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公开(公告)号：CN116804289A
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN202310771018.0
申请日：2023-06-27
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供降低重掺砷器件端正向压降VF异常的方法，涉及重掺器件正向压降控制方法技术领域，在预定氩气流量下，随着晶棒拉制长度的增加，坩埚转速与炉压在等径拉制不同长度时均能够达到预定的比值，以降低晶棒的氧含量，进而氧与空位结合的概率降低，不易形成体微缺陷，且使得氧含量径向分布均匀，进而降低器件端正向压降VF异常的概率。
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公开(公告)号：CN116714119A
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202310923434.8
申请日：2023-07-26
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 一种辅助减少轴承箱震动的夹具及其安装方法，该夹具包括：弧形块、弹性组件和N个固定件；弧形块的正侧面上设置有贯穿的第一固定孔，用以将该弧形块固定在待进行减震的轴承箱上；弧形块的内侧面和外侧面为同向弯曲的弧面，弹性组件固定连接在弧形块的内侧面上，且弹性组件与内侧面之间存在间隙；外侧面上设置有N个第二固定孔，每一个第二固定孔均贯穿弧形块的外侧面和内侧面，每一个固定件的一端均穿过一个第二固定孔接触到弹性组件上。本方案能够减少轴承箱产生的震动，使得线切割机具有更高的精度，进而提高硅片加工的质量。
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公开(公告)号：CN115369480A
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202211168080.2
申请日：2022-09-23
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种1806炉晶棒拉晶方法，属于单晶炉提拉法生长单晶技术领域，根据实际拉速曲线设置预定拉速上限曲线及预定拉速下限曲线进行晶棒拉制，以通过缩小拉速波动的幅度消除因分凝效应导致硅杂质浓度的升高，并且使得单晶生长界面平坦，没有杂质析出也没有产生杂质条纹。
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公开(公告)号：CN119956496A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202510226821.5
申请日：2025-02-27
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 该发明涉及一种阻止单晶炉中排出的尾气氧化沉积的排气管，包括排气管本体，该排气管本体为双层同心圆管结构，该排气管本体内管与外管之间留有空隙，形成密闭的空腔，在排气管本体内管的内壁上开设有若干个与空腔连通的气流引导孔，气流引导孔沿排气管本体内管的长度方向及圆周方向均布开设，在排气管本体外管上设置有连通空腔的进气口，惰性气体从进气口进入空腔后，沿各气流引导孔排入排气管本体内管中，利用惰性气体阻止单晶炉中排出的尾气与排气管本体内管的内壁接触，并可加快单晶炉中排出的尾气在排气管本体内管中的流速，以减少单晶炉中排出的尾气在排气管本体中氧化沉积，降低了排气管本体被氧化物堵塞的现象发生，保证了单晶炉排气顺畅。
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公开(公告)号：CN119077993A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202411212359.5
申请日：2024-08-30
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供的避免晶圆切片厚度不均匀的半导体晶圆切片辅助装置，属于晶圆切片装置技术领域，包括加工台、夹持组件、弹性组件、定位组件、切割组件，加工台的中部上表面竖直开设有上料孔，夹持组件位于上料孔内，弹性组件位于夹持组件与上料孔的底壁之间，定位组件、切割组件均位于加工台的上方，定位组件、切割组件均位于夹持组件的上方，切割组件位于定位组件位于的一侧，切割组件对晶圆本体进行晶圆切片的过程中，夹持组件夹持晶圆本体位于上料孔中，切割组件受到晶圆本体带来的切割阻力时，切割组件与夹持组件卡接，切割组件与夹持组件一体联动，使晶圆本体的切割面不发生偏移，避免了晶圆切片的厚度不均匀。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119069375A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202411210487.6
申请日：2024-08-30
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种硅单晶切片样片检测分析方法，涉及单晶炉电力控制系统技术领域，将硅单晶切片样片进行Warp、厚度、BOW值检测，得到每个批号硅片不同指标的检测数据以及对应多线切割机的型号；将得到每个批号的硅片不同指标的检测数据以及对应多线切割机的型号进行存储，得到数据库；根据得到的数据库对检测数据进行异常检测、统计分析和趋势预测，以对多线切割机切割出的硅片进行质量监控，并且根据对检测数据进行统计分析和趋势预测能够及时对多线多切割机进行调整，降低硅片不合格的概率，减少浪费。
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公开(公告)号：CN118928983A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411210673.X
申请日：2024-08-30
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
IPC: B65D25/10 , B65D25/02 , B65D21/036 , B65D81/02
Abstract: 本发明提供一种硅片周转箱及硅片周装箱的使用方法，涉及硅片盛放装置技术领域，包括第一防护组件、第二防护组件、第三防护组件，第一防护组件包括底座、防护箱体、顶盖，防护箱体位于底座上部，顶盖位于防护箱体的上部，第二防护组件、第三防护组件位于底座、防护箱体、顶盖形成容纳空腔内，硅片放置在第三防护组件内，底座与防护箱体的下部连接，防护箱体的上部与顶盖连接，第二防护组件的底部与底座接触，第三防护组件镶嵌在第二防护组件内，第二防护的顶部与顶盖接触，以通过第一防护组件、第二防护组件、第三防护组件相互进行支撑、借力对硅片进行逐级防护，防止硅片在转运过程中受外力影响，导致硅片损伤，进而使得硅片浪费减少。
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公开(公告)号：CN118814914A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202411212189.0
申请日：2024-08-30
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种带有纯水补给的冷却塔冷却水供水系统及方法，包括：冷却塔、冷却塔冷却水供水管路、自来水供水单元以及纯水供水单元，冷却塔通过冷却塔冷却水供水管路分别与自来水供水单元、纯水供水单元连接；自来水供水单元包括自来水管，自来水管连接自来水房与冷却塔冷却水供水管路，自来水管上安装有切断阀；纯水供水单元包括纯水供水管路、纯水供水管路阀门、密闭水池以及纯水房，冷却塔冷却水供水管路、密闭水池以及纯水房之间通过纯水供水管路依次连接，纯水供水管路上设置有纯水供水管路阀门；密闭水池设于冷却塔的下部，以汇集从冷却塔落下的冷却水，本发明通过采用纯水辅助供水从而降低冷却塔的运营成本。
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公开(公告)号：CN117415683B
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202311443920.6
申请日：2023-10-31
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种半导体晶棒滚磨机滚磨方法，涉及晶棒滚磨加工技术领域，通过自动滚磨机对晶棒进行加工，将晶棒放置在转运承载装置上，以使晶棒的中心线与夹头的中心线位于同一水平面，再测量晶棒的长度，晶棒长度测量完成后，夹头根据晶棒的长度夹持晶棒，不用再预先在晶棒两端画圆，夹头能准确进行夹持，不会存在倾斜状态，影响后续参考面的加工；然后再测量晶棒的直径；晶棒直径测量完成后，滚磨机计算磨削量，根据得到的磨削量进行晶棒外圆滚磨加工，得到滚磨晶棒；对滚磨晶棒进行参考面测量、加工，计算参考面宽幅，加工准确。
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公开(公告)号：CN116872365B
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202311083883.2
申请日：2023-08-25
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种高效截断碳板的截断方法，涉及碳板截断技术领域，将圆柱形工件与树脂板进行粘接，组成承载工装；将碳板可拆卸固定在树脂板上，组成待切割工件，将待切割工件放置在截断机的V形槽上，且圆柱形工件与截断机的V形槽接触，将截断机压紧装置压合在碳板的上表面；将切割头的头升降轴下降使得锯带与碳板为预定距离，打开切削水，驱动主轴匀速旋转，再将切割头的头升降轴下降使得锯带切割碳板；碳板切割完成，关闭截断机；通过使用晶棒的截断机对碳板进行截断，提高截断效率，减少碳板崩边、破裂的概率，且截断机的切割头的头升降轴进行垂直升降，使得碳板的截断端面平整，误差小，不会对工作人员造成不适。
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