公开(公告)号：CN107993971A

公开(公告)日：2018-05-04

申请号：CN201710981052.5

申请日：2017-10-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金庆焕 ,  姜泰寓 ,  朴炳律 ,  全炯俊

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/677

CPC classification number: H01L21/6838 ,  B65G47/911 ,  C23C16/4583 ,  H01L21/67063 ,  H01L21/67259 ,  H01L21/67288 ,  H01L21/68721 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/677

Abstract: 提供了一种基板加工装置。基板加工装置可以包括基板夹具设备和传送单元，传送单元被配置为以非接触状态保持基板并将基板朝向基板夹具设备移动。基板夹具设备可以包括支撑件、第一吸附部件以及多个第二吸附部件。支撑件被配置为支撑基板的边缘并且具有开口，第一吸附部件与开口的中心区域重叠并且被被配置为沿着第一方向移动，多个第二吸附部件与开口的边缘区域重叠并且被配置为朝向开口移动。这里，第一方向可以是穿过开口的方向。

公开(公告)号：CN102569173B

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201110402768.8

申请日：2011-12-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴炳律 ,  崔吉铉 ,  方硕哲 ,  文光辰 ,  林东灿

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01L21/76898 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/481 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0657 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/036 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05018 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05557 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05559 ,  H01L2224/05609 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明公开了一种制造半导体装置的方法。在制造半导体装置的方法中，准备具有第一表面和与第一表面相对的第二表面的基底。在基底的将形成贯通电极的区域中形成牺牲层图案。牺牲层图案沿基底的厚度方向从基底的第一表面延伸。在基底的第一表面上形成上部布线层。上部布线层包括位于牺牲层图案上的布线。将基底的第二表面部分地去除以暴露牺牲层图案。从基底的第二表面去除牺牲层图案，以形成暴露布线的开口。在开口中形成要电连接到布线的贯通电极。

公开(公告)号：CN103681573A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310366956.9

申请日：2013-08-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴在花 ,  文光辰 ,  朴炳律

IPC: H01L23/495 ,  H01L27/02 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/481 ,  H01L21/486 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/552 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/03002 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/11009 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13007 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

Abstract: 提供了集成电路器件。该集成电路器件可以包括过孔结构，过孔结构包括导电插塞、与导电插塞隔开的导电阻挡层、以及导电插塞和导电阻挡层之间的绝缘层。还提供了形成集成电路器件的相关方法。

公开(公告)号：CN102456646A

公开(公告)日：2012-05-16

申请号：CN201110339985.7

申请日：2011-10-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 裴大录 ,  崔吉铉 ,  朴炳律 ,  姜泌圭

IPC: H01L23/482 ,  H01L29/78 ,  H01L21/48 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/10876 ,  H01L21/743 ,  H01L21/76254 ,  H01L21/76283 ,  H01L21/84 ,  H01L27/10885 ,  H01L27/1203 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29599

Abstract: 本发明提供了一种在具有相对低的电阻的埋置布线的同时可解决在制造工艺中产生的问题的基底结构、一种制造该基底结构的方法和一种半导体装置以及一种用于使用该基底结构制造该半导体装置的方法。所述基底结构可以包括：支撑基底；绝缘层，位于所述支撑基底上；线形导电层图案，设置在所述绝缘层中，并沿第一方向延伸；线形半导体图案，设置在所述绝缘层中且设置在所述导电层图案上，沿所述第一方向延伸并具有暴露到所述绝缘层外部的顶表面。

公开(公告)号：CN108074797B

公开(公告)日：2023-10-17

申请号：CN201711107811.1

申请日：2017-11-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李镐珍 ,  金石镐 ,  文光辰 ,  朴炳律 ,  李来寅

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明提供一种通过使用晶片级工艺对衬底的斜面区进行修整而能够提高工艺再现性及工艺稳定性的制作衬底结构的方法。所述方法包括：提供第一衬底，所述第一衬底包括彼此相对的第一表面与第二表面、以及形成在所述第一表面的第一装置区；提供第二衬底，所述第二衬底包括彼此相对的第三表面与第四表面、以及位于所述第三表面的第二装置区；对所述第一衬底与所述第二衬底进行结合，以对所述第一装置区与所述第二装置区进行电连接；以及形成经修整的衬底。所述形成所述经修整的衬底包括蚀刻被结合到所述第一衬底的所述第二衬底的边缘区。

公开(公告)号：CN106992162B

公开(公告)日：2019-12-13

申请号：CN201710037091.X

申请日：2017-01-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜泌圭 ,  李镐珍 ,  朴炳律 ,  金兑泳 ,  金石镐

IPC: H01L23/48 ,  H01L25/065

Abstract: 本公开提供一种具有TSV结构的多重堆叠器件。该多重堆叠器件包括：下部器件，具有下基板、在下基板上的第一绝缘层以及在第一绝缘层上的硅通孔(TSV)焊盘；中间器件，具有中间基板、在中间基板上的第二绝缘层以及在第二绝缘层上的第一TSV凸块；上部器件，具有上基板、在上基板上的第三绝缘层以及在第三绝缘层上的第二TSV凸块；以及TSV结构，穿过上基板、第三绝缘层、第二绝缘层以及中间基板以连接到第一TSV凸块、第二TSV凸块和TSV焊盘。在中间基板与TSV结构之间的绝缘的第一TSV间隔物和在上基板与TSV结构之间的绝缘的第二TSV间隔物沿堆叠方向间隔开。

公开(公告)号：CN103247600B

公开(公告)日：2018-06-05

申请号：CN201310042094.4

申请日：2013-02-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李镐珍 ,  姜泌圭 ,  李圭夏 ,  朴炳律 ,  郑显秀 ,  崔吉铉

IPC: H01L23/528 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/481 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/525 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

Abstract: 本发明提供了通孔连接结构、具有该结构的半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：下层；在所述下层的第一侧上的绝缘层；在所述绝缘层中的互连结构；在所述下层中的通孔结构。该通孔结构突出至所述绝缘层和所述互连结构内。

公开(公告)号：CN107818922A

公开(公告)日：2018-03-20

申请号：CN201710730431.7

申请日：2017-08-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金庆焕 ,  姜泰寓 ,  朴炳律 ,  全炯俊

IPC: H01L21/56

Abstract: 一种制造半导体封装的方法包括：在支撑衬底上形成初步封装，所述初步封装包括连接衬底、半导体芯片、以及位于所述连接衬底及所述半导体芯片上的模制图案；在所述模制图案上形成缓冲图案；以及在所述缓冲图案上形成载体衬底，所述载体衬底包括与所述缓冲图案接触的第一部分及与所述模制图案接触的第二部分。

公开(公告)号：CN103258787B

公开(公告)日：2017-06-23

申请号：CN201310052685.X

申请日：2013-02-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李镐珍 ,  李圭夏 ,  崔吉铉 ,  崔溶洵 ,  姜泌圭 ,  朴炳律 ,  郑显秀

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/768 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/481 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/13 ,  H01L25/0657 ,  H01L2221/68372 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/13006 ,  H01L2224/13009 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13076 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种制造半导体装置的方法。在一个实施例中，所述方法包括在基层中形成导电孔结构。所述基层具有第一表面和第二表面，第二表面与第一表面相对。所述方法还包括：去除所述基层的第二表面，以暴露导电孔结构，从而导电孔结构从第二表面突出；在第二表面上方形成第一下绝缘层，使得导电孔结构的端部表面保持为被第一下绝缘层暴露。

公开(公告)号：CN101840905B

公开(公告)日：2015-09-02

申请号：CN201010136542.3

申请日：2010-03-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔重先 ,  崔吉铉 ,  朴炳律 ,  李钟鸣 ,  朴津镐 ,  郑暳炅

IPC: H01L23/528 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/528 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53214 ,  H01L23/53228 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种集成电路器件、金属互连及其制造方法。该金属互连包括：金属线，具有第一端和设置在第一端的相反侧的第二端；通孔，电连接到金属线；以及无活性段，从第一端延伸且包括空隙。减小拉应力以防止在通孔下方产生空隙。从而，基本防止了由于电致迁移引起的线损坏，由此改善了器件的电特性。