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公开(公告)号：CN118866780A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202411354968.4
申请日：2024-09-27
申请人： 上海凯世通半导体股份有限公司 , 北京凯世通半导体有限公司 , 上海临港凯世通半导体有限公司
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/265
摘要： 一种离子注入角度的修正方法，包括：提供测试晶圆；对测试晶圆进行离子注入处理，离子注入处理的离子束为具有预设束散角的束流，以使得在测试晶圆表面的离子注入角度沿第一方向逐渐变化，其中，束散角为发散角或聚焦角，第一方向为离子束发散或聚焦方向；获取离子注入处理在测试晶圆上的理论垂直注入位置；在测试晶圆表面，沿第一方向选取多个采样点；获取多个采样点的特征值；基于特征值获取测试晶圆上离子束的实际垂直注入位置；获取实际垂直注入位置与理论垂直注入位置在第一方向上的位置偏离量；基于位置偏离量与束散角，修正离子注入处理的离子注入角度。本发明有利于更为精准的对离子注入角度进行修正。
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公开(公告)号：CN118712037A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410843172.9
申请日：2024-06-27
申请人： 上海凯世通半导体股份有限公司 , 北京凯世通半导体有限公司 , 上海临港凯世通半导体有限公司
IPC分类号： H01J37/12 , H01J37/21 , H01J37/317
摘要： 本发明公开了一种带电粒子束流引出装置和方法，可适用于半导体加工技术领域中的离子注入机。本发明的带电粒子束流引出装置，包括离子源腔体和引出电极组，其中离子源腔体设置有第四电极，引出电极组在带电粒子束流的前进方向上依次包括第三电极、第二电极和第一电极。本发明的带电粒子束流引出方法通过利用前述装置，能够在同一电极结构下引出更大电流范围的束流，并能同时满足焦点稳定、均匀性、和小发散角的要求。
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公开(公告)号：CN116031123A
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202211737979.1
申请日：2022-12-31
申请人： 北京凯世通半导体有限公司 , 上海临港凯世通半导体有限公司
IPC分类号： H01J37/16 , H01J37/317 , H01J37/08
摘要： 本发明提供一种对离子注入机源腔内部进行防护的装置，其适用于离子注入机源腔，其在离子源腔内部增加内衬，阻隔离子源对腔室的热辐射，进而降低离子源腔壁温度，同时增加内衬有效的阻止了离子源对腔室的轰击损害。所述的对离子注入机源腔内部进行防护的装置中，内衬采用铝材。内衬采用分解板的形式设置在离子源腔内壁上。使用本发明的防护装置，只用在设备定期保养时对内衬进行更换即可得到洁净的腔室环境，减少PM难度，节省PM时间。
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公开(公告)号：CN115871003A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202211734724.X
申请日：2022-12-31
申请人： 北京凯世通半导体有限公司 , 上海临港凯世通半导体有限公司
IPC分类号： B25J13/00 , B25J9/16 , H01L21/687 , H01L21/68 , H01L21/683
摘要： 本发明提供一种适合半导体设备内部机械手臂位置示教的治具，其为适合半导体设备内部机械手臂位置示教的治具，经过适配晶圆的有效改善，以此保证机械手臂示教位置的精度，满足半导体设备运行需求。所述的适合半导体设备内部机械手臂位置示教的治具包括透明材质治具和晶圆定位治具，晶圆定位治具用于定位晶圆，透明材质治具用于夹持晶圆。本发明可以大幅提高操作人员在示教不同位置时的示教精度，还可以很大程度上节省示教时间。
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公开(公告)号：CN111863572A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN201910339992.3
申请日：2019-04-25
申请人： 上海凯世通半导体股份有限公司 , 上海临港凯世通半导体有限公司
IPC分类号： H01J37/141 , G05B13/04
摘要： 本发明公开了一种电磁透镜组中带电粒子束的控制方法及系统。所述控制方法包括：获取多组电磁透镜组的工作数据和多组粒子束的质量数据；基于多目标优化模型对多组工作数据和多组质量数据执行迭代优化，得到最优解集；所述多目标优化模型的决策变量包括：所述工作数据中的至少一个参数和/或所述质量数据中的至少一个参数；所述多目标优化模型的优化目标包括所述粒子束的运动参数；根据所述最优解集控制所述电磁透镜组。本发明通过调节透镜组的多个工作参数、粒子束的质量参数实现对带电粒子束的运动状态的控制，不依赖于电极的具体组态，适用于任意组态的电极的透镜组，普适性好，且能实现精准控制。
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公开(公告)号：CN118706288A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202411204343.X
申请日：2024-08-30
申请人： 上海凯世通半导体股份有限公司 , 北京凯世通半导体有限公司 , 上海临港凯世通半导体有限公司
摘要： 一种无线晶圆测温装置以及应用其的测温方法，晶圆测温装置包括：单片测温晶圆；温度采集模块；其中，温度采集模块包括：温度探头，固定在测温晶圆的测温面上；数据处理单元，固定在测温晶圆上并通过数据传输线与温度探头耦接；防护盖板，固定在测温晶圆上，防护盖板遮盖温度探头、数据处理单元和数据传输线，且暴露测温晶圆上的其余位置。本发明实施例的防护盖板能够对温度采集模块起到保护作用，降低在执行工艺条件时的工艺氛围对温度采集模块所产生的不良影响，而且，防护盖板暴露测温晶圆上未设置有温度采集模块的位置，也有利于提高通过无线晶圆测温装置所获取的晶圆温度信息的准确性。
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公开(公告)号：CN118398460A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202311525124.7
申请日：2023-11-15
申请人： 上海凯世通半导体股份有限公司 , 北京凯世通半导体有限公司 , 上海临港凯世通半导体有限公司
IPC分类号： H01J37/04 , H01J37/317
摘要： 本专利申请公开了一种离子注入设备的快速灭弧装置，所述离子注入设备包括离子源引出电极和引出电源，所述快速灭弧装置包括：常闭的高压开关，用于连接所述离子源引出电极和所述离子源引出电源；电流传感器，用于对所述离子源引出电源和所述高压开关之间的高压输出线进行电流采样；及高压开关控制器，用于接收来自所述电流传感器的电流采样结果，并当所述电流采样结果超过判定阈值时，控制所述高压开关断开达指定灭弧时间。
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公开(公告)号：CN111863576B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN201910340903.7
申请日：2019-04-25
申请人： 上海凯世通半导体股份有限公司 , 上海临港凯世通半导体有限公司
IPC分类号： H01J37/304 , H01J37/317
摘要： 本发明公开了一种离子束能量控制装置。其包括：入口端和出口端，所述入口端供离子束射入，所述出口端供离子束射出；若干电极对，每个电极对分别包括相对设置的第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极均为棒状，所述第一电极和所述第二电极之间的空间供离子束通过；所述若干电极对中至少一电极对形成第一电极群，施加至所述第一电极群的电压使得离子束向第一方向偏转；所述若干电极对中至少一电极对形成第二电极群，施加至所述第二电极群的电压使得离子束向第二方向偏转，所述第二方向与所述第一方向反向。本发明的离子束能量控制装置在电极形状、电极布局、束流调节等方面均具有较多优点。
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公开(公告)号：CN118398543A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202311851149.6
申请日：2023-12-29
申请人： 上海凯世通半导体股份有限公司 , 上海临港凯世通半导体有限公司 , 北京凯世通半导体有限公司
IPC分类号： H01L21/687 , H01J37/32 , H01J37/20
摘要： 本发明公开了一种用于低温离子注入的晶圆载盘，可应用于低温离子注入设备中。本发明的用于低温离子注入的晶圆载盘包括盘体、顶升台、传动杆、滑轮、卡爪、定位销和压簧。其中，晶圆载盘具有至少三个传动杆，各个传动杆以顶升台为中心呈辐射状设置，且任意相邻两个传动杆之间的夹角相等。本发明的用于低温离子注入的晶圆载盘，不仅能够稳定地固定低温晶圆，而且不会对低温晶圆的温度产生不利影响。
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公开(公告)号：CN118398463A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202311525136.X
申请日：2023-11-15
申请人： 上海凯世通半导体股份有限公司 , 北京凯世通半导体有限公司 , 上海临港凯世通半导体有限公司
IPC分类号： H01J37/32 , H01J37/04 , H01J37/244 , H01J37/317
摘要： 本专利申请公开了离子注入设备的打火侦测及离子束快速关断装置及方法。根据本申请的一种离子注入设备的打火侦测和束流关断装置，所述离子注入设备包括离子源引出电极和引出电源，所述打火侦测和束流关断装置包括：常闭的高压开关(220)，用于串联在所述离子源引出电极和所述引出电源之间；高压开关控制装置(210)，所述高压开关控制装置从离子束电流采集装置获得束流大小的信息，并基于束流大小信息判断是否发生打火。
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