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公开(公告)号：CN105190787B
公开(公告)日：2017-12-12
申请号：CN201480014152.5
申请日：2014-03-12
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 卡森·D·泰克雷特萨迪克 , 卡尔斯·L·史坦利 , 希马恩·飞三 , 尼可拉斯·A·贝努透 , 史考特·尼柯森
Abstract: 本发明揭示一种应用于低温与高电压的电气衬套。衬套包括第一衬套部、第二衬套部及于第一衬套部与第二衬套部中沿着纵向配置的电性导体。电性导体包括由第一衬套部延伸的第一终端部，及由第二衬套部延伸的第二终端部。第一终端部被配置以耦接在环境温度下的第一电子构件，且第二终端部被配置以耦接在低温温度下的第二电子构件。第一衬套部与第二衬套部包括底绝缘部，且第一衬套部可更包括仅配置在底绝缘部上的环境保护层。此电气衬套能适应环境温度与低温环境之间因过大的温度变化所引起的热应力。
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公开(公告)号：CN105849852B
公开(公告)日：2017-10-31
申请号：CN201480070125.X
申请日：2014-12-08
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
CPC classification number: H01J37/32532 , H01J37/32357 , H01J37/32412 , H01J37/32422 , H01J37/32568 , H01J2237/3365
Abstract: 本发明涉及一种控制提供至基板的离子束的处理装置与方法。处理装置可包括电浆源、提取板、偏转电极与偏转电极电源，其中所述电浆源耦接至电浆腔室以在电浆腔室中产生电浆，所述提取板具有沿着电浆腔室的一侧配置的孔隙，所述偏转电极配置为接近于孔隙，且当电浆腔室中存在电浆时所述偏转电极经设置以界定一对电浆半月区，所述偏转电极电源用于相对于电浆施加偏压至偏转电极，其中施加至偏转电极的第一偏压经设置以产生自电浆通过孔隙提取的离子的第一入射角，且施加至偏转电极的第二偏压经设置以产生自电浆通过孔隙提取的离子的第二入射角，所述第二入射角不同于所述第一入射角。本发明对离子角分布的进一步的控制可以更有效率地处理基板。
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公开(公告)号：CN107078058A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580062884.6
申请日：2015-11-23
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 史蒂芬·M·恩尔拉 , 麦可·A·斯库拉么尔
IPC: H01L21/324 , H01L21/67 , H01L21/683 , H01L21/687 , H05B3/00 , H05B3/26
CPC classification number: H01L21/67103 , H01L21/324 , H01L21/67109 , H01L21/67248 , H01L21/683 , H01L21/68735 , H05B3/0047 , H05B3/265 , H05B2203/014
Abstract: 揭示一种用于在处理期间改善工件温度均匀性的设备和方法。设备包含沿着平台的外周安置的环形加热器组合件。环形加热器组合件包含安置于其中或其上的加热元件，其中这些加热元件产生用以加温工件的外边缘的热量。在一些实施例中，环形加热器组合件伸出工件的边缘并且可以暴露于离子束中。
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公开(公告)号：CN107078012A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580049321.3
申请日：2015-09-04
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 亚隆·P·威波 , 提摩西·J·米勒 , 泰美·州·普赖德 , 克里斯多夫·N·葛兰特 , 詹姆斯·D·史瑞斯奈 , 查理斯·T·卡尔森
IPC: H01J37/304 , H01J37/317 , H01L21/68
CPC classification number: H01L21/681 , C23C14/48 , G06K9/6202 , G06T7/001 , G06T7/74 , G06T2207/30148 , H01J37/20 , H01J37/22 , H01J37/3045 , H01J37/3171
Abstract: 本发明提供一种用于离子注入机的主动式衬底对准系统，衬底系统包含压板；对齐装置，其经调适以选择性地移动邻近于压板安置的衬底接合表面，用于限制安置在压板上的衬底的移动；相机，其经配置以在衬底安置在压板上之前获取衬底的图像；以及控制器，其与相机和对齐装置通信，控制器可以经配置以命令对齐装置基于图像移动衬底接合表面，以用预定的方式限制衬底的移动。
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公开(公告)号：CN106796203A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201580055518.8
申请日：2015-10-16
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Abstract: 本发明涉及一种薄片形成设备，薄片形成设备包含用于固持材料熔体以及置于熔体内的固体薄片的坩埚、配置于所述坩埚上方用以自所述熔体形成薄片的结晶器和邻近所述结晶器配置的超声波测量系统，所述超声波测量系统包括至少一个超声波测量装置，其包含耦合到超声波换能器的波导以导引超声波脉冲穿过所述熔体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106575593A
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201580043549.1
申请日：2015-06-11
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
CPC classification number: H01J27/022 , H01J37/08 , H01J2237/061
Abstract: 本发明公开了一种用于控制离子源的温度的装置。离子源包含多个壁，所述多个壁界定离子在其中生成的腔室。为了控制离子源的温度，一个或多个挡热板安置到腔室外部。挡热板由设计为将热量反射回到离子源的高温和/或耐火材料制成。在第一位置时，这些挡热板经安置以将第一量的热量反射回到离子源。在第二位置时，这些挡热板经安置以将较少的第二量的热量反射回到离子源。在一些实施例中，挡热板可以安置在位于第一位置与第二位置之间的一个或多个中间位置中。
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公开(公告)号：CN104285273B
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201380023331.0
申请日：2013-03-21
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/317
CPC classification number: H01L21/265 , C23C14/48 , H01J37/08 , H01J37/3171 , H01J2237/006 , H01J2237/022 , H01J2237/0825
Abstract: 本发明的处理基板的方法可由离子植入系统来实现，此离子植入系统包括具有离子源腔室的离子源。离子源腔室具有定义离子产生区及萃取孔的壁，经由萃取孔萃取离子产生区中产生的离子。萃取系统位于靠近萃取孔的离子源下游。材料源包括包含第一材料的第一源、包含第二材料的第二源、及第一导管与第二导管，第一导管可与第一源及离子源腔室连通，以提供来自第一源的第一材料至离子源腔室，且第二导管与第二源连通。离子源腔室外侧的第一区提供来自第二源的第二材料至第一区。
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公开(公告)号：CN105264634B
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201480032406.6
申请日：2014-05-02
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 斯坦尼斯拉夫·S·托多罗夫 , 乔治·M·葛梅尔 , 理查·艾伦·斯普林克 , 诺曼·E·赫西 , 法兰克·辛克莱 , 常胜武 , 约瑟·C·欧尔森 , 大卫·罗杰·汀布莱克 , 库尔·T·岱可-路克
IPC: H01J37/304 , H01J37/317
CPC classification number: C23C14/54 , C23C14/48 , G21K5/00 , H01J37/304 , H01J37/3171 , H01J2237/24535 , H01J2237/24542 , H01J2237/31703
Abstract: 本发明公开一种离子植入机与控制离子植入机中的离子束的系统，包括检测器以沿着垂直于离子束的传播方向的第一方向，进行所述离子束的多个束电流量测。所述系统也包括分析组件与调整组件。所述分析组件用以基于所述多个束电流量测来判定束电流轮廓，所述束电流轮廓包括沿着所述第一方向的束电流的变化。当束电流轮廓指示束高度低于阀时，所述调整组件沿着所述第一方向调整所述离子束的高度。
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公开(公告)号：CN104813435B
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201380060603.4
申请日：2013-09-30
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/24 , H01J37/248 , H01J37/317 , H01J37/32
CPC classification number: C23C14/48 , C23C14/021 , C23C14/022 , C23C14/048 , C23C14/5826 , H01J37/241 , H01J37/243 , H01J37/248 , H01J37/3171 , H01J37/32412 , H01J37/32935 , H01J2237/0206 , H01J2237/24535 , H01L2224/81913
Abstract: 描述一种离子布植机的维护方法。在一实施例中，进行电浆辅助调节，其中修正对萃取电极施加的偏压以抑制离子束的形成。增加供应至离子源中的电浆产生器的功率，从而产生高密度电浆，所述高密度电浆不被萃取电极所萃取。所述电浆从离子源腔室延伸经过萃取孔，接着高能离子调节萃取电极。在另一实施例中，进行电浆辅助清洁。在此模式下，将萃取电极移动至离离子源腔室更远的位置上且使用不同的源气体用来产生电浆。在一些实施例中，将所述模式的结合用来减少离子布植机中的故障。
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公开(公告)号：CN104603908B
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201380033131.3
申请日：2013-05-03
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Abstract: 本发明提供一种具有镓离子的离子束的产生方法及其装置。在一实施例中，一种具有镓离子的离子束的产生方法，其包括在等离子体腔室中提供至少部分的镓化合物靶材，此镓化合物靶材包括镓以及至少一种额外元素。具有镓离子的离子束的产生方法还包括在等离子体腔室中，使用至少一种气态物种来启动等离子体及提供气态的蚀刻物种源，以与镓化合物靶材反应，从而形成挥发性镓物种。
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