公开(公告)号：CN109797379A

公开(公告)日：2019-05-24

申请号：CN201811267563.1

申请日：2018-10-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐枝延 ,  朴柄善 ,  朴星津 ,  任智芸 ,  林炫锡 ,  田炳好 ,  姜有善 ,  权赫镐 ,  严太镕 ,  崔大宪 ,  河东协

IPC: C23C16/505 ,  C23C16/455 ,  H01J37/32

Abstract: 一种用于在晶圆上沉积材料的沉积设备，该设备包括：下喷头；上喷头，设置在所述下喷头上方，所述上喷头面对所述下喷头；以及支撑结构，位于所述上喷头与所述下喷头之间，所述晶圆能够被所述支撑结构支撑，其中，所述上喷头包括用于向所述晶圆上提供上部气体的上孔，所述下喷头包括用于向所述晶圆上提供下部气体的下孔，所述支撑结构包括：环形体，围绕所述晶圆；多个环支撑轴，位于所述环形体与所述下喷头之间；以及多个晶圆支撑件，从环形体的下部区域向内延伸以支撑晶圆，并且多个晶圆支撑件彼此间隔开。

公开(公告)号：CN109797379B

公开(公告)日：2022-11-15

申请号：CN201811267563.1

申请日：2018-10-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐枝延 ,  朴柄善 ,  朴星津 ,  任智芸 ,  林炫锡 ,  田炳好 ,  姜有善 ,  权赫镐 ,  严太镕 ,  崔大宪 ,  河东协

IPC: C23C16/505 ,  C23C16/455 ,  H01J37/32

Abstract: 一种用于在晶圆上沉积材料的沉积设备，该设备包括：下喷头；上喷头，设置在所述下喷头上方，所述上喷头面对所述下喷头；以及支撑结构，位于所述上喷头与所述下喷头之间，所述晶圆能够被所述支撑结构支撑，其中，所述上喷头包括用于向所述晶圆上提供上部气体的上孔，所述下喷头包括用于向所述晶圆上提供下部气体的下孔，所述支撑结构包括：环形体，围绕所述晶圆；多个环支撑轴，位于所述环形体与所述下喷头之间；以及多个晶圆支撑件，从环形体的下部区域向内延伸以支撑晶圆，并且多个晶圆支撑件彼此间隔开。

公开(公告)号：CN109473437A

公开(公告)日：2019-03-15

申请号：CN201811024862.2

申请日：2018-09-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 严太镕 ,  任智芸 ,  朴柄善 ,  林炫锡 ,  姜有善 ,  权赫镐 ,  朴星津 ,  徐枝延 ,  河东协

IPC: H01L27/11556 ,  H01L27/11582

Abstract: 提供非易失性存储器件以及制造该非易失性存储器件的方法。非易失性存储器件可以包括：堆叠结构，包括以交替的顺序堆叠在衬底上的多个导电膜和多个层间绝缘膜；以及延伸穿过该堆叠结构的垂直沟道结构。所述多个导电膜可以包括所述多个导电膜当中的最靠近衬底的选择线。选择线可以包括顺序地堆叠在衬底上的下部和上部，并且选择线的上部的一侧和选择线的下部的一侧可以具有不同的轮廓。

公开(公告)号：CN109473437B

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN201811024862.2

申请日：2018-09-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 严太镕 ,  任智芸 ,  朴柄善 ,  林炫锡 ,  姜有善 ,  权赫镐 ,  朴星津 ,  徐枝延 ,  河东协

IPC: H10B41/27 ,  H10B43/27

Abstract: 提供非易失性存储器件以及制造该非易失性存储器件的方法。非易失性存储器件可以包括：堆叠结构，包括以交替的顺序堆叠在衬底上的多个导电膜和多个层间绝缘膜；以及延伸穿过该堆叠结构的垂直沟道结构。所述多个导电膜可以包括所述多个导电膜当中的最靠近衬底的选择线。选择线可以包括顺序地堆叠在衬底上的下部和上部，并且选择线的上部的一侧和选择线的下部的一侧可以具有不同的轮廓。

公开(公告)号：CN109797376B

公开(公告)日：2022-10-28

申请号：CN201811268189.7

申请日：2018-10-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴柄善 ,  徐枝延 ,  任智芸 ,  林炫锡 ,  田炳好 ,  姜有善 ,  权赫镐 ,  朴星津 ,  严太镕 ,  河东协

IPC: C23C16/455 ,  H01L21/67

Abstract: 一种沉积装置，包括：上喷头和下喷头，位于处理腔室内，所述上喷头和所述下喷头面向彼此；支撑结构，位于所述上喷头和所述下喷头之间，用于支撑晶圆，所述支撑结构连接到所述下喷头；以及等离子体处理区域，位于由所述支撑结构支撑的晶圆和所述下喷头之间，其中，所述下喷头包括下孔，用于向所述晶圆的方向喷射下部气体，所述上喷头包括上孔，用于向所述晶圆的方向喷射上部气体，以及所述支撑结构包括通孔部，用于将通过所述下孔喷射的下部气体的一部分排放到所述支撑结构和所述上喷头之间的空间中。

公开(公告)号：CN109797376A

公开(公告)日：2019-05-24

申请号：CN201811268189.7

申请日：2018-10-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴柄善 ,  徐枝延 ,  任智芸 ,  林炫锡 ,  田炳好 ,  姜有善 ,  权赫镐 ,  朴星津 ,  严太镕 ,  河东协

IPC: C23C16/455 ,  H01L21/67

Abstract: 一种沉积装置，包括：上喷头和下喷头，位于处理腔室内，所述上喷头和所述下喷头面向彼此；支撑结构，位于所述上喷头和所述下喷头之间，用于支撑晶圆，所述支撑结构连接到所述下喷头；以及等离子体处理区域，位于由所述支撑结构支撑的晶圆和所述下喷头之间，其中，所述下喷头包括下孔，用于向所述晶圆的方向喷射下部气体，所述上喷头包括上孔，用于向所述晶圆的方向喷射上部气体，以及所述支撑结构包括通孔部，用于将通过所述下孔喷射的下部气体的一部分排放到所述支撑结构和所述上喷头之间的空间中。