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公开(公告)号：CN104081531B
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：CN201380007248.4
申请日：2013-02-26
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 雷雨 , 斯里尼瓦斯·甘迪科塔 , 傅新宇 , 唐薇 , 阿蒂夫·努里
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 提供采用掺杂Si、Al、Ga、Ge、In及/或Hf的TiN及/或TaN膜的装置和方法。此类膜可用作高k介电帽层、PMOS功函数层、铝阻挡层和/或氟阻挡物。这些TiSiN、TaSiN、TiAlN、TaAlN、TiGaN、TaGaN、TiGeN、TaGeN、TiInN、TaInN、TiHfN或TaHfN膜可用于传统上使用TiN及/或TaN膜处，或者所述膜可结合TiN及/或TaN使用。
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公开(公告)号：CN102439697B
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201080022533.X
申请日：2010-04-02
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 阿道夫·米勒·艾伦 , 拉拉·哈夫雷查克 , 谢志刚 , 穆罕默德·M·拉希德 , 汪荣军 , 唐先民 , 刘振东 , 龚则敬 , 斯里尼瓦斯·甘迪科塔 , 张梅 , 迈克尔·S·考克斯 , 唐尼·扬 , 基兰库马·文德亚 , 葛振宾
IPC: H01L21/203 , C23C14/34
CPC classification number: C23C14/564 , C23C14/345 , C23C14/3492 , C23C14/35 , C23C14/548 , H01J37/32642 , H01J37/3405 , H01J37/3408 , H01J37/3441 , H01J37/3455
Abstract: 本发明的实施例大体上提出用来进行物理气相沉积(PVD)工艺的处理腔室和沉积多组分薄膜的方法。处理腔室可包括：改良式RF进料构造，以减少任何驻波效应；改良式磁控管设计，用以加强RF等离子体均匀性、沉积膜组分和厚度均匀性；改良式基板偏压构造，用以改善工艺控制；以及改良式工艺套件设计，以改善基板临界表面附近的RF场均匀性。所述方法包括利用耦接多组分靶材的RF供应器，在腔室的处理区中形成等离子体、相对多组分靶材平移电磁管磁控管，其中当磁控管平移且形成等离子体时，磁控管相对多组分靶材的中心点位于第一位置，以及在腔室中的基板上沉积多组分薄膜。
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公开(公告)号：CN104254914A
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN201380021611.8
申请日：2013-04-19
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/8238 , H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/66477 , H01L21/28088 , H01L21/3221 , H01L21/823821 , H01L21/823842 , H01L29/4966 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供制造适用于鳍式场效应晶体管结构的金属栅极的方法。在此所述的方法通常包括在半导体基板上形成高k介电材料；在该高k介电材料之上沉积高k介电帽层；沉积PMOS功函数层，其具有正功函数值；沉积NMOS功函数层；在该NMOS功函数层之上沉积NMOS功函数帽层；除去至少一部分的PMOS功函数层或至少一部分的NMOS功函数层；和沉积填充层。沉积高k介电帽层、沉积PMOS功函数层或沉积NMOS功函数帽层可包括氮化钛、氮化钛硅、或氮化钛铝的原子层沉积。可先沉积PMOS或NMOS中的任一者。
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公开(公告)号：CN103946957A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201280054152.9
申请日：2012-11-07
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/205 , C23C16/22
CPC classification number: C23C16/455 , C23C16/06 , C23C16/45525 , H01L21/28562 , H01L21/76841
Abstract: 本发明提供沉积纯金属和铝合金金属薄膜的方法。某些方法包括使基板表面与第一前驱物和第二前驱物接触，该第一前驱物包含铝前驱物，该铝前驱物选自二甲基铝氢化物、配位于胺的铝烷和具有由式(I)或(II)表示的结构的化合物，其中R为C1-C6烷基，而该第二前驱物包含金属卤化物。其他的方法涉及使基板按顺序地曝露于第一前驱物和第二前驱物，该第一前驱物包含如上所述的铝前驱物，而该第二前驱物包含Ti(NR'2)4或Ta(NR'2)5，其中R'为烷基、烯基、炔基、酮基或醛基。
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公开(公告)号：CN102918636A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201180026521.9
申请日：2011-04-25
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/31 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/28008 , C23C16/06 , C23C16/32 , C23C16/42 , C23C16/45542 , H01L21/28079 , H01L21/28088 , H01L21/28097 , H01L21/28562 , H01L21/76843 , H01L21/76871 , H01L21/823814 , H01L21/823842 , H01L29/495 , H01L29/4966
Abstract: 本发明的实施例大致提供沉积含金属材料和其组成物的方法。方法包括沉积工艺，其利用气相沉积工艺形成金属、金属碳化物、金属硅化物、金属氮化物和金属碳化物衍生物，包括热分解、化学气相沉积（CVD）、脉冲式CVD或原子层沉积（ALD）。在一实施例中，提供处理基板的方法，该方法包括沉积介电常数大于10的介电材料、于介电材料内形成特征结构定界、共形沉积功函数材料至特征结构定界的侧壁和底部上、以及沉积金属栅极填充材料至功函数材料上，以填充特征结构定界，其中功函数材料通过使化学式为MXy的至少一金属卤化物前驱物反应而沉积，其中M为钽、铪、钛和镧，X为选自由氟、氯、溴或碘所组成的组的卤化物，y为3至5。
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公开(公告)号：CN112877675B
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202110047033.1
申请日：2016-04-19
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 穆罕默德·M·拉希德 , 斯里尼瓦斯·甘迪科塔 , 马里奥·丹·桑切斯 , 简国强 , 杨义雄 , 迪帕克·贾达夫 , 阿什托西·阿咖瓦
IPC: C23C16/455 , C23C16/452
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公开(公告)号：CN114080681A
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202080038529.6
申请日：2020-05-19
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 杰奎琳·S·阮奇 , 杨逸雄 , 巫勇 , 薇·V·唐 , 斯里尼瓦斯·甘迪科塔 , 林永景 , 卡拉·M·伯纳尔·拉莫斯 , 陈世忠
IPC: H01L27/11524 , H01L27/11548 , H01L27/11556 , H01L21/67
Abstract: 讨论了形成存储器结构的方法。具体地，讨论了形成3D NAND器件的方法。一些实施方式形成具有金属氮化物阻挡层、α‑钨层和体金属材料的存储器结构。所述阻挡层包括TiXN或TaXN材料，其中X包括选自铝(Al)、硅(Si)、钨(W)、镧(La)、钇(Yt)、锶(Sr)或镁(Mg)中的一种或多种的金属。
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公开(公告)号：CN113924656A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202080040979.9
申请日：2020-05-19
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 林永景 , 卡拉·M·伯纳尔·拉莫斯 , 李路平 , 陈世忠 , 杰奎琳·S·阮奇 , 杨逸雄 , 史蒂文·C.H·洪 , 斯里尼瓦斯·甘迪科塔 , 吉田尚美 , 董琳
IPC: H01L29/423 , H01L29/78 , H01L21/28 , H01L21/336
Abstract: 描述了形成和处理半导体装置的方法。某些实施方式涉及包括偶极区的电子装置，偶极区具有层间电介质、高K介电材料、和偶极层。偶极层包括以下的一者或多者：氮化钛镧(TiLaN)、氮化钛钇(TiYN)、氮化钛锶(TiSrN)、氮化钛镁(TiMgN)、氮化钛铝(TiAlN)、氮化钛钽(TiTaN)、碳化铪(HfC)、氮化铪(HfN)、氮氧化铪(HfON)、碳氧化铪(HfOC)、碳化铪铝(HfCAl)、氮化铪铝(HfAlN)、或氮碳化铪(HfCN)。
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公开(公告)号：CN113463066A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202110343173.3
申请日：2021-03-30
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 公开了用于在不使用阻挡层的情况下沉积金属膜的原位方法。一些实施方式包括形成包括硅或硼中的一种或多种的非晶成核层并且在所述成核层上形成金属层。这些工艺在工艺之间没有空气隔断的情况下执行。
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