公开(公告)号：CN118175839A

公开(公告)日：2024-06-11

申请号：CN202311673320.9

申请日：2023-12-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 高在康 ,  高秉国 ,  金灿永 ,  南尚究 ,  崔溶洵

IPC: H10B12/00

Abstract: 一种半导体器件，包括：有源图案，该有源图案设置在衬底上；栅极结构，该栅极结构设置在有源图案上；位线结构，该位线结构设置在有源图案上并且包括彼此堆叠的第一导电图案、第二导电图案和绝缘结构；下间隔物结构，该下间隔物结构设置在位线结构的侧壁上；上间隔物结构，该上间隔物结构设置在下间隔物结构上，其中，上间隔物结构设置在位线结构的侧壁的上部部分上；接触插塞结构，该接触插塞结构设置在有源图案上，其中，接触插塞结构与位线结构间隔开；以及电容器，该电容器设置在接触插塞结构上，其中，下间隔物结构包括第一间隔物和第二间隔物，该第一间隔物部分覆盖第一导电图案的侧壁并且包括空气，该第二间隔物设置在第一间隔物上。

公开(公告)号：CN103258787B

公开(公告)日：2017-06-23

申请号：CN201310052685.X

申请日：2013-02-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李镐珍 ,  李圭夏 ,  崔吉铉 ,  崔溶洵 ,  姜泌圭 ,  朴炳律 ,  郑显秀

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/768 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/481 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/13 ,  H01L25/0657 ,  H01L2221/68372 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/13006 ,  H01L2224/13009 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13076 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种制造半导体装置的方法。在一个实施例中，所述方法包括在基层中形成导电孔结构。所述基层具有第一表面和第二表面，第二表面与第一表面相对。所述方法还包括：去除所述基层的第二表面，以暴露导电孔结构，从而导电孔结构从第二表面突出；在第二表面上方形成第一下绝缘层，使得导电孔结构的端部表面保持为被第一下绝缘层暴露。

公开(公告)号：CN103258787A

公开(公告)日：2013-08-21

申请号：CN201310052685.X

申请日：2013-02-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李镐珍 ,  李圭夏 ,  崔吉铉 ,  崔溶洵 ,  姜泌圭 ,  朴炳律 ,  郑显秀

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/768 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/481 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/13 ,  H01L25/0657 ,  H01L2221/68372 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/13006 ,  H01L2224/13009 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13076 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种制造半导体装置的方法。在一个实施例中，所述方法包括在基层中形成导电孔结构。所述基层具有第一表面和第二表面，第二表面与第一表面相对。所述方法还包括：去除所述基层的第二表面，以暴露导电孔结构，从而导电孔结构从第二表面突出；在第二表面上方形成第一下绝缘层，使得导电孔结构的端部表面保持为被第一下绝缘层暴露。