公开(公告)号：CN103198990A

公开(公告)日：2013-07-10

申请号：CN201310005725.5

申请日：2013-01-08

Applicant: FEI公司

Inventor： L.W.斯万森 ,  G.A.施温德 ,  S.克罗格 ,  刘坤

IPC: H01J9/44

CPC classification number: H01J37/00 ,  G01T1/29 ,  H01J37/02 ,  H01J37/073 ,  H01J2237/06316 ,  H01J2237/06341 ,  H01J2237/065

Abstract: 本发明涉及来自场发射源的发射参数的确定。通过电流如何随引出电压而变的测量可以确定发射体的状态。由在不同条件下发射的带电粒子的一系列相对简单的测量结果来确定场形因数β函数。然后可以使用该场形因数来确定发射的导出特性，在现有技术中是难以在不将源从聚焦镜筒移除并将其安装在专用设备中的情况下确定它们的。该关系式是由源配置确定的且已经发现其独立于发射体形状，并且因此可以随着发射体形状随时间推移而变来确定发射特性，而不必确定发射体形状且不必重新定义场形因数与所述一系列相对简单测量结果之间的关系式以及场形因数与其他发射参数之间的关系。

公开(公告)号：CN106206287B

公开(公告)日：2019-06-18

申请号：CN201610365868.0

申请日：2016-05-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 泽田石真之 ,  三轮智典 ,  金子雄基

IPC: H01L21/311

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/00 ,  H01J2237/334

Abstract: 本发明提供蚀刻方法。该方法是对第一区域和第二区域进行蚀刻的方法。所述第一区域具有：第一电介质膜与为氮化硅膜的第二电介质膜交替层叠而构成的多层膜。所述第二区域具有单层的氧化硅膜。[解决手段]一个实施方式的方法包括：第一等离子体处理工序：在等离子体处理装置的处理容器内生成包含全氟烃气体和氧气的第一处理气体的等离子体；以及第二等离子体处理工序：在处理容器内生成包含氢气、三氟化氮气体和含碳气体的第二处理气体的等离子体。该方法中，第一等离子体处理工序中，静电卡盘的温度被设定为第一温度；第二等离子体处理工序中，静电卡盘的温度被设定为低于第一温度的第二温度。

公开(公告)号：CN108878285A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201810448503.3

申请日：2018-05-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 熊仓翔 ,  田端雅弘

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/00 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0475 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6831

Abstract: 本发明提供一种对具有包含碳化硅的第一区域和与第一区域相接的包含氮化硅的第二区域的被处理体进行蚀刻的蚀刻方法，该蚀刻方法通过反复实施以下流程，将第一区域按每个原子层来除去，从而蚀刻该第一区域，其中，在上述流程中，生成含氮的第一气体的等离子体，在第一区域的露出面的原子层形成包含该等离子体所含的离子的混合层，生成含氟的第二气体的等离子体，通过该等离子体所含的自由基除去混合层。由此，在对包含碳化硅的被处理体的蚀刻中能够适当地提高选择比。

公开(公告)号：CN106029215B

公开(公告)日：2018-01-30

申请号：CN201480067106.1

申请日：2014-11-12

Applicant: 弗劳恩霍夫应用研究促进协会

Inventor： F-H.勒格纳 ,  A.魏道尔 ,  G.马托施 ,  J.库布施

IPC: B01J8/12 ,  B01J19/08 ,  H01J37/00 ,  H01J37/06

CPC classification number: A01C1/08 ,  A61L2/087 ,  A61L2/26 ,  A61L2202/11 ,  B01J8/12 ,  B01J19/085 ,  B01J2219/0815 ,  B01J2219/0833 ,  B01J2219/0879 ,  H01J37/00 ,  H01J37/06 ,  H01J37/3178 ,  H01J2237/06375 ,  H01J2237/15

Abstract: 本发明涉及一种装置，包含至少一个用于生成加速的电子的电子束产生器(301)，利用这些加速的电子能够使散装货物粒子(303)在自由落体期间被加载，其中，所述电子束产生器(301)环形地构造，在该电子束产生器中由环形的阴极放出的且加速的电子从电子排出窗中在环轴线的方向上排出；其中，所述环形的电子束产生器(301)布置成使得其环轴线竖直地或者以与竖直线偏差直至45°的角度取向；且其中，在所述环形的电子束产生器上方布置有用于分开散装货物粒子的机构，该机构的底部壁(304)具有至少一个开口，散装货物粒子(303)从所述至少一个开口中且从那里通过由所述电子束产生器(301)形成的环下落。

公开(公告)号：CN106233422A

公开(公告)日：2016-12-14

申请号：CN201480078355.0

申请日：2014-06-26

Applicant: 上海凯世通半导体股份有限公司

Inventor： 洪俊华 ,  沈培俊

IPC: H01L21/00 ,  H01J37/00

CPC classification number: H01J37/00 ,  H01L21/00

Abstract: 一种离子注入设备，其包括：在该真空制程腔中移动的承载框架，该承载框架包括边框部和由该边框部围成的中空部，该边框部用于通过支撑晶片的边缘来承载晶片；位于晶片表面一侧的至少一个第一离子注入装置，用于将离子从晶片的表面注入至晶片中；位于晶片背面一侧的至少一个第二离子注入装置，用于将离子从晶片的背面注入至晶片中，离子束所在平面与该承载框架的运动方向垂直，该承载框架用于承载晶片经过每个第一离子注入装置和每个第二离子注入装置的离子束的作用区域。所述离子注入设备通过在同一真空制程腔中在晶片的两侧设置离子注入装置来实现对晶片两个表面的离子注入，提高了加工效率，且无需设置额外的支撑装置，精简了结构。

公开(公告)号：CN105420685A

公开(公告)日：2016-03-23

申请号：CN201510582177.1

申请日：2015-09-14

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 赛沙·瓦拉达拉简 ,  尚卡·斯瓦米纳坦 ,  桑格伦特·桑普伦格 ,  弗兰克·帕斯夸里 ,  泰德·明歇尔 ,  阿德里安·拉瓦伊 ,  穆罕默德·萨布里 ,  科迪·巴尼特

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  C23C16/54 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/0228 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/45597 ,  C23C16/4585 ,  C23C16/505 ,  C23C16/52 ,  H01J37/00 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02274

Abstract: 用于在基片上沉积膜的基片处理系统包括限定了反应体积并包括用于支撑基片的基片支撑件的处理室。气体输送系统被配置为将处理气体引入处理室的反应体积。等离子体发生器被配置为有选择地生成在反应体积内的RF等离子体。夹紧系统被配置为在膜的沉积期间将基片夹紧到基片支撑件上。背面净化系统被配置为在膜的沉积期间将反应气体供应到基片的背面边缘，以净化背面边缘。

公开(公告)号：CN103257064A

公开(公告)日：2013-08-21

申请号：CN201310158953.6

申请日：2013-02-17

Applicant: 卡尔蔡司显微镜有限责任公司

Inventor： H·斯特格曼

IPC: G01N1/28 ,  G01N1/44

CPC classification number: G01N23/04 ,  G01N1/286 ,  G01N1/32 ,  G01N2001/045 ,  G01N2001/2886 ,  H01J37/00 ,  H01J37/317 ,  H01J2237/206 ,  H01J2237/31745 ,  H01J2237/31749

Abstract: 本发明涉及通过光脉冲来准备显微镜样品的方法和装置，其中大于100μm3的材料体积被清除。该方法包括以下步骤：通过扫描电子显微镜(SEM)或者聚焦离子束(FIB)检查物体，其中该检查包括记录物体的图像；在该物体中勾勒出待研究的区域；基于物体的图像勾勒出激光加工路径，使得可以从该物体准备出样品；采用沿着被勾勒的激光加工路径的激光加工，除去待蚀除的体积；以及通过扫描电子显微镜(SEM)或者聚焦离子束(FIB)检查该物体。

公开(公告)号：CN108630512A

公开(公告)日：2018-10-09

申请号：CN201710766303.8

申请日：2017-08-30

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 岛本聪 ,  芦原洋司 ,  丰田一行 ,  大桥直史

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01L21/67207 ,  C23C16/24 ,  C23C16/50 ,  C23C16/52 ,  H01J37/00 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67748 ,  H01L21/67754 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/11578

Abstract: 本发明涉及衬底处理装置、半导体器件的制造方法及存储介质，该技术具有：一频率处理室，设置于处理组件内，并对形成有绝缘膜的衬底进行处理；二频率处理室，在处理组件内与一频率处理室相邻，并对经一频率处理室处理后的衬底进行处理；气体供给部，将至少包含硅和杂质的含硅气体分别供给至一频率处理室和二频率处理室；等离子体生成部，分别连接于一频率处理室和二频率处理室；离子控制部，连接于二频率处理室；衬底搬送部，设置于处理组件内，并在一频率处理室与二频率处理室之间搬送衬底；和控制部，至少对气体供给部、等离子体生成部、离子控制部和衬底搬送部进行控制。

公开(公告)号：CN108335999A

公开(公告)日：2018-07-27

申请号：CN201810054937.5

申请日：2018-01-19

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 冈信介

IPC: H01L21/67 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01L21/67103 ,  H01J37/00 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/67253 ,  H01L22/20

Abstract: 本发明涉及基板处理装置、温度控制方法以及存储介质。载置台设置有用于载置基板和以包围该基板的方式配置的环构件的一方或两方的载置面，并在载置面分割得到的各分割区域分别设置有能够调整温度的加热器。计算部使用预测模型计算对载置面上的基板进行规定处理时的基板的规定测定点的关键尺寸满足规定条件的各分割区域的加热器的目标温度，该预测模型为，将各分割区域的加热器的温度作为参数并考虑包含测定点的分割区域以外的其它分割区域的加热器的温度依据该测定点与其它分割区域的距离所产生的影响来预测测定点处的关键尺寸。在对载置面上的基板进行基板处理时进行控制使得各分割区域的加热器成为由计算部计算出的目标温度。

公开(公告)号：CN108028173A

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201680055118.1

申请日：2016-07-18

Applicant: 霍尼韦尔国际公司

Inventor： J.A.邓洛普 ,  K.T.休伯特 ,  J.C.鲁兹卡 ,  A.N.A.雷格 ,  M.D.布隆德尔 ,  W.P.贾迪 ,  P.F.约翰 ,  E.P.拉拉 ,  W.D.迈尔 ,  A.P.道布 ,  S.A.巴克哈特 ,  T.C.琼蒂拉

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/203

CPC classification number: H01J37/3458 ,  C23C14/34 ,  C23C14/35 ,  H01F7/06 ,  H01F27/28 ,  H01J37/00

Abstract: 用于供物理气相沉积装置使用的高表面积线圈包括第一表面。第一表面的至少部分具有表面粗糙度在大约15μm和大约150μm之间的宏观织构。第一表面的至少部分具有表面粗糙度在大约2μm和15μm之间的微观织构。