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发明公开
离子注入角度的修正方法审中-实审

公开(公告)号：CN118866780A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202411354968.4

申请日：2024-09-27

申请人： 上海凯世通半导体股份有限公司 , 北京凯世通半导体有限公司 , 上海临港凯世通半导体有限公司

发明人： 洪俊华 , 王宇琳 , 窦入靑

IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/265

摘要： 一种离子注入角度的修正方法，包括：提供测试晶圆；对测试晶圆进行离子注入处理，离子注入处理的离子束为具有预设束散角的束流，以使得在测试晶圆表面的离子注入角度沿第一方向逐渐变化，其中，束散角为发散角或聚焦角，第一方向为离子束发散或聚焦方向；获取离子注入处理在测试晶圆上的理论垂直注入位置；在测试晶圆表面，沿第一方向选取多个采样点；获取多个采样点的特征值；基于特征值获取测试晶圆上离子束的实际垂直注入位置；获取实际垂直注入位置与理论垂直注入位置在第一方向上的位置偏离量；基于位置偏离量与束散角，修正离子注入处理的离子注入角度。本发明有利于更为精准的对离子注入角度进行修正。