公开(公告)号：CN118116973A

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN202410178479.1

申请日：2024-02-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 石哲齐 ,  杨固峰 ,  林含谕 ,  温伟源 ,  廖思雅

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L23/367 ,  H01L23/48 ,  H01L23/528

Abstract: 一种半导体器件，包括器件层，所述器件层包括第一晶体管；在所述器件层的前侧上的第一互连结构；以及在器件层的背侧上的第二互连结构。第二互连结构包括电源导轨。该器件还包括接合到第一互连结构的载体衬底和接触载体衬底的第一散热层。本申请的实施例还提供了一种制造半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN114334638A

公开(公告)日：2022-04-12

申请号：CN202110269864.3

申请日：2021-03-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡承祐 ,  杨固峰 ,  邱文智

IPC: H01L21/288 ,  C25D7/12 ,  C25D5/00

Abstract: 提供一种对半导体工件进行处理的半导体设备及方法。用于对半导体工件进行预润的半导体设备包括：工艺腔室、设置在工艺腔室内以固持半导体工件的工件固持器、设置在工艺腔室外且容纳预润流体的预润流体槽、以及耦接到预润流体槽且延伸到工艺腔室中的导管。导管将预润流体经由导管的出口从预润流体槽递送出以润湿半导体工件的主表面，主表面包括多个凹陷部分。

公开(公告)号：CN113764334A

公开(公告)日：2021-12-07

申请号：CN202110463756.X

申请日：2021-04-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 钟明慈 ,  杨固峰 ,  吴仓聚 ,  邱文智 ,  余振华

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/528

Abstract: 方法包括在半导体衬底上方形成多个介电层，蚀刻多个介电层和半导体衬底以形成开口，沉积延伸到开口中的第一衬垫，在第一衬垫上方沉积第二衬垫。第二衬垫延伸到开口中。方法还包括将导电材料填充到开口中以形成通孔，以及在半导体衬底的相对侧上形成导电部件。导电部件通过通孔电互连。本申请的实施例还涉及半导体结构及其形成方法。

公开(公告)号：CN102651355B

公开(公告)日：2015-10-21

申请号：CN201210010816.3

申请日：2012-01-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘源鸿 ,  杨固峰 ,  郭佩菁 ,  钟明慈 ,  陈新瑜 ,  吴仓聚 ,  邱文智

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76898 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76879 ,  H01L23/481 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00

Abstract: 集成电路包括具有第一表面和第二表面的衬底。至少一个传导结构连续地延伸穿过衬底。至少一个传导结构的至少一个侧壁通过气隙与所述衬底的侧壁隔开。本发明还提供了包括穿过衬底的传导结构的集成电路及其制造方法。

公开(公告)号：CN102237338B

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201010262561.0

申请日：2010-08-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林俊成 ,  杨固峰

IPC: H01L23/528 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/481 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/5226 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10271 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/14 ,  H01L2224/05552

Abstract: 一种具有改进连接的基板通孔包括基板以及基板上方的多个电介质层。在多个电介质层中形成多个金属化层，其中，多个金属化层中的至少一个包括金属焊盘。基板通孔(TSV)从多个电介质层的最上层延伸到基板的底面。深传导通孔从多个电介质层的最上层延伸落到金属焊盘上。金属线形成在多个电介质层的最上层之上，并使TSV和深传导通孔互连。

公开(公告)号：CN101958255B

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN201010143185.3

申请日：2010-03-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杨固峰 ,  吴文进 ,  邱文智 ,  王宗鼎

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/68 ,  H01L21/78 ,  H01L25/00

CPC classification number: H01L23/3114 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L24/16 ,  H01L24/32 ,  H01L24/80 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/18 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/80006 ,  H01L2224/80894 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/95001 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1421 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/83

Abstract: 本发明公开了一种超薄晶片加工处理的方法及薄晶片加工处理的产品，该方法包括下列步骤：提供一晶片，其具有多个半导体芯片，该晶片具有一第一侧以及一第二侧；使多个裸晶附着于该晶片的该第一侧，其中所述多个裸晶的其中之一接合于所述多个半导体芯片的其中之一；提供一晶片载盘，该晶片载盘附着于该晶片的该第二侧；以一平面支持层封装该晶片的该第一侧以及所述多个裸晶；使一第一粘着带附着于该平面支持层。本发明可得到较高的合格率以及较低的损坏率。

公开(公告)号：CN101740415B

公开(公告)日：2013-10-02

申请号：CN200910178298.4

申请日：2009-10-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杨固峰 ,  邱文智 ,  吴文进 ,  涂宏荣

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/78 ,  H01L25/00 ,  H01L23/29

CPC classification number: H01L21/76898 ,  H01L21/561 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/481 ,  H01L24/10 ,  H01L24/13 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2225/0652 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05099

Abstract: 本发明提供一种集成电路结构及其形成方法，即堆叠式晶片的制造方法。在一实施例中，该方法包括如下步骤：提供一晶片，具有一芯片侧与一非芯片侧，该芯片侧包括多个半导体芯片；提供多个裸片，粘合每一所述多个裸片至所述多个半导体芯片其中之一；以一保护材料包覆该晶片的该芯片侧与所述多个裸片；薄化该晶片的该非芯片侧至一预期厚度；以及切割该晶片，以使该晶片分离成各自的半导体封装结构。本发明可避免传统晶片粘合工艺的缺点。

公开(公告)号：CN101207113B

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN200710108849.0

申请日：2007-06-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  邱文智 ,  吴文进 ,  涂宏荣 ,  杨固峰

IPC: H01L25/00 ,  H01L25/065 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L21/8221 ,  H01L21/76898 ,  H01L24/16 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L27/0688 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05157 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05186 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05609 ,  H01L2224/05616 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  Y10S148/164 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/013

Abstract: 本发明提供一种半导体结构及其制造方法，该半导体结构包括第一芯片、第二芯片及保护层。第一芯片包括第一衬底及位于第一衬底上方的第一接合垫。第二芯片具有第一表面和相对于第一表面的第二表面，且堆叠于第一芯片上。保护层包括垂直部分和水平部分，其中垂直部分位于第二芯片的侧壁上，水平部分延伸至第一芯片上方。本发明能够防止水气和化学物质对于半导体结构的污染，从而改善芯片间结合的可靠度。

公开(公告)号：CN101752238A

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200910149654.X

申请日：2009-06-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杨固峰 ,  吴文进 ,  邱文智 ,  余振华

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/301 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L21/486 ,  H01L21/76898 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/13009 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2224/11

Abstract: 本发明实施例提供一种半导体元件的形成方法，包括提供晶片，具有第一侧面及相反的第二侧面，晶片包括至少一导电插塞，穿过晶片的至少一部分；保护晶片的位于第二侧面上的边缘；将晶片的第二侧面薄化以露出至少一导电插塞而不将第二侧面的边缘薄化；以及将晶片的薄化后部分与未薄化的边缘分离。利用本发明提供的新方法，在形成TSVs时，可减少或避免薄化晶片在随后的处理或工艺期间受到伤害。

公开(公告)号：CN101609804A

公开(公告)日：2009-12-23

申请号：CN200810170436.X

申请日：2008-11-03

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杨固峰 ,  邱文智 ,  吴文进 ,  宋明忠

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L24/94 ,  H01L21/561 ,  H01L23/481 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06524 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/48

Abstract: 本发明涉及一种集成电路结构的形成方法，包括：提供一底部晶片，包括多个底部半导体芯片；提供多个上裸片，所述多个裸片接合至所述多个底部半导体芯片；形成一包围环于该底部晶片之上，且靠近该底部晶片的一外围；涂覆一保护材料以填充所述多个上裸片的间隙，其中该保护材料的上表面、所述多个上裸片的上表面与该包围环的上表面等高；形成一平坦介电层于所述多个上裸片与该保护材料之上；以及形成一导电特征于该平坦介电层中，其中该导电特征电性连接到所述多个上裸片与所述多个底部半导体芯片至少之一，且该导电特征的上表面与该平坦介电层的上表面等高。本发明可达到降低电阻、降低工艺成本以及改善可靠度的效果。