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公开(公告)号：CN107078036A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580058667.X
申请日：2015-11-05
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/285 , H01L21/768 , C23C16/04 , C23C16/06 , H01L23/532
CPC classification number: H01L21/76879 , C23C16/04 , C23C16/06 , H01L21/02068 , H01L21/28562 , H01L21/3105 , H01L21/76814 , H01L21/76826 , H01L21/76834 , H01L21/76849 , H01L21/76883 , H01L23/53209 , H01L23/53238 , H01L23/53266 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 在此提供用以选择性地沉积钴层的方法。在一些实施方式中，一种用以选择性地沉积钴层的方法包括以下步骤：暴露基板于第一工艺气体以钝化暴露的电介质表面，其中该基板包含电介质层与金属层，该电介质层具有暴露的电介质表面，该金属层具有暴露的金属表面；以及使用热沉积工艺来选择性地沉积钴层于该暴露的金属表面上。
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公开(公告)号：CN102959710A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201180029706.5
申请日：2011-05-27
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/31
CPC classification number: H01L21/28079 , H01L21/28088 , H01L21/32051 , H01L29/49
Abstract: 本发明提供金属栅极结构及其形成方法。在某些实施例中，基材具有形成在高介电常数介电层中的特征结构，而在基材上形成金属栅极结构的方法可包括下列步骤：在特征结构内，在介电层顶上沉积第一层；在特征结构内，在第一层顶上沉积第二层，第二层包含钴或镍；以及在特征结构内，在第二层顶上沉积第三层以填充特征结构，第三层包含金属，其中第一层及第二层中的至少一层形成湿润层，以形成供后续沉积层所用的成核层，其中第一层、第二层及第三层中的一层形成功函数层，且其中第三层形成栅极电极。
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公开(公告)号：CN115003854B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202180009200.1
申请日：2021-04-13
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/18 , C23C16/04 , C23C16/505 , C23C16/455 , C23C16/34 , H01L21/768
Abstract: 披露一种用于在表面上选择性地沉积的方法。本公开内容的一些实施方式利用实质上不含卤素且实质上不含氧的有机金属前驱物。执行沉积以相对于金属表面在非金属表面上选择性地沉积金属膜。本公开内容的一些实施方式涉及间隙填充的方法。
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公开(公告)号：CN108538715B
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN201810259666.7
申请日：2013-08-20
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/205 , H01L21/20
Abstract: 在此揭示一种在催化体CVD沉积期间选择性控制催化材料的沉积速率的方法。所述方法可包括以下步骤：将基板定位在处理腔室中，所述基板包括表面区域和间隙区域二者；将包含钨的第一成核层保形地沉积于所述基板的暴露表面上；用活化氮处理所述第一成核层的至少一部分，其中所述活化氮优先沉积于所述表面区域上；使包含钨卤化物的第一沉积气体与含氢气体反应，以优先沉积钨填充层于所述基板的间隙区域中；使包含钨卤化物的成核气体反应，以形成第二成核层；以及使包含钨卤化物的第二沉积气体与含氢气体反应，以沉积钨场层。
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公开(公告)号：CN113795609A
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN202080033013.2
申请日：2020-05-05
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/04 , C23C16/455 , C23C16/34 , H01L21/768
Abstract: 揭示了用于在非金属表面上进行选择性沉积的方法。本揭示内容的一些实施方式利用不饱和烃在金属表面上形成阻止层。进行沉积以选择性地沉积于未受阻止的非金属表面上。本揭示内容的一些实施方式涉及形成具减小的电阻的金属过孔的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107078036B
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201580058667.X
申请日：2015-11-05
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/285 , H01L21/768 , C23C16/04 , C23C16/06 , H01L23/532
Abstract: 在此提供用以选择性地沉积钴层的方法。在一些实施方式中，一种用以选择性地沉积钴层的方法包括以下步骤：暴露基板于第一工艺气体以钝化暴露的电介质表面，其中该基板包含电介质层与金属层，该电介质层具有暴露的电介质表面，该金属层具有暴露的金属表面；以及使用热沉积工艺来选择性地沉积钴层于该暴露的金属表面上。
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公开(公告)号：CN110066984A
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201910069988.X
申请日：2014-09-10
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 布尚·N·左普 , 阿夫耶里诺斯·V·杰拉托斯 , 博·郑 , 雷雨 , 傅新宇 , 斯里尼瓦斯·甘迪科塔 , 柳尚澔 , 马修·亚伯拉罕
IPC: C23C16/18 , H01L21/285 , H01L21/768 , H01L23/532
Abstract: 本文提供用于在半导体装置的特征结构界定中沉积金属层的方法。在一个实施方式中，提供用于沉积金属层以形成半导体装置的方法。所述方法包括执行循环金属沉积工艺以在基板上沉积金属层和将设置在基板上的金属层退火。循环金属沉积工艺包括将基板暴露于沉积前驱物气体混合物以在基板上沉积金属层的一部分；将金属层的所述部分暴露于等离子体处理工艺或氢退火工艺；和重复将基板暴露于沉积前驱物气体混合物的步骤和将金属层的所述部分暴露于等离子体处理工艺或氢退火工艺的步骤，直至达到金属层的预定厚度。
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公开(公告)号：CN104813444B
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201380053240.1
申请日：2013-08-20
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/205 , H01L21/20
CPC classification number: C23C16/452 , C23C16/08 , C23C16/50
Abstract: 在此揭示一种在催化体CVD沉积期间选择性控制催化材料的沉积速率的方法。所述方法可包括以下步骤：将基板定位在处理腔室中，所述基板包括表面区域和间隙区域二者；将包含钨的第一成核层保形地沉积于所述基板的暴露表面上；用活化氮处理所述第一成核层的至少一部分，其中所述活化氮优先沉积于所述表面区域上；使包含钨卤化物的第一沉积气体与含氢气体反应，以优先沉积钨填充层于所述基板的间隙区域中；使包含钨卤化物的成核气体反应，以形成第二成核层；以及使包含钨卤化物的第二沉积气体与含氢气体反应，以沉积钨场层。
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公开(公告)号：CN102959710B
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201180029706.5
申请日：2011-05-27
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/31
CPC classification number: H01L21/28079 , H01L21/28088 , H01L21/32051 , H01L29/49
Abstract: 本发明提供金属栅极结构及其形成方法。在某些实施例中，基材具有形成在高介电常数介电层中的特征结构，而在基材上形成金属栅极结构的方法可包括下列步骤：在特征结构内，在介电层顶上沉积第一层；在特征结构内，在第一层顶上沉积第二层，第二层包含钴或镍；以及在特征结构内，在第二层顶上沉积第三层以填充特征结构，第三层包含金属，其中第一层及第二层中的至少一层形成湿润层，以形成供后续沉积层所用的成核层，其中第一层、第二层及第三层中的一层形成功函数层，且其中第三层形成栅极电极。
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公开(公告)号：CN106133878A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201580018220.X
申请日：2015-03-13
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/28
Abstract: 本发明提供用于线路中段(MOL)应用的形成金属有机钨的方法。一些实施方式中，一种处理基板的方法包括下述步骤：提供基板至处理腔室，其中所述基板包括一特征，所述特征形成于所述基板的介电层的第一表面中；将所述基板暴露于等离子体，以在所述介电层顶上与所述特征内形成钨阻挡层，所述等离子体由包括金属有机钨前驱物的第一气体形成，其中形成所述钨阻挡层期间的所述处理腔室的温度低于约225摄氏度；以及于所述钨阻挡层上沉积钨填充层，以填充所述特征至所述第一表面。
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