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公开(公告)号：CN114762082A
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202080081708.8
申请日：2020-10-27
Applicant: 应用材料公司
Inventor： M·S·K·穆蒂亚拉 , S·卡玛斯 , D·帕德希
IPC: H01L21/02 , C23C16/40 , C23C16/509 , C23C16/52
Abstract: 示例性的沉积方法可包括：将含硅前驱物和载体前驱物输送到半导体处理腔室的处理区域。方法可包括：在半导体处理腔室的处理区域内形成含硅前驱物和载体前驱物的等离子体。方法可包括：在设置在半导体处理腔室的处理区域内的基板上沉积第一数量的含硅材料。沉积可在第一腔室压力下发生。方法可包括：将第一腔室压力调整至比第一腔室压力要小的第二腔室压力。方法可包括：在第一数量的含硅材料上沉积第二数量的含硅材料。
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公开(公告)号：CN114467164A
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202080068901.8
申请日：2020-08-31
Applicant: 应用材料公司
Inventor： M·S·K·穆蒂亚拉 , S·卡玛斯 , D·帕德希
IPC: H01L21/316 , H01L21/311 , H01L21/683 , C23C16/40 , C23C16/44 , H01J37/32
Abstract: 示例性沉积方法可以包括以下步骤：以第一电压将半导体基板静电地卡紧在半导体处理腔室的处理区域内。所述方法可以包括以下步骤：执行沉积工艺。所述沉积工艺可以包括以下步骤：在半导体处理腔室的处理区域内形成等离子体。所述方法可以包括以下步骤：停止在半导体处理腔室内形成等离子体。所述方法可以包括以下步骤：与所述停止步骤同时，将静电卡紧的第一电压增加到第二电压。所述方法可以包括以下步骤：净化半导体处理腔室的处理区域。
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公开(公告)号：CN114375486A
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN202080064017.7
申请日：2020-08-12
Applicant: 应用材料公司
Inventor： S·S·阿迪帕利 , 陈玥 , 蒋志钧 , S·斯里瓦斯塔瓦 , N·S·乔拉普尔 , D·R·B·拉杰 , G·奇可卡诺夫 , Q·马 , A·凯什里 , 韩新海 , G·巴拉苏布拉马尼恩 , D·帕德希
Abstract: 示例性半导体处理腔室可包括喷头。腔室还可包括基板支撑件，基板支撑件的特征在于面向喷头的第一表面。第一表面可经配置以支撑半导体基板。基板支撑件可限定在第一表面内居中的凹穴。凹穴可由外部径向壁所限定，外部径向壁的特征在于，与凹穴内的第一表面相距的高度大于或约为半导体基板的厚度的150％。
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公开(公告)号：CN111226316A
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN201880066334.5
申请日：2018-10-10
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L27/11556 , H01L27/11524 , H01L27/11582 , H01L27/1157 , H01L21/768 , H01L21/28
Abstract: 本文所描述的实施方式涉及用于制造半导体器件(诸如存储器器件等等)的方法和材料。在一个实施方式中，存储器层堆叠包括具有不同的蚀刻速率的材料，其中选择性地去除一种材料以在器件结构中形成气隙。在另一个实施方式中，存储器层堆叠的含硅材料被掺杂或制造为硅化物材料。在另一个实施方式中，氮化硅材料用作在存储器层堆叠的含氧化物层和含硅层之间的界面层。
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公开(公告)号：CN103229281A
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201180055940.5
申请日：2011-11-07
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/312
CPC classification number: H01L21/31144 , H01L21/02115 , H01L21/02274
Abstract: 本发明提供一种用于在基板上形成非晶形碳层的方法与设备。具有高应力水平的该非晶形碳层的第一部分由具有高稀释比的碳氢化合物前驱物形成，且纳入任选的胺前驱物以添加提升应力的氮。透过减少碳氢化合物前驱物的稀释比以及降低或消除胺气体，而将具有低应力水平的该非晶形碳层的第二部分形成在第一部分上。作为调整前驱物流速的替代或补充，可调整压力、温度、与RF功率输入，并且可使用不同的前驱物以用于不同的应力水平。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101480110B
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：CN200780024531.2
申请日：2007-06-22
Applicant: 应用材料公司
Inventor： D·帕德希 , H-C·哈 , S·拉蒂 , D·R·威蒂 , C·陈 , S·帕克 , G·巴拉苏布拉马尼恩 , K·杰纳基拉曼 , M·J·西蒙斯 , V·斯瓦拉马克瑞希楠 , B·H·金 , H·姆塞德
IPC: H05H1/24
CPC classification number: H01L21/3146 , C23C16/045 , C23C16/26 , C23C16/5096 , C23C16/56 , H01L21/31144
Abstract: 一种在基板上沉积无定形碳层的方法包括下列步骤：将基板放置在处理室中；将烃源导入处理室；将重稀有气体导入处理室；以及在处理室中产生等离子体。重稀有气体选自由氩、氪、氙、及其混合物所组成的群组，并且稀有气体的摩尔流速大于烃源的摩尔流速。该方法可包括后沉积终止步骤，其中烃源及稀有气体的流动并终止，并且将等离子体维持在处理室中一段时间以自处理室中移除粒子。
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公开(公告)号：CN102714146A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201080055187.5
申请日：2010-12-21
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C23C16/04 , C23C16/4401 , C23C16/45589 , C23C16/4585
Abstract: 本发明的实施例考量一种遮蔽环，该遮蔽环在晶圆的边缘上提供增加的或减少的且更均匀的沉积。通过从该遮蔽环的顶表面和/或底表面移除材料，可实现增加的边缘沉积及斜面覆盖率。在一个实施例中，通过在该底表面上提供凹陷狭槽，来减少该底表面上的材料。通过增加该遮蔽环的材料量，可减少边缘沉积及斜面覆盖率。另一种调整晶圆的边缘处的沉积的方法包括增加或减小该遮蔽环的内直径。形成该遮蔽环的材料亦可变化，以改变晶圆的边缘处的沉积量。
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公开(公告)号：CN101473062B
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN200780023174.8
申请日：2007-06-14
Applicant: 应用材料公司
Inventor： D·帕德希 , C·陈 , S·拉蒂 , G·巴拉苏布拉马尼恩 , J·周 , K·杰纳基拉曼 , M·J·西蒙斯 , V·斯瓦拉马克瑞希楠 , D·R·威蒂 , H·姆塞德
CPC classification number: C23C16/45565 , C23C16/0254 , C23C16/26 , C23C16/4404
Abstract: 本发明提供一种具有用在半导体应用中的保护性涂层的物件以及多种制造所述物件的方法。在一个实施例中，本发明提供一种涂覆物件的铝表面的方法，其中所述物件是应用在半导体处理腔室中的。此方法包含：提供处理腔室；置放所述物件至所述处理腔室内；使第一气体流入所述处理腔室，其中所述第一气体包含碳源；使第二气体流入所述处理腔室，其中所述第二气体包含氮源；在所述处理腔室内形成等离子体；以及在所述铝表面上沉积涂覆材料。在一个实施例中，涂覆材料包括含不定形碳氮的层。在一个实施例中，所述物件包含喷洒头，喷洒头被配置成输送气体至处理腔室。
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公开(公告)号：CN114375486B
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202080064017.7
申请日：2020-08-12
Applicant: 应用材料公司
Inventor： S·S·阿迪帕利 , 陈玥 , 蒋志钧 , S·斯里瓦斯塔瓦 , N·S·乔拉普尔 , D·R·B·拉杰 , G·奇可卡诺夫 , Q·马 , A·凯什里 , 韩新海 , G·巴拉苏布拉马尼恩 , D·帕德希
Abstract: 示例性半导体处理腔室可包括喷头。腔室还可包括基板支撑件，基板支撑件的特征在于面向喷头的第一表面。第一表面可经配置以支撑半导体基板。基板支撑件可限定在第一表面内居中的凹穴。凹穴可由外部径向壁所限定，外部径向壁的特征在于，与凹穴内的第一表面相距的高度大于或约为半导体基板的厚度的150％。
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公开(公告)号：CN113169022B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN201980077353.2
申请日：2019-11-08
Applicant: 应用材料公司
Inventor： V·V·瓦茨 , H·俞 , P·A·克劳斯 , S·G·卡马斯 , W·J·杜兰德 , L·C·卡鲁塔拉格 , A·B·玛里克 , 李昌陵 , D·帕德希 , M·J·萨利 , T·C·楚 , M·A·巴尔西努
IPC: H01J37/32 , C23C16/458
Abstract: 本文所公开的实施例包括形成高质量的氮化硅膜的方法。在实施例中，一种在基板上沉积膜的方法可包括：通过沉积工艺在第一处理空间中在基板的表面之上形成氮化硅膜；以及在第二处理空间中处理氮化硅膜，其中处理氮化硅膜包括：将膜暴露于由模块化的高频等离子体源引起的等离子体。在实施例中，等离子体的壳层电势小于100V，并且高频等离子体源的功率密度为约5W/cm2或更高、约10W/cm2或更高，或约20W/cm2或更高。
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