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公开(公告)号：CN112397574A
公开(公告)日：2021-02-23
申请号：CN202010817408.3
申请日：2020-08-14
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L29/16 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/06 , H01L29/78
Abstract: 具有沟槽栅极的碳化硅器件。一种碳化硅器件（500）包括从第一表面（101）延伸到碳化硅本体（100）中的条形沟槽栅极结构（150）。栅极结构（150）具有沿着横向第一方向（291）的栅极长度（L0）。栅极结构（150）的底表面（158）和有源第一栅极侧壁（151）经由栅极结构（150）的第一底部边缘（156）连接。碳化硅器件（500）还包括第一导电类型的至少一个源极区（110）。第二导电类型的屏蔽区（160）跨栅极长度的至少20%与栅极结构（150）的第一底部边缘（156）接触。
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公开(公告)号：CN114078973A
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202110960045.3
申请日：2021-08-20
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 具有集成的肖特基二极管的功率晶体管。根据半导体器件的实施例，器件包括：形成在半导体衬底中的多个器件单元，每个器件单元包括晶体管结构和肖特基二极管结构；以及超结结构，包括形成在半导体衬底中的第一导电类型和第二导电类型的交替区。对于每个晶体管结构，晶体管结构的沟道区和肖特基二极管结构中的相邻一个的肖特基金属区通过第一导电类型的半导体材料互连，而不被超结结构的第二导电类型的区中的任何区中断，第一导电类型的半导体材料包括超结结构的第一导电类型的区中的一个或多个。
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公开(公告)号：CN112635562A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202011015433.6
申请日：2020-09-24
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/16 , H01L29/06 , H01L21/266
Abstract: 提出了一种半导体器件(100)。半导体器件(100)包括碳化硅半导体本体(102)。第一导电类型的第一屏蔽区(104)电连接到碳化硅半导体本体(102)的第一表面(108)处的第一接触(106)。第二导电类型的电流扩散区(110)电连接到碳化硅半导体本体(102)的第二表面(114)处的第二接触(112)。第一屏蔽区(104)和电流扩散区(110)形成pn结(116)。电流扩散区(110)的掺杂浓度分布包括沿着垂直于第一表面(108)的竖向方向(y)的多个峰。多个掺杂峰(P1、P2、P3、P4)中的一个峰或一个峰组(P1)的掺杂浓度比电流扩散区(110)的多个峰中的任何其它峰(P2、P3、P4)的掺杂浓度大至少50%。电流扩散区(110)的一个峰或一个峰组(P1)与第一表面(108)之间的第一竖向距离(vd1)大于第一表面(108)与第一屏蔽区(104)的最大掺杂峰之间沿竖向方向(y)的第二竖向距离(vd2)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115566041A
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202210758197.X
申请日：2022-06-30
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/78 , H01L29/872
Abstract: 公开了用于形成超结器件的漂移区的方法和一种超结器件。一种形成包括半导体层的至少一个漂移区区段的方法，所述半导体层具有第一掺杂类型的第一区和第二掺杂类型的第二区，其中所述第一区和所述第二区是在所述半导体层的第一横向方向上交替布置的。形成所述至少一个漂移区区段包括：在所述半导体层的第一表面顶上形成注入掩模，其中所述注入掩模包括均在所述第一横向方向上具有第一宽度的第一开口；在第一注入工艺中，通过所述第一开口将所述第一掺杂类型的掺杂剂原子注入到所述第一表面中；增大所述第一开口的大小，以获得在横向方向上具有第二宽度的第二开口；在第二注入工艺中，通过所述第二开口将所述第二掺杂类型的掺杂剂原子注入到所述第一表面中；移除所述注入掩模；以及在移除所述注入掩模之后，在第三注入工艺中，将所述第一掺杂类型的掺杂剂原子注入到所述第一表面中。
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公开(公告)号：CN112701153A
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN202011051349.X
申请日：2020-09-29
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 公开了具有注入拖尾补偿区的碳化硅器件。一种半导体器件的SiC衬底，包括：第一导电类型的漂移区；具有与SiC衬底的第一表面邻接的沟道区的第二导电类型的本体区；与沟道区的第一端部邻接的第一导电类型的源极区；在本体区的与源极区相对的一侧处并且竖向地延伸到漂移区的第一导电类型的延伸区；在本体区下方并且具有朝向第一表面延伸并且与延伸区邻接的拖尾的第二导电类型的掩埋区；以及第一导电类型的补偿区，其沿着第一表面从延伸区突出到本体区中并且终止于沟道区的与第一端部相对的第二端部处。
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公开(公告)号：CN113013025A
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN202011500142.6
申请日：2020-12-18
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L21/265 , H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/16
Abstract: 离子束注入方法和半导体器件。在示例中，衬底被定向到目标轴，其中目标轴与衬底中的预选晶体沟道方向之间的残余角失准在角容差区间内。使用沿离子束轴传播的离子束将掺杂剂离子注入到衬底中。掺杂剂离子以离子束轴和目标轴之间的注入角度注入。注入角度在注入角度范围内。沟道接受宽度对于预选晶体沟道方向是有效的。注入角度范围大于沟道接受宽度和两倍的角容差区间之和的80%。注入角度范围小于沟道接受宽度和两倍的角容差区间之和的500%。
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公开(公告)号：CN112635562B
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202011015433.6
申请日：2020-09-24
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/16 , H01L29/06 , H01L21/266
Abstract: 提出了一种半导体器件(100)。半导体器件(100)包括碳化硅半导体本体(102)。第一导电类型的第一屏蔽区(104)电连接到碳化硅半导体本体(102)的第一表面(108)处的第一接触(106)。第二导电类型的电流扩散区(110)电连接到碳化硅半导体本体(102)的第二表面(114)处的第二接触(112)。第一屏蔽区(104)和电流扩散区(110)形成pn结(116)。电流扩散区(110)的掺杂浓度分布包括沿着垂直于第一表面(108)的竖向方向(y)的多个峰。多个掺杂峰(P1、P2、P3、P4)中的一个峰或一个峰组(P1)的掺杂浓度比电流扩散区(110)的多个峰中的任何其它峰(P2、P3、P4)的掺杂浓度大至少50%。电流扩散区(110)的一个峰或一个峰组(P1)与第一表面(108)之间的第一竖向距离(vd1)大于第一表面(108)与第一屏蔽区(104)的最大掺杂峰之间沿竖向方向(y)的第二竖向距离(vd2)。
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公开(公告)号：CN112701153B
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202011051349.X
申请日：2020-09-29
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 公开了具有注入拖尾补偿区的碳化硅器件。一种半导体器件的SiC衬底，包括：第一导电类型的漂移区；具有与SiC衬底的第一表面邻接的沟道区的第二导电类型的本体区；与沟道区的第一端部邻接的第一导电类型的源极区；在本体区的与源极区相对的一侧处并且竖向地延伸到漂移区的第一导电类型的延伸区；在本体区下方并且具有朝向第一表面延伸并且与延伸区邻接的拖尾的第二导电类型的掩埋区；以及第一导电类型的补偿区，其沿着第一表面从延伸区突出到本体区中并且终止于沟道区的与第一端部相对的第二端部处。
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