少一个是由栅电极的边缘场产生的场效应源区/漏区。另一个源区/漏区是具有与衬底不同的杂质场和不同的导电性的PN结源区/漏区。源区/漏区的至少一个是场效应源区/漏区。因此，可以在器件中减小或消除短沟道效应。

公开(公告)号：CN1988178B

公开(公告)日：2010-05-26

申请号：CN200610168629.2

申请日：2006-12-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴起台 ,  崔正达 ,  鲁旭镇

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L29/7881 ,  G11C16/0483 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11524 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/792

Abstract: 一种半导体器件，包括在半导体衬底中限定的有源区，以及横跨有源区的栅电极。在栅电极的两侧上的有源区中限定源区/漏区。源区/漏区的至少一个是由栅电极的边缘场产生的场效应源区/漏区。另一个源区/漏区是具有与衬底不同的杂质场和不同的导电性的PN结源区/漏区。源区/漏区的至少一个是场效应源区/漏区。因此，可以在器件中减小或消除短沟道效应。