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公开(公告)号：CN109427788A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201810666188.1
申请日：2018-06-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108
Abstract: 第一位线结构设置在第一接触结构与第二接触结构之间。第一空气间隔物插置在第一接触结构与第一位线结构之间。第一分离空间连接到第一空气间隔物的空气入口，并且插置在第一接触结构与第一位线结构之间。具有间隙部分的盖绝缘图案插置在第一接触结构与第二接触结构之间。间隙部分具有向下减小的宽度。空气覆盖图案覆盖该盖绝缘图案以密封第一分离空间。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN112086347A
公开(公告)日：2020-12-15
申请号：CN202010122476.8
申请日：2020-02-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/033 , H01L21/67
Abstract: 提供了使用热可分解层制造半导体器件的方法、半导体制造装置和半导体器件。所述方法包括：在衬底上形成蚀刻目标层；在所述蚀刻目标层上形成彼此间隔开的热可分解图案；形成至少覆盖所述热可分解图案的侧壁的第一掩模图案；和通过加热方法去除所述热可分解图案以暴露所述第一掩模图案的侧壁。
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公开(公告)号：CN112864166B
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202011344617.7
申请日：2020-11-26
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种三维半导体存储器件。该器件可以包括：基板，包括单元阵列区域以及提供在单元阵列区域的端部处的连接区域；电极结构，从单元阵列区域延伸到连接区域，该电极结构包括顺序地堆叠在基板上的电极；提供在电极结构上的上绝缘层；提供在上绝缘层中并沿着电极延伸的第一水平绝缘层；以及提供在连接区域上以穿透上绝缘层和第一水平绝缘层的第一接触插塞。第一水平绝缘层可以包括具有比上绝缘层更好的耐蚀刻性能的材料。
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公开(公告)号：CN118175839A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202311673320.9
申请日：2023-12-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00
Abstract: 一种半导体器件，包括：有源图案，该有源图案设置在衬底上；栅极结构，该栅极结构设置在有源图案上；位线结构，该位线结构设置在有源图案上并且包括彼此堆叠的第一导电图案、第二导电图案和绝缘结构；下间隔物结构，该下间隔物结构设置在位线结构的侧壁上；上间隔物结构，该上间隔物结构设置在下间隔物结构上，其中，上间隔物结构设置在位线结构的侧壁的上部部分上；接触插塞结构，该接触插塞结构设置在有源图案上，其中，接触插塞结构与位线结构间隔开；以及电容器，该电容器设置在接触插塞结构上，其中，下间隔物结构包括第一间隔物和第二间隔物，该第一间隔物部分覆盖第一导电图案的侧壁并且包括空气，该第二间隔物设置在第一间隔物上。
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公开(公告)号：CN112864166A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202011344617.7
申请日：2020-11-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11575 , H01L27/11582
Abstract: 公开了一种三维半导体存储器件。该器件可以包括：基板，包括单元阵列区域以及提供在单元阵列区域的端部处的连接区域；电极结构，从单元阵列区域延伸到连接区域，该电极结构包括顺序地堆叠在基板上的电极；提供在电极结构上的上绝缘层；提供在上绝缘层中并沿着电极延伸的第一水平绝缘层；以及提供在连接区域上以穿透上绝缘层和第一水平绝缘层的第一接触插塞。第一水平绝缘层可以包括具有比上绝缘层更好的耐蚀刻性能的材料。
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