公开(公告)号：CN112397574A

公开(公告)日：2021-02-23

申请号：CN202010817408.3

申请日：2020-08-14

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： C·莱恩德茨 ,  T·巴斯勒 ,  P·埃林豪斯 ,  R·埃佩尔特 ,  M·黑尔 ,  J·P·孔拉特 ,  S·牛 ,  D·彼得斯 ,  K·施拉姆尔 ,  B·齐佩留斯

IPC: H01L29/16 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: 具有沟槽栅极的碳化硅器件。一种碳化硅器件（500）包括从第一表面（101）延伸到碳化硅本体（100）中的条形沟槽栅极结构（150）。栅极结构（150）具有沿着横向第一方向（291）的栅极长度（L0）。栅极结构（150）的底表面（158）和有源第一栅极侧壁（151）经由栅极结构（150）的第一底部边缘（156）连接。碳化硅器件（500）还包括第一导电类型的至少一个源极区（110）。第二导电类型的屏蔽区（160）跨栅极长度的至少20%与栅极结构（150）的第一底部边缘（156）接触。