公开(公告)号：CN104051487A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201410090101.2

申请日：2014-03-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 高敏峰 ,  杨敦年 ,  刘人诚 ,  庄俊杰 ,  洪丰基 ,  蔡纾婷 ,  林政贤 ,  蔡双吉 ,  许文义

IPC: H01L27/146 ,  H01L23/482 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明提供了用于制造三维（3D）图像传感器结构的方法的实施例。该方法包括：提供在其中形成图像传感器并且在其上形成第一互连结构的图像传感器衬底、以及在其中形成逻辑电路并且在其上形成第二互连结构的逻辑衬底；以第一和第二互连结构夹置在逻辑衬底和图像传感器衬底之间的构造，将逻辑衬底接合至图像传感器衬底；以及形成从逻辑衬底延伸到第一互连结构的导电部件，由此将逻辑电路电耦合至图像传感器。本发明还提供了图像传感器结构。

公开(公告)号：CN104051422A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201310277268.5

申请日：2013-07-03

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡纾婷 ,  林政贤 ,  庄俊杰 ,  杨敦年 ,  刘人诚 ,  洪丰基

IPC: H01L23/538 ,  H01L21/768

CPC classification number: A61N1/3931 ,  A61N1/3987 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53257 ,  H01L25/50 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/14634 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/80894 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/9212 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2224/8203 ,  H01L2224/821 ,  H01L2224/80001 ,  H01L2224/82

Abstract: 本发明提供了一种互连结构及其形成方法。其中，一种半导体器件包括接合在第二芯片上的第一芯片。第一芯片包括第一衬底和在第一IMD层中形成的第一互连部件。第二芯片包括第二衬底和在第二IMD层中形成的第二互连部件。该器件还包括：第一导电插塞，其形成在第一衬底和第一IMD层内，其中，第一导电插塞连接至第一互连部件；以及第二导电插塞，第二导电插塞穿过第一衬底和第一IMD层并部分地穿过第二IMD层而形成，其中，第二导电插塞连接至第二互连部件。

公开(公告)号：CN104051414A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201310241836.6

申请日：2013-06-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡纾婷 ,  杨敦年 ,  王铨中 ,  刘人诚 ,  洪丰基 ,  许慈轩 ,  陈愉婷 ,  林政贤 ,  蔡双吉

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明涉及互连结构和方法，提供了一种半导体器件包括第一半导体芯片和第二半导体芯片，其中，第一半导体芯片包括第一衬底和形成在第一衬底上方的多个第一金属线；第二半导体芯片接合在第一半导体芯片上，其中，第二半导体芯片包括第二衬底和形成在第二衬底上方的多个第二金属线。半导体器件进一步包括连接在第一金属线和第二金属线之间的导电塞，其中，导电塞包括形成在硬掩膜层的第一侧面上方的第一部分和形成在硬掩膜层的第二侧面上方的第二部分，其中，第一部分具有第一宽度；第二部分具有第二宽度，且第二宽度大于或等于第一宽度。

公开(公告)号：CN102222674B

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN201010279058.6

申请日：2010-09-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 施宇豪 ,  陈思莹 ,  陈信龙 ,  刘人诚 ,  杨敦年 ,  简荣亮

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L27/14685 ,  H01L27/14629 ,  H01L27/1464 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明描述了反射屏的结构以及制造这种结构的方法，其能够反射没有被图像传感器器件中的光电二极管吸收的光并增加光电二极管的量子效率。这种结构可以应用或使用于任何图像传感器以提高图像质量。这种结构对于具有更小像素尺寸的图像传感器以及对于其吸收长度或深度可以不充分的长波长光或光线来说特别有用，尤其是对于背面照度BSI器件。反射屏可以使穿过图像传感器并反射回到光电二极管的光的吸收深度加倍或者比两倍还多。凹形反射屏具有引导反射光朝向图像传感器的附加优点。

公开(公告)号：CN103715129A

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：CN201310036529.4

申请日：2013-01-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 高敏峰 ,  杨敦年 ,  刘人诚 ,  许慈轩 ,  王文德 ,  许文义

IPC: H01L21/76 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L27/1463 ,  H01L21/2652 ,  H01L21/28017 ,  H01L21/761 ,  H01L21/76237 ,  H01L29/66575

Abstract: 本发明公开了一种器件，包括半导体衬底和从半导体衬底的顶面延伸至半导体衬底内且围绕有源区的注入隔离区。栅极介电层沉积在半导体衬底的有源区上方，其中所述栅极介电层在注入隔离区上方延伸。栅电极沉积在栅极介电层上方并且端盖介电层在注入隔离区上方的栅极介电层和栅电极之间。本发明还公开了注入隔离器件及其形成方法。

公开(公告)号：CN103545324A

公开(公告)日：2014-01-29

申请号：CN201210414021.9

申请日：2012-10-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈思莹 ,  王子睿 ,  杨敦年 ,  刘人诚

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14636 ,  H01L24/06 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/1464 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06131 ,  H01L2924/12043

Abstract: 公开了封装背照式(BSI)图像传感器或BSI图像传感器和专用集成电路(ASIC)的方法和装置。接合焊盘阵列可以形成在BSI传感器的接合焊盘区中，其中接合焊盘阵列包括电互连的多个接合焊盘，其中接合焊盘阵列的每个接合焊盘具有小尺寸，这可减小大接合焊盘的碟盘效应。接合焊盘阵列的多个接合焊盘可以在焊盘的同一层或不同金属层互连。BSI传感器可以以面对面的方式接合到ASIC，其中接合焊盘阵列对准并接合在一起。

公开(公告)号：CN103515401A

公开(公告)日：2014-01-15

申请号：CN201210553121.X

申请日：2012-12-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈思莹 ,  王子睿 ,  刘人诚 ,  杨敦年 ,  刘丙寅 ,  赵兰璘

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14634 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/1469

Abstract: 一种背照式图像传感器包括位于第一衬底中的光电二极管以及第一晶体管，其中第一晶体管电连接至光电二极管。背照式图像传感器进一步包括形成在第二衬底中的多个逻辑电路，其中第二衬底堆叠在第一衬底上并且逻辑电路通过多个接合焊盘连接至第一晶体管。本发明还提供了用于背照式图像传感器的装置和方法。

公开(公告)号：CN103426893A

公开(公告)日：2013-12-04

申请号：CN201310058918.7

申请日：2013-02-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡双吉 ,  杨敦年 ,  刘人诚 ,  林政贤 ,  洪丰基

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/1464 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14687

Abstract: 本发明涉及一种器件，该器件包括具有正面和背面的半导体衬底。多个图像传感器设置在该半导体衬底的正面上。多个清色滤色器设置在该半导体衬底的背面上。多个金属环围绕多个清色滤色器。本发明还提供了一种具有分离的滤色器的BSI图像传感器芯片及其形成方法。

公开(公告)号：CN102376724B

公开(公告)日：2013-11-20

申请号：CN201110218318.3

申请日：2011-08-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄志辉 ,  蔡正原 ,  杜友伦 ,  蔡嘉雄 ,  杨敦年 ,  刘人诚

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L27/1464 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14685

Abstract: 本发明提供了一种呈现改进的量子效率的图像传感器器件。例如，提供了一种背照式(BSI)图像传感器器件，包括：具有前表面和后表面的基板；设置在基板的前表面处的感光区；以及设置在基板的后表面上方的抗反射层。当在小于700nm的波长处进行测量时，抗反射层具有大于或等于约2.2的折射率以及小于或等于约0.05的消光系数。本发明还提供了用于背照式图像传感器的抗反射层及其制造方法。

公开(公告)号：CN103383947A

公开(公告)日：2013-11-06

申请号：CN201310022694.4

申请日：2013-01-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈思莹 ,  高敏峰 ,  刘人诚 ,  洪丰基 ,  杨敦年

IPC: H01L27/146

Abstract: 形成图像传感器器件的方法包括在衬底的像素区域中形成隔离阱。该隔离阱具有第一导电类型。在隔离阱的上方的衬底上形成有栅叠层。掩模层形成在隔离阱的上方并且覆盖栅叠层的至少大部分。使用栅叠层和掩模层作为掩模，将多种掺杂物注入像素区域中，以形成掺杂隔离部件。该多种掺杂物具有第一导电类型。在衬底中形成位于栅叠层的相对侧的源极区域和漏极区域。源极区域和漏极区域的第二导电类型与第一导电类型相反。本发明还提供了图像装置及其形成方法。