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公开(公告)号：CN109797379A
公开(公告)日：2019-05-24
申请号：CN201811267563.1
申请日：2018-10-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C23C16/505 , C23C16/455 , H01J37/32
Abstract: 一种用于在晶圆上沉积材料的沉积设备，该设备包括：下喷头；上喷头，设置在所述下喷头上方，所述上喷头面对所述下喷头；以及支撑结构，位于所述上喷头与所述下喷头之间，所述晶圆能够被所述支撑结构支撑，其中，所述上喷头包括用于向所述晶圆上提供上部气体的上孔，所述下喷头包括用于向所述晶圆上提供下部气体的下孔，所述支撑结构包括：环形体，围绕所述晶圆；多个环支撑轴，位于所述环形体与所述下喷头之间；以及多个晶圆支撑件，从环形体的下部区域向内延伸以支撑晶圆，并且多个晶圆支撑件彼此间隔开。
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公开(公告)号：CN109797379B
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN201811267563.1
申请日：2018-10-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C23C16/505 , C23C16/455 , H01J37/32
Abstract: 一种用于在晶圆上沉积材料的沉积设备，该设备包括：下喷头；上喷头，设置在所述下喷头上方，所述上喷头面对所述下喷头；以及支撑结构，位于所述上喷头与所述下喷头之间，所述晶圆能够被所述支撑结构支撑，其中，所述上喷头包括用于向所述晶圆上提供上部气体的上孔，所述下喷头包括用于向所述晶圆上提供下部气体的下孔，所述支撑结构包括：环形体，围绕所述晶圆；多个环支撑轴，位于所述环形体与所述下喷头之间；以及多个晶圆支撑件，从环形体的下部区域向内延伸以支撑晶圆，并且多个晶圆支撑件彼此间隔开。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109473437A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201811024862.2
申请日：2018-09-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11556 , H01L27/11582
Abstract: 提供非易失性存储器件以及制造该非易失性存储器件的方法。非易失性存储器件可以包括：堆叠结构，包括以交替的顺序堆叠在衬底上的多个导电膜和多个层间绝缘膜；以及延伸穿过该堆叠结构的垂直沟道结构。所述多个导电膜可以包括所述多个导电膜当中的最靠近衬底的选择线。选择线可以包括顺序地堆叠在衬底上的下部和上部，并且选择线的上部的一侧和选择线的下部的一侧可以具有不同的轮廓。
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公开(公告)号：CN109473437B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN201811024862.2
申请日：2018-09-04
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供非易失性存储器件以及制造该非易失性存储器件的方法。非易失性存储器件可以包括：堆叠结构，包括以交替的顺序堆叠在衬底上的多个导电膜和多个层间绝缘膜；以及延伸穿过该堆叠结构的垂直沟道结构。所述多个导电膜可以包括所述多个导电膜当中的最靠近衬底的选择线。选择线可以包括顺序地堆叠在衬底上的下部和上部，并且选择线的上部的一侧和选择线的下部的一侧可以具有不同的轮廓。
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公开(公告)号：CN109797376B
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN201811268189.7
申请日：2018-10-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C23C16/455 , H01L21/67
Abstract: 一种沉积装置，包括：上喷头和下喷头，位于处理腔室内，所述上喷头和所述下喷头面向彼此；支撑结构，位于所述上喷头和所述下喷头之间，用于支撑晶圆，所述支撑结构连接到所述下喷头；以及等离子体处理区域，位于由所述支撑结构支撑的晶圆和所述下喷头之间，其中，所述下喷头包括下孔，用于向所述晶圆的方向喷射下部气体，所述上喷头包括上孔，用于向所述晶圆的方向喷射上部气体，以及所述支撑结构包括通孔部，用于将通过所述下孔喷射的下部气体的一部分排放到所述支撑结构和所述上喷头之间的空间中。
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公开(公告)号：CN116806092A
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN202310157791.8
申请日：2023-02-23
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种半导体存储器装置和电子系统。该半导体存储器装置包括：外围电路结构，其包括外围电路衬底；外围电路元件，其位于外围电路衬底上；以及布线结构，其连接到外围电路元件；以及存储器单元结构，其设置在外围电路结构上。该存储器单元结构包括：单元衬底，其包括单元阵列区、延伸区和贯穿区；模制结构，其包括以台阶形式顺序地设置在单元阵列区和延伸区上的多个栅电极、以及顺序地设置在贯穿区上的多个模制牺牲膜；沟道结构，其与单元阵列区上的多个栅电极交叉；以及单元接触件，其在延伸区上穿透模制结构，并且被配置为连接多个栅电极中的至少一个和布线结构。
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公开(公告)号：CN109797376A
公开(公告)日：2019-05-24
申请号：CN201811268189.7
申请日：2018-10-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C23C16/455 , H01L21/67
Abstract: 一种沉积装置，包括：上喷头和下喷头，位于处理腔室内，所述上喷头和所述下喷头面向彼此；支撑结构，位于所述上喷头和所述下喷头之间，用于支撑晶圆，所述支撑结构连接到所述下喷头；以及等离子体处理区域，位于由所述支撑结构支撑的晶圆和所述下喷头之间，其中，所述下喷头包括下孔，用于向所述晶圆的方向喷射下部气体，所述上喷头包括上孔，用于向所述晶圆的方向喷射上部气体，以及所述支撑结构包括通孔部，用于将通过所述下孔喷射的下部气体的一部分排放到所述支撑结构和所述上喷头之间的空间中。
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