公开(公告)号：CN104979398A

公开(公告)日：2015-10-14

申请号：CN201410513016.2

申请日：2014-09-29

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： J·G·拉文 ,  H-J·舒尔策 ,  R·巴布斯克

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/0623 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41708 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/66325 ,  H01L29/6634 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/7396 ,  H01L29/7397

Abstract: 一种半导体器件包括绝缘栅极双极晶体管(IGBT)设置。IGBT设置包括侧向设置在单元区域与敏感区域之间的载流子限制减小区域。配置或形成IGBT设置以使得单元区域在IGBT设置的导通状态下具有自由电荷载流子的第一平均密度，载流子限制减小区域在IGBT设置的导通状态下具有自由电荷载流子的第二平均密度，以及敏感区域在IGBT设置的导通状态下具有自由电荷载流子的第三平均密度。自由电荷载流子的第一平均密度大于自由电荷载流子的第二平均密度，并且自由电荷载流子的第二平均密度大于自由电荷载流子的第三平均密度。

公开(公告)号：CN104282739A

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：CN201410331664.6

申请日：2014-07-11

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： J·康拉斯 ,  H-J·舒尔策

IPC: H01L29/73 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/732 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66272 ,  H01L29/66318 ,  H01L29/7322 ,  H01L29/737 ,  H01L29/73 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66234 ,  H01L29/6631 ,  H01L29/7308

Abstract: 本文涉及一种双极晶体管及其制造方法。双极晶体管包括半导体结构，该半导体结构包括发射极区、基极区和集电极区。发射极区电连接至双极晶体管的发射极接触。另外，发射极区具有第一导电类型。基极区电连接至双极晶体管的基极接触。此外，基极区至少主要地具有第二导电类型。集电极区电连接至双极晶体管的集电极接触并且至少主要地具有第一导电类型。另外，集电极区包括具有第二导电类型的多个封闭的子区，或者基极区包括具有第一导电类型的多个封闭的子区。

公开(公告)号：CN103972188A

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN201410073720.0

申请日：2014-01-29

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： J·马勒 ,  R·奥特伦巴 ,  G·鲁尔 ,  H-J·舒尔策

IPC: H01L23/373

CPC classification number: H01L27/0251 ,  H01L23/367 ,  H01L23/3738 ,  H01L23/427 ,  H01L23/4275 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/525 ,  H01L23/62 ,  H01L24/32 ,  H01L27/24 ,  H01L27/2436 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/435 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7801 ,  H01L29/7803 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/861 ,  H01L29/8611 ,  H01L45/128 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/00

Abstract: 具有冷却材料的功率半导体设备。半导体设备包括布线结构，该布线结构从至少一侧邻接半导体体身并且具有至少一个导电连接。半导体设备此外在布线结构中具有冷却材料，该冷却材料的特征是在150℃至400℃之间的温度Tc时在吸收能量的情况下发生结构变化。

公开(公告)号：CN119297156A

公开(公告)日：2025-01-10

申请号：CN202411380502.1

申请日：2019-03-22

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： H-J·舒尔策 ,  R·鲁普 ,  F·J·桑托斯罗德里格斯

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/683 ,  H10D62/832

Abstract: 在碳化硅中形成半导体器件。一种方法包括提供由碳化硅衬底(130)支撑的外延的碳化硅的第一层(101)；以及在第一层(101)上提供外延的碳化硅的第二层(102)；以及在第二层(102)中形成多个半导体器件(105,105‑1,105‑2,105‑3)；以及在第一层(101)处将衬底(130)与第二层(102)分离。第一层(101)包括多个孔隙。

公开(公告)号：CN110246823B

公开(公告)日：2023-06-06

申请号：CN201910175642.8

申请日：2019-03-08

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： A·毛德 ,  H-J·舒尔策

IPC: H01L23/49 ,  H01L23/485 ,  H01L23/482 ,  H01L29/739

Abstract: 半导体器件(500)包含结合垫(300)，结合垫(300)包含具有基底层(317)的基底部分(310)。结合导线或夹子(410)结合到结合垫(300)的主表面(301)的结合区域(305)。补充结构(350)与邻接结合区域(305)的基底部分(310)直接接触。补充结构(350)的比热容高于基底层(317)的比热容。

公开(公告)号：CN107403830B

公开(公告)日：2021-07-09

申请号：CN201710297324.X

申请日：2017-04-28

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： P·C·布兰特 ,  T·奥尔 ,  M·普法芬莱纳 ,  F·D·普菲尔施 ,  F·J·桑托斯罗德里奎兹 ,  H-J·舒尔策 ,  A·R·斯特格纳

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/36 ,  H01L29/739 ,  H01L29/74

Abstract: 公开了半导体器件及其制造。半导体器件包括半导体本体，半导体本体包括：第一侧、在平行于第一侧的方向上界定半导体本体的边缘、有源区域、布置在有源区域和边缘之间的外围区域、从有源区域延伸到外围区域中的第一传导类型的第一半导体区域、与第一半导体区域形成pn结的第二传导类型的第二半导体区域、与第一半导体区域相邻并且布置在第一侧处并且在第二半导体区域与边缘之间的第二传导类型的第一边缘终止区域、以及布置在第一侧处并且在第一边缘终止区域和边缘之间的第一传导类型的第二边缘终止区域。第二边缘终止区域具有第一传导类型的变化的掺杂剂浓度，其至少在紧接第一边缘终止区域随着距第一边缘终止区域的距离的增加而实质上线性地增加。

公开(公告)号：CN113013025A

公开(公告)日：2021-06-22

申请号：CN202011500142.6

申请日：2020-12-18

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： M·耶利内克 ,  M·黑尔 ,  C·利恩德茨 ,  K·L·姆莱奇尼希 ,  H-J·舒尔策

IPC: H01L21/265 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/16

Abstract: 离子束注入方法和半导体器件。在示例中，衬底被定向到目标轴，其中目标轴与衬底中的预选晶体沟道方向之间的残余角失准在角容差区间内。使用沿离子束轴传播的离子束将掺杂剂离子注入到衬底中。掺杂剂离子以离子束轴和目标轴之间的注入角度注入。注入角度在注入角度范围内。沟道接受宽度对于预选晶体沟道方向是有效的。注入角度范围大于沟道接受宽度和两倍的角容差区间之和的80%。注入角度范围小于沟道接受宽度和两倍的角容差区间之和的500%。

公开(公告)号：CN105789109B

公开(公告)日：2019-11-29

申请号：CN201610016720.6

申请日：2016-01-11

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： H-J·舒尔策 ,  I·莫德 ,  I·穆里

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/335 ,  H01L21/331 ,  H01L29/78 ,  H01L29/739

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置的制造方法。根据半导体装置的制造方法，从第一侧将第一沟槽形成到半导体本体中。通过将半导体本体浸入电解液中并且在半导体本体与接触电解液的电极之间施加阳极氧化电压而在第一沟槽的底侧形成阳极氧化物结构。

公开(公告)号：CN110391190A

公开(公告)日：2019-10-29

申请号：CN201910307781.1

申请日：2019-04-17

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： A·毛德 ,  O·黑尔蒙德 ,  P·伊尔西格勒 ,  H·梅尔兹纳 ,  S·米特哈纳 ,  S·施密特 ,  H-J·舒尔策

IPC: H01L23/29

Abstract: 公开了一种模制化合物和一种具有模制化合物的半导体装置。模制化合物包括：基质；以及包括填充物颗粒的填充物。填充物颗粒均包括内核和电绝缘封盖，所述内核包括导电或者半导电材料。

公开(公告)号：CN105405867B

公开(公告)日：2019-07-30

申请号：CN201510564038.6

申请日：2015-09-07

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： J·G·拉文 ,  M·戴内塞 ,  H-J·舒尔策

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/76 ,  H01L21/764

CPC classification number: H01L27/1203 ,  H01L21/02233 ,  H01L21/02647 ,  H01L21/0265 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/324 ,  H01L21/3247 ,  H01L21/743 ,  H01L21/76232 ,  H01L21/76248 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/5286 ,  H01L23/562 ,  H01L27/0922 ,  H01L28/40 ,  H01L29/0649

Abstract: 本公开涉及形成具有隐埋腔和介电支持结构的半导体衬底的方法。具体地，公开了一种用于形成半导体器件的方法，包括形成从半导体衬底的第一表面延伸到半导体衬底中的多个沟槽。每一个沟槽都包括与宽部开放连通的窄部，宽部通过窄部与第一表面隔开。相邻沟槽的窄部通过半导体衬底的第一区域横向隔开。相邻沟槽的宽部通过半导体衬底的第二区域横向隔开，第二区域窄于第一区域。该方法还包括通过沟槽的窄部向沟槽的宽部引入氧化剂以氧化相邻沟槽之间的半导体衬底的第二区域，从而形成支持半导体衬底的第一区域的介电支持结构。