公开(公告)号：CN119653828A

公开(公告)日：2025-03-18

申请号：CN202411270322.8

申请日：2024-09-11

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： A·许尔纳 ,  M·赫尔 ,  T·艾兴格

IPC: H10D30/66 ,  H10D64/68 ,  H10D62/832 ,  H10D30/01

Abstract: 公开了包括SiC半导体主体的功率半导体器件。提出了一种功率半导体器件(100)。功率半导体器件(100)包括碳化硅SiC半导体主体(102)，其具有第一表面(1031)和与第一表面(1031)相对的第二表面(1032)。SiC半导体主体(102)包括晶体管单元区域(104)，晶体管单元区域(104)包括晶体管单元(1041)。每个晶体管单元(1041)包括栅极结构(106)，栅极结构(106)包括栅极电介质结构(108)和在栅极电介质结构(108)上的栅极电极结构(110)。栅极电介质结构(108)包括与SiC半导体主体(102)邻接的第一栅极电介质层(1081)。栅极电介质结构(108)进一步包括第二栅极电介质层(1082)。栅极电介质结构(108)进一步包括被布置在第一栅极电介质层(1081)和第二栅极电介质层(1082)之间的电荷存储层(1085)。

公开(公告)号：CN119947185A

公开(公告)日：2025-05-06

申请号：CN202411564501.2

申请日：2024-11-05

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： T·艾兴格 ,  D·彼得斯 ,  M·赫尔 ,  A·许尔纳

IPC: H10D30/66

Abstract: 本公开涉及包括传感器电极的垂直功率半导体装置，其包括：碳化硅SiC半导体主体，具有第一表面和与第一表面相对的第二表面。SiC半导体主体包括：晶体管基元区域，包括栅极结构；栅极焊盘区域；和互连区域，经栅极互连按照电气方式耦合栅极结构的栅极电极和栅极焊盘区域的栅极焊盘。垂直功率半导体装置还包括传感器电极。垂直功率半导体装置还包括：第一夹层电介质，包括针对传感器电极的第一界面和针对栅极电极或栅极互连中的至少一个的第二界面。在第一界面的导带偏移处于从1eV到2.5eV的范围中。垂直功率半导体装置还包括针对栅极电极或栅极互连中的至少一个的第二界面。第二夹层电介质沿侧向与第一夹层电介质邻接。

公开(公告)号：CN119603998A

公开(公告)日：2025-03-11

申请号：CN202411248945.5

申请日：2024-09-06

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： T·艾兴格 ,  D·彼得斯 ,  M·赫尔 ,  A·许尔纳

IPC: H10D30/63 ,  H10D12/00 ,  H10D62/10 ,  H10D62/83 ,  H10D64/20 ,  H10D64/00

Abstract: 本公开涉及包括SiC半导体主体的垂直功率半导体装置。提出一种功率半导体装置。垂直功率半导体装置包括：碳化硅SiC半导体主体，具有第一表面和与第一表面相对的第二表面。SiC半导体主体包括：晶体管基元区域，包括栅极结构；栅极焊盘区域；和互连区域，经栅极互连按照电气方式耦合栅极结构的栅电极和栅极焊盘区域的栅极焊盘。垂直功率半导体装置还包括源电极或发射极电极。垂直功率半导体装置还包括：第一夹层电介质，包括针对源电极或发射极电极的第一界面和针对栅电极或者栅极互连或者栅极焊盘中的至少一个的第二界面，并且其中在第一界面的导带偏移处于从1eV到2.5eV的范围中。

公开(公告)号：CN112864126A

公开(公告)日：2021-05-28

申请号：CN202011354490.7

申请日：2020-11-27

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： T·巴斯勒 ,  A·许尔纳 ,  C·莱恩德茨 ,  D·彼得斯

IPC: H01L23/525

Abstract: 公开了半导体器件中的失效结构。提供了一种半导体器件。在实施例中，半导体器件包括控制区、第一电力区、第二电力区、隔离区和/或短路结构。控制区包括控制端子。第一电力区包括第一电力端子。第二电力区包括第二电力端子。隔离区在控制区和第一电力区之间。短路结构从第一电力区延伸通过隔离区到达控制区。短路结构被配置为在半导体器件的失效状态期间在控制区和第一电力区之间形成低电阻连接。