公开(公告)号：CN118866780B

公开(公告)日：2025-01-07

申请号：CN202411354968.4

申请日：2024-09-27

Applicant: 上海凯世通半导体股份有限公司 ,  北京凯世通半导体有限公司 ,  上海临港凯世通半导体有限公司

Inventor： 洪俊华 ,  王宇琳 ,  窦入靑

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/265

Abstract: 一种离子注入角度的修正方法，包括：提供测试晶圆；对测试晶圆进行离子注入处理，离子注入处理的离子束为具有预设束散角的束流，以使得在测试晶圆表面的离子注入角度沿第一方向逐渐变化，其中，束散角为发散角或聚焦角，第一方向为离子束发散或聚焦方向；获取离子注入处理在测试晶圆上的理论垂直注入位置；在测试晶圆表面，沿第一方向选取多个采样点；获取多个采样点的特征值；基于特征值获取测试晶圆上离子束的实际垂直注入位置；获取实际垂直注入位置与理论垂直注入位置在第一方向上的位置偏离量；基于位置偏离量与束散角，修正离子注入处理的离子注入角度。本发明有利于更为精准的对离子注入角度进行修正。

公开(公告)号：CN118400857A

公开(公告)日：2024-07-26

申请号：CN202311828106.6

申请日：2023-12-28

Applicant: 上海凯世通半导体股份有限公司 ,  上海临港凯世通半导体有限公司 ,  北京凯世通半导体有限公司

Inventor： 夏世伟 ,  朱玲 ,  王宇琳 ,  洪俊华 ,  杨立军 ,  孟庆栋 ,  张晓峰

IPC: H05H1/46 ,  H01J37/08 ,  H01J37/30 ,  H01J37/317

Abstract: 本发明公开了一种微波等离子体喷枪，可用于半导体加工技术领域中的离子注入机。本发明的微波等离子体喷枪，包括微波发生器、波导组件、等离子体腔室、工作气体供给装置以及介质管和导电杆。其中，介质管的开口端设置在等离子体腔室的外部并连接至波导组件，封闭端设置在等离子体腔室的内部；导电杆共轴地设置在介质管的内腔，其第一端延伸至介质管的开口端，第二端则延伸至介质管的封闭端。本发明的微波等离子体喷枪，不仅可以大大降低金属污染，而且其提供的电子分布均匀，能够更好地实现电荷中和反应。

公开(公告)号：CN116613047A

公开(公告)日：2023-08-18

申请号：CN202210121547.1

申请日：2022-02-09

Applicant: 上海凯世通半导体股份有限公司

Inventor： 陈炯 ,  夏世伟 ,  张劲 ,  王占柱 ,  张晓峰 ,  陆天 ,  洪俊华

IPC: H01J37/317 ,  H01J37/08 ,  H01J37/147 ,  H01J37/244

Abstract: 本发明公开了一种离子注入系统，包括：位于束流均匀性调节装置下游的束流减速偏转能量过滤装置、第一路径选择光阑和第二路径选择光阑、硅片扫描装置，其中，束流减速偏转能量过滤装置用于使得由束流均匀性调节装置传输而来的束流沿直线被传输并经过第一路径选择光阑，以及用于使得由束流均匀性调节装置传输而来的束流被偏转第一角度并经过第二路径选择光阑；硅片扫描装置用于支承硅片并使得硅片在第一注入平面和第二注入平面中移动以及用于在第一注入平面和第二注入平面之间切换。通过偏转和不偏转束流，该离子注入系统可以提供两条具有不同能量的束流传输路径，扩大了离子注入的能量区间和注入应用范围。

公开(公告)号：CN115902995A

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN202211725321.9

申请日：2022-12-30

Applicant: 上海凯世通半导体股份有限公司

Inventor： 夏世伟 ,  洪俊华 ,  王占柱 ,  李轩 ,  黄丽 ,  孟庆栋

IPC: G01T1/29 ,  H01L21/66

Abstract: 本发明公开了一种离子束流的测试装置及方法，在半导体制造领域用于束流量测。本发明的测试装置包括测试阵列，该测试阵列包括沿第一方向依次排布的第一测试单元、第二测试单元和第三测试单元，这三个测试单元中的法拉第杯沿第二方向设置，其中第一方向与第二方向互相垂直。第一测试单元和第三测试单元具有相同的结构并且具有相等数量的法拉第杯，第二测试单元具有至少两个法拉第杯。这三个测试单元相互配合，用于离子束流角度和密度的测量。本发明的测试方法通过利用前述装置，能够在同一位置对离子束流的角度、密度同时进行测量，大大提高了测量效率和精度。

公开(公告)号：CN107303991B

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN201610255587.X

申请日：2016-04-22

Applicant: 上海凯世通半导体股份有限公司

Inventor： 杨勇 ,  陈守俊 ,  洪俊华 ,  张劲

IPC: B65G21/20

Abstract: 本发明提供一种传输矫正机构，包括至少一个矫正装置，每个矫正装置包括相互正对、且分别置于工件传输装置的传输路径两侧的两个转轮，两个转轮可绕同一转轴转动，每个转轮被设置为：工件与一侧转轮接触后，在传输方向上，该转轮对工件的作用力小于该工件传输装置对工件的摩擦力，在平行于该转轴的方向上，该转轮对工件的作用力大于该工件传输装置对工件的摩擦力，以使得工件被限制于每对矫正装置的两个转轮之间。通过反复试验可知，该传输矫正装置的矫正能力较强，无论是整体偏离传输路径的工件，还是边长和传输路径呈一定夹角的工件，都能够在该传输矫正装置的作用下对齐传输路径并被限制于传输路径的理想位置上。

公开(公告)号：CN115347074A

公开(公告)日：2022-11-15

申请号：CN202110522508.8

申请日：2021-05-13

Applicant: 上海凯世通半导体股份有限公司

Inventor： 陈炯 ,  洪俊华 ,  沈斌

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0352

Abstract: 本发明一种光电元件及其制造方法，包括：提供一衬底，所述衬底包括相对设置的正表面和背表面；对所述正表面进行第一次离子掺杂，以所述正表面上形成重掺杂区；在所述正表面上形成多个正面金属电极，所述正面金属电极位于所述重掺杂区上；对所述正表面进行第二次离子掺杂，以将部分所述重掺杂区转化成轻掺杂区；进行退火烧结步骤；其中，所述第一次离子掺杂的离子类型与所述第二次离子掺杂的离子类型相反，所述第一次离子掺杂的掺杂剂量大于所述第二次离子掺杂的掺杂剂量。该光电元件可以提高光电转化效率。

公开(公告)号：CN106033729B

公开(公告)日：2019-04-02

申请号：CN201510107483.X

申请日：2015-03-11

Applicant: 上海凯世通半导体股份有限公司

Inventor： 洪俊华 ,  吴汉明 ,  陈炯 ,  张劲

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/265

Abstract: 本发明公开了一种FinFET的掺杂方法，该FinFET包括衬底和位于衬底上平行间隔设置的Fin，每根Fin包括顶面、第一侧壁和第二侧壁，该掺杂方法包括以下步骤：T1、在Fin的顶面、第一侧壁和第二侧壁中形成第一导电类型掺杂层；T2、将第二导电类型掺杂元素沿着该衬底的法线方向注入至Fin的顶面中以中和该第一导电类型掺杂层中部分第一导电类型掺杂元素并溅射出顶面中的部分第一导电类型掺杂元素。本发明通过较长时间的离子注入实现注入的饱和，并在侧壁完成注入之后增加一道注入的工艺，通过反型掺杂和溅射实现Fin的均匀掺杂。

公开(公告)号：CN109148247A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201710712878.1

申请日：2017-08-18

Applicant: 上海凯世通半导体股份有限公司

Inventor： 何川 ,  洪俊华 ,  张劲 ,  陈炯 ,  杨勇

IPC: H01J37/317 ,  H01J37/32 ,  H01J37/244 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/244 ,  H01J37/32412 ,  H01J37/32449 ,  H01L21/265

Abstract: 本发明公开了一种离子注入设备及方法，该离子注入设备包括离子源、一与该真空腔相连通的掺杂气体供应装置、一氢气供应装置，和偏转元件，用于从至少部分束流中分离出掺杂源离子束流和氢离子束流；位于掺杂源离子束流传输路径上的掺杂源离子束流检测装置和/或位于氢离子束流传输路径上的氢离子束流检测装置，该掺杂源离子束流检测装置用于检测掺杂源离子束流的电流，该氢离子束流检测装置用于检测氢离子束流的电流。通过偏转，可以通过采样部分或者全部束流，从而得知束流中氢和掺杂源元素的比例，并且通过检测结果来调整气态掺杂源和/或氢气的供应量，由此获得较为理想的束流参数。

公开(公告)号：CN105264636B

公开(公告)日：2018-12-25

申请号：CN201480032687.5

申请日：2014-04-10

Applicant: 上海凯世通半导体股份有限公司

Inventor： 陈炯 ,  洪俊华 ,  张劲 ,  杰夫·贝克

IPC: H01J37/317 ,  H01J37/21

Abstract: 一种束流传输系统和方法，该束流传输系统包括引出装置(2)、质量分析磁铁(3)、发散元件(4)、准直元件(5)和变速转弯元件(6)，该质量分析磁铁(3)的分析面与束流(10)引出的会聚平面垂直，束流(10)在进入入口后在与分析面垂直的面中会聚于一会聚点处，再自该会聚点处发散并自出口传输至该发散元件(4)；该准直元件(5)用于在束流(10)的传输平面中平行化束流(10)；该变速转弯元件(6)用于在偏转束流(10)以使束流(10)的传输方向改变第一预设角度的同时使束流(10)变速以达到目标能量。通过多个束流光学元件的协同配合，得以在竖直平面中形成较宽的分布，从而能够适用于大尺寸晶片的加工，并且还能在避免能量污染的前提下保证较佳的注入均匀性。

公开(公告)号：CN105470084B

公开(公告)日：2017-12-26

申请号：CN201410418577.4

申请日：2014-08-22

Applicant: 上海凯世通半导体股份有限公司

Inventor： 陈炯 ,  洪俊华 ,  张劲

IPC: H01J37/317 ,  H01J37/30

Abstract: 本发明公开了一种电子供应系统，包括一腔体，该腔体的侧壁上设置有沿该腔体的长度方向分布的引出单元，该腔体中设置有至少一个阴极，该阴极用于发射电子，该电子供应系统还包括多个环绕于该腔体上的磁性装置，多个磁性装置沿着该腔体的长度方向间隔设置，该些磁性装置的叠加磁场使得：在该腔体中，电子得以在该腔体的长度方向上分布，该引出单元用于引出一部分电子以形成带状电子团。本发明采用一级或多级磁场限制了电子在不理想的方向上的运动，使得绝大部分电子都能沿着带状离子束的宽度方向分布，从而能够用于大尺寸离子束的中和，并且避免电子在形成一定分布之前就撞击损失，使得用于中和的电子始终能有充足的数量。