公开(公告)号：CN112864166B

公开(公告)日：2025-04-18

申请号：CN202011344617.7

申请日：2020-11-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩太钟 ,  高在康 ,  金汶濬 ,  金须钟 ,  李承宪

IPC: H10B43/50 ,  H10B43/27

Abstract: 公开了一种三维半导体存储器件。该器件可以包括：基板，包括单元阵列区域以及提供在单元阵列区域的端部处的连接区域；电极结构，从单元阵列区域延伸到连接区域，该电极结构包括顺序地堆叠在基板上的电极；提供在电极结构上的上绝缘层；提供在上绝缘层中并沿着电极延伸的第一水平绝缘层；以及提供在连接区域上以穿透上绝缘层和第一水平绝缘层的第一接触插塞。第一水平绝缘层可以包括具有比上绝缘层更好的耐蚀刻性能的材料。

公开(公告)号：CN112864166A

公开(公告)日：2021-05-28

申请号：CN202011344617.7

申请日：2020-11-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩太钟 ,  高在康 ,  金汶濬 ,  金须钟 ,  李承宪

IPC: H01L27/11575 ,  H01L27/11582

Abstract: 公开了一种三维半导体存储器件。该器件可以包括：基板，包括单元阵列区域以及提供在单元阵列区域的端部处的连接区域；电极结构，从单元阵列区域延伸到连接区域，该电极结构包括顺序地堆叠在基板上的电极；提供在电极结构上的上绝缘层；提供在上绝缘层中并沿着电极延伸的第一水平绝缘层；以及提供在连接区域上以穿透上绝缘层和第一水平绝缘层的第一接触插塞。第一水平绝缘层可以包括具有比上绝缘层更好的耐蚀刻性能的材料。