一种修整装置及修整方法
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117894656A

    公开(公告)日:2024-04-16

    申请号:CN202311871972.3

    申请日:2023-12-29

    发明人: 赵航

    摘要: 本公开提供了一种修整装置及修整方法,修整装置包括离子束源、引出组件及修整组件,离子束源用于产生离子束,引出组件与离子束源沿第一方向间隔设置,引出组件形成有加载有电压的狭缝,狭缝所加载的电压的电性与离子束的电性相反,以吸引离子束脱离于离子束源并穿过狭缝,修整组件设置于离子束源及引出组件之间,修整组件用于产生可调节强度的磁场来修整离子束的形状及传输路径;如此,先通过引出组件将离子束从离子束源内引出,再通过修整组件改变自身的磁场强度来调节离子束的形状及传输路径,以使离子束的形状及截面积收拢至接近狭缝的形状及截面积,并使离子束沿着狭缝在第一方向上的延伸路径传输。

    降低带电粒子系统的功耗
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117877954A

    公开(公告)日:2024-04-12

    申请号:CN202311304736.3

    申请日:2023-10-09

    申请人: FEI 公司

    IPC分类号: H01J37/26 H01J37/141

    摘要: 本发明涉及一种用于降低带电粒子系统的功耗的方法,该带电粒子系统包括至少一个带电粒子光学元件和被配置用于冷却该至少一个带电粒子光学元件的冷却组件,该方法包括在待机模式下运行带电粒子系统的步骤,其中与在操作模式下运行带电粒子系统相比,带电粒子系统的总功耗降低。此外,本发明涉及相应的带电粒子系统。

    一种低能大束流离子注入系统
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117855017A

    公开(公告)日:2024-04-09

    申请号:CN202410010033.8

    申请日:2024-01-04

    发明人: 陈炯

    摘要: 本发明涉及一种低能大束流离子注入系统,属于半导体离子注入工艺设备技术领域,包括有离子束产生模块和离子束注入模块,离子束产生模块的输出侧具有离子束减速机构;离子束注入模块的腔体具有离子束输入口,离子束产生模块的腔体的输出端通过离子束输入口与离子束注入模块的腔体密封地相连接;在离子束注入模块的腔体内靠近离子束输入口处设置有离子束修正机构;离子束注入模块中还设置有扫描机器人和法拉第杯,法拉第杯位于与离子束输入口相对的一侧,扫描机器人位于离子束修正机构与法拉第杯之间。本方案解决了现有低能大束流离子注入系统中离子束角度及均匀性不佳的问题,实现获得更为理想的均匀离子束,有助于提高离子注入工艺的效果。

    带电粒子束装置及其轴调整方法

    公开(公告)号:CN112189248B

    公开(公告)日:2024-04-02

    申请号:CN201880093567.4

    申请日:2018-05-22

    摘要: 本发明实现一种带电粒子束装置,通过使基于减速电场的静电透镜的轴与磁场透镜的轴一致,使作为重叠透镜的轴调整容易。带电粒子束装置具有:电子源(2);使来自电子源的探测电子束聚焦于试样的物镜(4);使探测电子束穿过的第一束射管(8)及第二束射管(9);配置于第一束射管(8)与试样(12)之间的减速电极(10);通过对第一束射管(8)施加第一电位,在第一束射管(8)与减速电极(10)之间形成针对探测电子束的减速电场的第一电压源(15);以及使第一束射管(8)的位置移动的移动机构(11)。

    带电粒子电磁透镜相变冷却装置
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117198843A

    公开(公告)日:2023-12-08

    申请号:CN202311065462.7

    申请日:2023-08-22

    IPC分类号: H01J37/07 H01J37/141

    摘要: 本发明公开一种带电粒子电磁透镜相变冷却装置,所述电磁透镜中包括有电磁线圈,所述冷却装置包括布置在所述电磁线圈的顶面、底面和内侧面的冷却盘管结构,用于安装布置所述冷却盘管结构与所述电磁线圈的安装支架,以及外部相变循环系统;所述冷却盘管结构为连续的一根盘管,所述冷却盘管结构的两端分别形成冷却盘管结构的第一连接口和第二连接口;所述外部相变循环系统与所述第一连接口和第二连接口连接。本发明通过设置外部相变循环系统与冷却盘管进行连接,能够通过相变换热的方式,在对电磁线圈进行快速散热的同时,还能保证线圈温度的均匀性。提高电磁透镜工作的稳定性。

    带电粒子束装置及调整方法

    公开(公告)号:CN114300325B

    公开(公告)日:2023-08-25

    申请号:CN202111632281.9

    申请日:2021-12-28

    发明人: 罗浒 李琰琪

    摘要: 本发明提供了一种带电粒子束装置及调整方法,所述装置包括:第一聚焦透镜和第二聚焦透镜对带电粒子束进行聚焦;第一偏转电极用于使所述带电粒子束偏转并能到达所述第二聚焦透镜的出口孔的所有区域,以获取所述第二聚焦透镜的出口孔的图像;计算单元根据所述第二聚焦透镜的出口孔的图像,确定所述第二聚焦透镜的中心位置;调节系统基于所述第二聚焦透镜的中心位置,将所述带电粒子束的中心位置、所述第一聚焦透镜的中心位置调节至所述第二聚焦透镜的中心位置所在的竖直线上。本发明通过确定所述第二聚焦透镜的中心位置来调节所述带电粒子束和第一聚焦透镜的位置,减少待测样品的成像球差,并提高了所述带电粒子束装置的分辨率。

    使用多个带电粒子射束的装置
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116313708A

    公开(公告)日:2023-06-23

    申请号:CN202310393035.5

    申请日:2017-12-22

    摘要: 本公开提出一种防旋转透镜,并将其用作具有预子射束形成机构的多射束装置中的防旋转聚光透镜。防旋转聚光透镜在改变其电流时保持子射束的旋转角度不变,从而使得预子射束形成机构能够尽可能多地阻断未使用的电子。以这种方式,多射束装置可以以高分辨率和高吞吐量观察样本,并且能够用作检查和/或查看半导体制造工业中的晶片/掩模上的缺陷的产量管理工具。

    电子透镜球差调节装置、电子透镜装置和电子显微镜系统

    公开(公告)号:CN113517167B

    公开(公告)日:2022-09-23

    申请号:CN202110405488.6

    申请日:2021-04-15

    申请人: 清华大学

    IPC分类号: H01J37/141 H01J37/26

    摘要: 本发明公开了一种电子透镜球差调节装置、电子透镜装置和电子显微镜系统,主要包括:微波腔组,与电子透镜共同设置于电子束的传播方向上;微波功率源,连接于微波腔组,为微波腔组提供能量。本发明利用由微波功率源提供能量的微波腔组对入射电子束进行球差控制,进而在电子束经过微波腔组和电子透镜后,微波腔组对电子束所产生的负球差与电子透镜对电子束所产生的正球差相抵消,从而当电子束通过整个电子透镜装置或整个电子显微镜系统后便能够减小甚至消除由电子透镜所产生的球差,提高了电子显微镜空间分辨率。另外,本发明在电子束路径上的设备器件占用空间更小、重量更轻,有利于电子透镜装置和电子显微镜系统的装配和调节以及降低设备成本。

    带电粒子线装置
    9.
    发明授权

    公开(公告)号:CN111033676B

    公开(公告)日:2022-08-30

    申请号:CN201780094059.3

    申请日:2017-09-04

    IPC分类号: H01J37/141 H01J37/317

    摘要: 本发明通过简单的构造来实现能够抑制来自形成SEM的物镜的磁极片的泄漏磁场的复合带电粒子线装置。本发明涉及的带电粒子线装置一面使电流流过构成物镜的第1线圈一面取得粒子束观察像,在多个电流值下实施通过使电流流过第2线圈来减少该像偏差的动作,基于所述动作间的差分来决定流过所述第2线圈的电流。

    一种双出口平行透镜
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111261477A

    公开(公告)日:2020-06-09

    申请号:CN201811463631.1

    申请日:2018-12-03

    IPC分类号: H01J37/141 H01J37/317

    摘要: 本发明公开了一种双出口平行透镜,包括:磁轭(1)、磁极(2)、线圈(3)、真空盒(4)。平行透镜磁极面有一个入口和两个出口,入口磁极边线形状为圆弧,两个出口边线形状为曲率不同的曲线。当线圈加一定电流后,带电离子束以一定角度由入口进入平行透镜,通过在磁场中路径长度不同,会以同一角度出射,达到离子束平行化的目的。磁极面两个出口,通过改变平行透镜电流方向,可以改变离子束的出口方向,从而实现两个方向离子束平行化。在离子注入机上,平行透镜的作用是通过磁场产生的磁场力,使带电离子在磁场中偏转不同的角度,从而使不同角度的离子束平行化,以同一角度注入晶圆。一般的平行透镜只有一个偏转方向,只能够对应一个靶室。本发明公开的平行透镜可以通过改变电流的方向,使离子束偏转进入不同的靶室,从而提高离子注入的产能。本发明涉及离子注入装置,隶属于半导体制造领域。