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公开(公告)号：CN108962721A
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201710617605.9
申请日：2017-07-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/3081 , B05D3/06 , B05D3/108 , C08L33/10 , C08L33/12 , C09D4/00 , C09D133/08 , C09D133/10 , C09D133/12 , C09D135/02 , G03F7/11 , H01L21/02118 , H01L21/02282 , H01L21/02318 , H01L21/02345 , H01L21/0271 , H01L21/0274 , H01L21/0332 , H01L21/3086 , H01L21/3105 , H01L21/31133 , H01L21/02664
Abstract: 本发明实施例提供材料组分与其应用方法，包括提供底漆材料，其包括：表面作用力增进组分以及可交联组分。在底漆材料上进行交联处理。可交联组分自我交联以形成交联的底漆材料。在交联的底漆材料上进行至少一处理工艺时，交联的底漆材料可保护下方层。
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公开(公告)号：CN107290940B
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：CN201610482180.0
申请日：2016-06-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明揭露一种用于微影的三层型光阻结构和其制造方法。形成一底层、一光敏层以及一中间层，其中中间层位于底层以及光敏层的中间。中间层会因为组成物的表面能差异而分层成两层，下层的硅含量比上层高。当使用负调显影时可以在中间层上方加入具有极性转换功能的改质层避免光敏层塌陷。本发明的结构可以提升蚀刻后的线宽均匀度。
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公开(公告)号：CN108231548A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201710631901.4
申请日：2017-07-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L21/3081 , G03F7/26 , G03F7/405 , H01L21/0273 , H01L21/0274
Abstract: 提供一种材料组成与方法，其包含形成图案化光阻层于基板上，其中图案化光阻层具有第一线宽粗糙度。在多种实施例中，将处理材料涂布至图案化光阻层，其中处理材料的第一部份键结至图案化光阻层的表面。在一些实施例中，移除处理材料的第二部份(未键结至图案化光阻层表面)，以提供处理后的图案化光阻层，其中处理后的图案化光阻层具有第二线宽粗糙度，且第二线宽粗糙度小于第一线宽粗糙度。
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公开(公告)号：CN106019849B
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201510755863.4
申请日：2015-11-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20 , H01L21/033
CPC classification number: H01L21/3081 , G03F7/0751 , G03F7/0752 , G03F7/091 , G03F7/094 , H01L21/02126 , H01L21/0271 , H01L21/0274 , H01L21/0276 , H01L21/0332 , H01L21/266 , H01L21/3086 , H01L21/31111 , H01L21/31133 , H01L21/31138 , H01L21/32 , H01L21/67075
Abstract: 根据一些实施例提供了一种光刻方法。光刻方法包括在衬底上形成聚合材料的下层；在下层上形成含硅中间层，其中含硅中间层具有重量百分比小于20％的硅浓度并且是可湿剥离的；在含硅中间层上形成图案化的光敏层；实施第一蚀刻工艺以将图案化的光敏层的图案转印至含硅中间层；实施第二蚀刻工艺以将图案转印至下层；以及对含硅中间层和下层实施湿剥离工艺。
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公开(公告)号：CN107357134A
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201610300889.4
申请日：2016-05-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种组成物及形成一材料层的方法。组成物包含：约2至约25重量分的高分子；约5至约20重量分的交联剂；约0.1至约10重量分的触媒，触媒在一温度下触发交联剂与高分子发生交联反应；以及约3至约30重量分的一第一溶剂，且第一溶剂的一沸点大于触媒触发交联反应的温度。此组成物所形成的层别能够有效地改善“厚度负载”的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107065439A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201610919893.9
申请日：2016-10-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/2004 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/039 , G03F7/0392 , G03F7/075 , G03F7/095 , G03F7/32 , G03F7/70
Abstract: 本公开一些实施例提供的微影图案化方法，包括：形成光致抗蚀剂层于基板上，对光致抗蚀剂层进行曝光工艺；以及显影光致抗蚀剂层，以形成图案化光致抗蚀剂层。光致抗蚀剂层具有聚合物主链、键结至聚合物主链的酸活性基团(ALG)、键结至聚合物主链的第一光敏剂、未键结至聚合物主链的第二光敏剂、以及光酸产生剂(PAG)。
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公开(公告)号：CN105093842B
公开(公告)日：2017-06-06
申请号：CN201510201052.X
申请日：2015-04-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/322 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0382 , G03F7/039 , G03F7/0392 , G03F7/11 , G03F7/2041 , G03F7/30
Abstract: 在一个实施例中，提供了制备和使用光敏材料的方法，该方法包括选择光刻胶，该光刻胶是正性光刻胶和负性光刻胶中的一种。基于光刻胶选择第一附加材料或第二附加材料。第一附加材料具有附接至聚合物链的氟组分和碱组分，如果提供正性光刻胶，则选择第一附加材料。第二附加材料具有附接至聚合物链的氟组分和酸组分，如果提供负性光刻胶，则选择第二附加材料。将所选择的光刻胶和所选择的附加材料施加至目标衬底。
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公开(公告)号：CN104689619B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201410736750.5
申请日：2014-12-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B01D67/0093 , B01D65/003 , B01D69/02 , B01D2313/04 , B01D2323/30 , B01D2323/34 , G03F7/16
Abstract: 根据实施例，在使用过滤膜过滤工艺流体之前，使用密封材料密封过滤膜。密封材料是氟基聚合物或具有交联基团的聚合物。一旦已经将密封材料放置为与过滤膜接触，可以使用物理或化学工艺引发交联反应以交联密封材料并将过滤膜密封到密封材料内，从而使过滤膜与工艺流体间隔开，以减小或消除过滤膜浸出至工艺流体内。本发明涉及具有密封处理的过滤器。
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公开(公告)号：CN103454856B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201310024509.5
申请日：2013-01-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 张庆裕
IPC: G03F7/004 , G03F7/00 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/16 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/11
Abstract: 感光材料和形成图案的方法，包括提供可通过操作浮动到由感光材料形成的层的顶部区域的感光材料的组分成分。在实例中，感光层包括具有氟原子(例如，烷基氟化物基团)的第一组分。在形成感光层后，第一组分浮动到感光层的顶面。此后，图案化感光层。本发明提供了感光材料和光刻方法。
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公开(公告)号：CN106468859A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201510859496.2
申请日：2015-11-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G03F7/0035 , G03F7/091 , G03F7/095 , G03F7/11 , G03F7/2022 , G03F7/203 , G03F7/32 , G03F7/38 , G03F7/70466
Abstract: 本发明提供用以使用二次曝光界定多个层图案的方法，包含在衬底上方形成第一光致抗蚀剂层，保护层材料沉积于第一光致抗蚀剂层上方以形成保护层。在保护层上方形成第二光致抗蚀剂层。通过第一掩模执行第一光刻曝光过程，以曝光第一光致抗蚀剂层及第二光致抗蚀剂层并且形成底部潜在图案。通过第二掩模执行第二光刻曝光过程，以曝光第一光致抗蚀剂层及第二光致抗蚀剂层并且形成顶部潜在图案，其中顶部潜在图案与底部潜在图案至少部分地重叠。显影第一光致抗蚀剂层及第二光致抗蚀剂层以及保护层，以形成分别来自底部潜在图案及顶部潜在图案的第一主要特征及第二主要特征及保护层中的与第二主要特征垂直对准的开口。
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