公开(公告)号：CN118400857A

公开(公告)日：2024-07-26

申请号：CN202311828106.6

申请日：2023-12-28

申请人： 上海凯世通半导体股份有限公司 ,  上海临港凯世通半导体有限公司 ,  北京凯世通半导体有限公司

发明人： 夏世伟 ,  朱玲 ,  王宇琳 ,  洪俊华 ,  杨立军 ,  孟庆栋 ,  张晓峰

IPC分类号： H05H1/46 ,  H01J37/08 ,  H01J37/30 ,  H01J37/317

摘要： 本发明公开了一种微波等离子体喷枪，可用于半导体加工技术领域中的离子注入机。本发明的微波等离子体喷枪，包括微波发生器、波导组件、等离子体腔室、工作气体供给装置以及介质管和导电杆。其中，介质管的开口端设置在等离子体腔室的外部并连接至波导组件，封闭端设置在等离子体腔室的内部；导电杆共轴地设置在介质管的内腔，其第一端延伸至介质管的开口端，第二端则延伸至介质管的封闭端。本发明的微波等离子体喷枪，不仅可以大大降低金属污染，而且其提供的电子分布均匀，能够更好地实现电荷中和反应。

公开(公告)号：CN118712037A

公开(公告)日：2024-09-27

申请号：CN202410843172.9

申请日：2024-06-27

申请人： 上海凯世通半导体股份有限公司 ,  北京凯世通半导体有限公司 ,  上海临港凯世通半导体有限公司

发明人： 姜畅 ,  李轩 ,  杨立军 ,  夏世伟 ,  洪俊华 ,  刘科 ,  孙喆 ,  李勇军

IPC分类号： H01J37/12 ,  H01J37/21 ,  H01J37/317

摘要： 本发明公开了一种带电粒子束流引出装置和方法，可适用于半导体加工技术领域中的离子注入机。本发明的带电粒子束流引出装置，包括离子源腔体和引出电极组，其中离子源腔体设置有第四电极，引出电极组在带电粒子束流的前进方向上依次包括第三电极、第二电极和第一电极。本发明的带电粒子束流引出方法通过利用前述装置，能够在同一电极结构下引出更大电流范围的束流，并能同时满足焦点稳定、均匀性、和小发散角的要求。

公开(公告)号：CN118706288A

公开(公告)日：2024-09-27

申请号：CN202411204343.X

申请日：2024-08-30

申请人： 上海凯世通半导体股份有限公司 ,  北京凯世通半导体有限公司 ,  上海临港凯世通半导体有限公司

发明人： 孟庆栋 ,  杨立军 ,  万贵洲 ,  夏世伟 ,  洪俊华 ,  王宇琳 ,  陈克禄

IPC分类号： G01K13/00 ,  G01K1/08 ,  H01L21/67

摘要： 一种无线晶圆测温装置以及应用其的测温方法，晶圆测温装置包括：单片测温晶圆；温度采集模块；其中，温度采集模块包括：温度探头，固定在测温晶圆的测温面上；数据处理单元，固定在测温晶圆上并通过数据传输线与温度探头耦接；防护盖板，固定在测温晶圆上，防护盖板遮盖温度探头、数据处理单元和数据传输线，且暴露测温晶圆上的其余位置。本发明实施例的防护盖板能够对温度采集模块起到保护作用，降低在执行工艺条件时的工艺氛围对温度采集模块所产生的不良影响，而且，防护盖板暴露测温晶圆上未设置有温度采集模块的位置，也有利于提高通过无线晶圆测温装置所获取的晶圆温度信息的准确性。

公开(公告)号：CN118398543A

公开(公告)日：2024-07-26

申请号：CN202311851149.6

申请日：2023-12-29

申请人： 上海凯世通半导体股份有限公司 ,  上海临港凯世通半导体有限公司 ,  北京凯世通半导体有限公司

发明人： 陆天 ,  张晓峰 ,  杨立军 ,  夏世伟 ,  杨光亮 ,  李书晓 ,  李鹏涛 ,  陈克禄 ,  李勇军

IPC分类号： H01L21/687 ,  H01J37/32 ,  H01J37/20

摘要： 本发明公开了一种用于低温离子注入的晶圆载盘，可应用于低温离子注入设备中。本发明的用于低温离子注入的晶圆载盘包括盘体、顶升台、传动杆、滑轮、卡爪、定位销和压簧。其中，晶圆载盘具有至少三个传动杆，各个传动杆以顶升台为中心呈辐射状设置，且任意相邻两个传动杆之间的夹角相等。本发明的用于低温离子注入的晶圆载盘，不仅能够稳定地固定低温晶圆，而且不会对低温晶圆的温度产生不利影响。

公开(公告)号：CN118398463A

公开(公告)日：2024-07-26

申请号：CN202311525136.X

申请日：2023-11-15

申请人： 上海凯世通半导体股份有限公司 ,  北京凯世通半导体有限公司 ,  上海临港凯世通半导体有限公司

发明人： 杨立军 ,  孟庆栋 ,  崔世佩 ,  王鑫磊 ,  王宇琳 ,  杨光亮 ,  夏世伟 ,  孙喆 ,  赵伟

IPC分类号： H01J37/32 ,  H01J37/04 ,  H01J37/244 ,  H01J37/317

摘要： 本专利申请公开了离子注入设备的打火侦测及离子束快速关断装置及方法。根据本申请的一种离子注入设备的打火侦测和束流关断装置，所述离子注入设备包括离子源引出电极和引出电源，所述打火侦测和束流关断装置包括：常闭的高压开关(220)，用于串联在所述离子源引出电极和所述引出电源之间；高压开关控制装置(210)，所述高压开关控制装置从离子束电流采集装置获得束流大小的信息，并基于束流大小信息判断是否发生打火。

公开(公告)号：CN111863576A

公开(公告)日：2020-10-30

申请号：CN201910340903.7

申请日：2019-04-25

申请人： 上海凯世通半导体股份有限公司 ,  上海临港凯世通半导体有限公司

发明人： 张劲 ,  陈炯 ,  夏世伟

IPC分类号： H01J37/304 ,  H01J37/317

摘要： 本发明公开了一种离子束能量控制装置。其包括：入口端和出口端，所述入口端供离子束射入，所述出口端供离子束射出；若干电极对，每个电极对分别包括相对设置的第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极均为棒状，所述第一电极和所述第二电极之间的空间供离子束通过；所述若干电极对中至少一电极对形成第一电极群，施加至所述第一电极群的电压使得离子束向第一方向偏转；所述若干电极对中至少一电极对形成第二电极群，施加至所述第二电极群的电压使得离子束向第二方向偏转，所述第二方向与所述第一方向反向。本发明的离子束能量控制装置在电极形状、电极布局、束流调节等方面均具有较多优点。

公开(公告)号：CN111863572A

公开(公告)日：2020-10-30

申请号：CN201910339992.3

申请日：2019-04-25

申请人： 上海凯世通半导体股份有限公司 ,  上海临港凯世通半导体有限公司

发明人： 张劲 ,  陈炯 ,  夏世伟

IPC分类号： H01J37/141 ,  G05B13/04

摘要： 本发明公开了一种电磁透镜组中带电粒子束的控制方法及系统。所述控制方法包括：获取多组电磁透镜组的工作数据和多组粒子束的质量数据；基于多目标优化模型对多组工作数据和多组质量数据执行迭代优化，得到最优解集；所述多目标优化模型的决策变量包括：所述工作数据中的至少一个参数和/或所述质量数据中的至少一个参数；所述多目标优化模型的优化目标包括所述粒子束的运动参数；根据所述最优解集控制所述电磁透镜组。本发明通过调节透镜组的多个工作参数、粒子束的质量参数实现对带电粒子束的运动状态的控制，不依赖于电极的具体组态，适用于任意组态的电极的透镜组，普适性好，且能实现精准控制。

公开(公告)号：CN111863576B

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN201910340903.7

申请日：2019-04-25

申请人： 上海凯世通半导体股份有限公司 ,  上海临港凯世通半导体有限公司

发明人： 张劲 ,  陈炯 ,  夏世伟

IPC分类号： H01J37/304 ,  H01J37/317

摘要： 本发明公开了一种离子束能量控制装置。其包括：入口端和出口端，所述入口端供离子束射入，所述出口端供离子束射出；若干电极对，每个电极对分别包括相对设置的第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极均为棒状，所述第一电极和所述第二电极之间的空间供离子束通过；所述若干电极对中至少一电极对形成第一电极群，施加至所述第一电极群的电压使得离子束向第一方向偏转；所述若干电极对中至少一电极对形成第二电极群，施加至所述第二电极群的电压使得离子束向第二方向偏转，所述第二方向与所述第一方向反向。本发明的离子束能量控制装置在电极形状、电极布局、束流调节等方面均具有较多优点。

公开(公告)号：CN113380680A

公开(公告)日：2021-09-10

申请号：CN202010163485.1

申请日：2020-03-10

申请人： 上海临港凯世通半导体有限公司 ,  上海凯世通半导体股份有限公司

发明人： 夏世伟 ,  陈炯 ,  洪俊华 ,  杰夫·贝克 ,  张长勇 ,  王占柱

IPC分类号： H01L21/677

摘要： 本发明公开了一种硅片输运装置，包括两个预抽真空装置和真空输运装置，真空输运装置用于在真空状态下在预抽真空装置和工艺处理装置之间传输硅片，真空输运装置包括：真空输运腔室、两个搬运机器人和中转台。两个搬运机器人中均有两个可独立动作的机械手，通过两个机械手的有序配合，使用一个机器人可对同一工位执行硅片交换。当一个搬运机器人在预抽真空装置和过渡中转台之间传输硅片时，另一个搬运机器人在中转台和工艺处理装置之间传输硅片。由于使用了具有两个可以独立动作的机械手的机器人对同一个工位进行硅片交换的技术，结合以具有多自由度的两个机械手，使得硅片传输可以高速进行，提高整体的产能。

公开(公告)号：CN116013753A

公开(公告)日：2023-04-25

申请号：CN202211741342.X

申请日：2022-12-31

申请人： 北京凯世通半导体有限公司 ,  上海临港凯世通半导体有限公司

发明人： 倪聪 ,  黄才钧 ,  夏世伟 ,  关天祺 ,  李广鹏

IPC分类号： H01J37/147 ,  H01J37/317 ,  H01J37/08

摘要： 本发明提供一种改善离子注入机碳离子束的方法，其包括以下步骤：步骤S1，改善的时间节点选择；步骤S2，改善离子注入的碳离子束；步骤S3，机台闲置状态时，用氩气保持离子源处在高温状态，而不是关闭束流让离子源冷却下来。本发明用低成本易操作的改善离子注入机碳离子束的方法有效解决了碳离子注入中沉积物造成的束流不稳定、打火等现象的发生，增加了离子注入生产的稳定性，提高了离子源在进行碳离子束注入时的使用寿命。本发明采用三氟化硼(BF3)气体进行调节或改善操作，有效地解决了离子源中沉积物的问题。