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公开(公告)号：CN104603908B
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201380033131.3
申请日：2013-05-03
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Abstract: 本发明提供一种具有镓离子的离子束的产生方法及其装置。在一实施例中，一种具有镓离子的离子束的产生方法，其包括在等离子体腔室中提供至少部分的镓化合物靶材，此镓化合物靶材包括镓以及至少一种额外元素。具有镓离子的离子束的产生方法还包括在等离子体腔室中，使用至少一种气态物种来启动等离子体及提供气态的蚀刻物种源，以与镓化合物靶材反应，从而形成挥发性镓物种。
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公开(公告)号：CN104603908A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201380033131.3
申请日：2013-05-03
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Abstract: 在一实施例中，一种具有镓离子的离子束的产生方法，其包括在等离子体腔室中提供至少部分的镓化合物靶材，此镓化合物靶材包括镓以及至少一种额外元素。具有镓离子的离子束的产生方法还包括在等离子体腔室中，使用至少一种气态物种来启动等离子体及提供气态的蚀刻物种源，以与镓化合物靶材反应，从而形成挥发性镓物种。
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公开(公告)号：CN105340049A
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201480037223.3
申请日：2014-05-02
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/08 , H01J27/02 , H01L21/425
CPC classification number: C23F4/00 , H01J27/08 , H01J37/08 , H01J37/3053 , H01J2237/022 , H01J2237/3341
Abstract: 一种离子源，包括离子源腔室、配置在离子源腔室中且经设置以发射电子以产生电弧电浆的阴极、以及经设置以将电子驱除回到电弧电浆中的斥拒极。离子源腔室及阴极可包括耐火金属。离子源腔室还包括经设置以提供卤素物种至离子源腔室的气体源。在第一组操作条件下，反应性插件与卤素物种互相起作用以在离子源腔室中得到耐火金属的第一蚀刻速率，当离子源腔室中不配置有反应性插件时，在第一组操作条件下，离子源腔室中的耐火金属的第二蚀刻速率大于第一蚀刻速率。
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公开(公告)号：CN105340049B
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201480037223.3
申请日：2014-05-02
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/08 , H01J27/02 , H01L21/425
CPC classification number: C23F4/00 , H01J27/08 , H01J37/08 , H01J37/3053 , H01J2237/022 , H01J2237/3341
Abstract: 本发明提供一种离子源及其操作方法。所述离子源包括离子源腔室、配置在离子源腔室中且经设置以发射电子以产生电弧等离子体的阴极、以及经设置以将电子驱除回到电弧等离子体中的斥拒极。离子源腔室及阴极可包括耐火金属。离子源腔室还包括经设置以提供卤素物种至离子源腔室的气体源。在第一组操作条件下，反应性插件与卤素物种互相起作用以在离子源腔室中得到耐火金属的第一蚀刻速率，当离子源腔室中不配置有反应性插件时，在第一组操作条件下，离子源腔室中的耐火金属的第二蚀刻速率大于第一蚀刻速率。该方案除了减少离子源表面的金属蚀刻外，使用硅做为反应性插件的实施例的优点包括没有额外的金属物种从硅插件被引入至电弧等离子体中。
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