公开(公告)号：CN112397574A

公开(公告)日：2021-02-23

申请号：CN202010817408.3

申请日：2020-08-14

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： C·莱恩德茨 ,  T·巴斯勒 ,  P·埃林豪斯 ,  R·埃佩尔特 ,  M·黑尔 ,  J·P·孔拉特 ,  S·牛 ,  D·彼得斯 ,  K·施拉姆尔 ,  B·齐佩留斯

IPC: H01L29/16 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: 具有沟槽栅极的碳化硅器件。一种碳化硅器件（500）包括从第一表面（101）延伸到碳化硅本体（100）中的条形沟槽栅极结构（150）。栅极结构（150）具有沿着横向第一方向（291）的栅极长度（L0）。栅极结构（150）的底表面（158）和有源第一栅极侧壁（151）经由栅极结构（150）的第一底部边缘（156）连接。碳化硅器件（500）还包括第一导电类型的至少一个源极区（110）。第二导电类型的屏蔽区（160）跨栅极长度的至少20%与栅极结构（150）的第一底部边缘（156）接触。

公开(公告)号：CN112864126A

公开(公告)日：2021-05-28

申请号：CN202011354490.7

申请日：2020-11-27

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： T·巴斯勒 ,  A·许尔纳 ,  C·莱恩德茨 ,  D·彼得斯

IPC: H01L23/525

Abstract: 公开了半导体器件中的失效结构。提供了一种半导体器件。在实施例中，半导体器件包括控制区、第一电力区、第二电力区、隔离区和/或短路结构。控制区包括控制端子。第一电力区包括第一电力端子。第二电力区包括第二电力端子。隔离区在控制区和第一电力区之间。短路结构从第一电力区延伸通过隔离区到达控制区。短路结构被配置为在半导体器件的失效状态期间在控制区和第一电力区之间形成低电阻连接。

公开(公告)号：CN113327981A

公开(公告)日：2021-08-31

申请号：CN202110215083.6

申请日：2021-02-26

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： T·巴斯勒 ,  H-G·埃克尔 ,  J·富尔曼 ,  D·皮特斯 ,  F·斯托默

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/16

Abstract: 公开了具有绝缘栅晶体管单元和整流结的半导体器件。一种半导体器件(500)包括绝缘栅晶体管单元(TC)、漏极区/漂移区(130)、阴极区(410)、阳极区/分离区(420)和源极电极(310)。绝缘栅晶体管单元(TC)包括源极区(110)和栅极电极(155)。源极区(110)被形成在碳化硅本体(100)中。阴极区(410)被形成在碳化硅本体(100)中。栅极电极(155)和阴极区(410)电连接。阴极区(410)、源极区(110)和漏极区/漂移区(130)具有第一导电类型。阳极区/分离区(420)具有第二导电类型并且被形成在阴极区(410)和漏极区/漂移区(130)之间。源极电极(310)和源极区(110)电连接。源极电极(310)和阳极区/分离区(420)彼此接触。整流结(490)被电耦合在源极电极(310)和阴极区(410)之间。

公开(公告)号：CN112349670A

公开(公告)日：2021-02-09

申请号：CN202010771135.3

申请日：2020-08-04

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： E·菲尔古特 ,  T·巴斯勒 ,  R·拜尔雷尔 ,  I·尼基廷

IPC: H01L23/495 ,  H01L23/492 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56

Abstract: 一种电子装置包括：电绝缘材料；布置在电绝缘材料的第一表面上的第一负载电极；以及布置在电绝缘材料的与第一表面相反的第二表面上的第二负载电极，其中，负载电极由电绝缘材料沿着负载电极具有相反区段所对应的整个长度间隔开，其中，负载电极的背离电绝缘材料的表面未被电绝缘材料覆盖。

公开(公告)号：CN113327981B

公开(公告)日：2023-10-31

申请号：CN202110215083.6

申请日：2021-02-26

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： T·巴斯勒 ,  H-G·埃克尔 ,  J·富尔曼 ,  D·皮特斯 ,  F·斯托默

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/16

Abstract: 公开了具有绝缘栅晶体管单元和整流结的半导体器件。一种半导体器件(500)包括绝缘栅晶体管单元(TC)、漏极区/漂移区(130)、阴极区(410)、阳极区/分离区(420)和源极电极(310)。绝缘栅晶体管单元(TC)包括源极区(110)和栅极电极(155)。源极区(110)被形成在碳化硅本体(100)中。阴极区(410)被形成在碳化硅本体(100)中。栅极电极(155)和阴极区(410)电连接。阴极区(410)、源极区(110)和漏极区/漂移区(130)具有第一导电类型。阳极区/分离区(420)具有第二导电类型并且被形成在阴极区(410)和漏极区/漂移区(130)之间。源极电极(310)和源极区(110)电连接。源极电极(310)和阳极区/分离区(420)彼此接触。整流结(490)被电耦合在源极电极(310)和阴极区(410)之间。