公开(公告)号：CN112086347A

公开(公告)日：2020-12-15

申请号：CN202010122476.8

申请日：2020-02-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李承宪 ,  金汶浚 ,  高在康 ,  韩太钟

IPC: H01L21/033 ,  H01L21/67

Abstract: 提供了使用热可分解层制造半导体器件的方法、半导体制造装置和半导体器件。所述方法包括：在衬底上形成蚀刻目标层；在所述蚀刻目标层上形成彼此间隔开的热可分解图案；形成至少覆盖所述热可分解图案的侧壁的第一掩模图案；和通过加热方法去除所述热可分解图案以暴露所述第一掩模图案的侧壁。

公开(公告)号：CN112864166B

公开(公告)日：2025-04-18

申请号：CN202011344617.7

申请日：2020-11-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩太钟 ,  高在康 ,  金汶濬 ,  金须钟 ,  李承宪

IPC: H10B43/50 ,  H10B43/27

Abstract: 公开了一种三维半导体存储器件。该器件可以包括：基板，包括单元阵列区域以及提供在单元阵列区域的端部处的连接区域；电极结构，从单元阵列区域延伸到连接区域，该电极结构包括顺序地堆叠在基板上的电极；提供在电极结构上的上绝缘层；提供在上绝缘层中并沿着电极延伸的第一水平绝缘层；以及提供在连接区域上以穿透上绝缘层和第一水平绝缘层的第一接触插塞。第一水平绝缘层可以包括具有比上绝缘层更好的耐蚀刻性能的材料。

公开(公告)号：CN116806092A

公开(公告)日：2023-09-26

申请号：CN202310157791.8

申请日：2023-02-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐枝延 ,  罗相虎 ,  韩太钟

IPC: H10B41/30 ,  H10B41/20 ,  H10B41/40 ,  H10B43/30 ,  H10B43/40 ,  H10B43/20 ,  G11C5/02 ,  G11C5/06

Abstract: 提供了一种半导体存储器装置和电子系统。该半导体存储器装置包括：外围电路结构，其包括外围电路衬底；外围电路元件，其位于外围电路衬底上；以及布线结构，其连接到外围电路元件；以及存储器单元结构，其设置在外围电路结构上。该存储器单元结构包括：单元衬底，其包括单元阵列区、延伸区和贯穿区；模制结构，其包括以台阶形式顺序地设置在单元阵列区和延伸区上的多个栅电极、以及顺序地设置在贯穿区上的多个模制牺牲膜；沟道结构，其与单元阵列区上的多个栅电极交叉；以及单元接触件，其在延伸区上穿透模制结构，并且被配置为连接多个栅电极中的至少一个和布线结构。

公开(公告)号：CN112864166A

公开(公告)日：2021-05-28

申请号：CN202011344617.7

申请日：2020-11-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩太钟 ,  高在康 ,  金汶濬 ,  金须钟 ,  李承宪

IPC: H01L27/11575 ,  H01L27/11582

Abstract: 公开了一种三维半导体存储器件。该器件可以包括：基板，包括单元阵列区域以及提供在单元阵列区域的端部处的连接区域；电极结构，从单元阵列区域延伸到连接区域，该电极结构包括顺序地堆叠在基板上的电极；提供在电极结构上的上绝缘层；提供在上绝缘层中并沿着电极延伸的第一水平绝缘层；以及提供在连接区域上以穿透上绝缘层和第一水平绝缘层的第一接触插塞。第一水平绝缘层可以包括具有比上绝缘层更好的耐蚀刻性能的材料。