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公开(公告)号：CN111033677A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201780094118.7
申请日：2017-09-04
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: H01J37/141 , H01J37/28 , H01J37/317
Abstract: 本发明提供能够有效减少实施SEM观察时的残留磁场的作用的带电粒子线装置。本发明涉及的带电粒子线装置实施将第1线圈截止后在第2线圈流过直流电流的第1模式和将所述第1线圈截止后在所述第2线圈流过交流电流的第2模式中的至少任一种模式。
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公开(公告)号：CN111033676B
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN201780094059.3
申请日：2017-09-04
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: H01J37/141 , H01J37/317
Abstract: 本发明通过简单的构造来实现能够抑制来自形成SEM的物镜的磁极片的泄漏磁场的复合带电粒子线装置。本发明涉及的带电粒子线装置一面使电流流过构成物镜的第1线圈一面取得粒子束观察像，在多个电流值下实施通过使电流流过第2线圈来减少该像偏差的动作，基于所述动作间的差分来决定流过所述第2线圈的电流。
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公开(公告)号：CN111557041A
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN201880085517.1
申请日：2018-02-06
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: H01L21/66
Abstract: 随着半导体器件的微细化而具有晶圆上的划线区域也减少的倾向。因此，划线区域所配置的TEG也需要减小，并且需要高效地配置供探针接触用的电极焊垫。因此，需要使电极焊垫的高效布局与探针对应。本发明的目的是提供一种使容易进行电气特性评价的TEG的电极焊垫的布局、与探针对应的技术。在本发明的半导体装置的制造方法中，通过呈扇状排列的多个探针、或者与采用MEMS(Micro Electro Mechanical Systems：微机电系统)技术制造的探针对应的TEG的电极焊垫的布局来解决上述课题。
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公开(公告)号：CN111566790B
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN201880085638.6
申请日：2018-02-06
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: H01L21/66
Abstract: 随着半导体器件的微细化而具有晶圆上的划线区域也减少的倾向。因此，划线区域所配置的TEG也需要减小，并且需要高效地配置供探针接触用的电极焊垫。因此，需要使电极焊垫的高效布局与探针对应。本发明的目的是提供一种使容易进行电气特性评价的TEG的电极焊垫的布局、与探针对应的技术。在本发明的半导体装置的评价装置中，通过具备呈扇状排列的多个探针、或者以MEMS(Micro Electro Mechanical Systems：微机电系统)技术制造的探针来解决上述的课题。
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公开(公告)号：CN111630648B
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN201880087224.7
申请日：2018-02-06
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: H01L21/66
Abstract: 随着半导体器件的微细化而具有晶圆上的划线区域也减少的倾向。因此，划线区域所配置的TEG也需要减小，并且需要高效地配置供探针接触用的电极焊垫。因此，需要使电极焊垫的高效布局与探针对应。本发明的目的是提供一种使容易进行电气特性评价的TEG的电极焊垫的布局、与探针对应的技术。在本发明中通过使多个探针呈扇状排列、或者MEMS(Micro Electro Mechanical Systems：微机电系统)的技术进行制造来解决上述课题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110431649B
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN201780088310.5
申请日：2017-03-29
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: H01J37/12 , H01J37/153 , H01J37/28
Abstract: 带电粒子束装置具备：带电粒子源，其射出带电粒子束；助推电极，其配置于带电粒子源与试样之间，形成带电粒子束的通路，并且对上述带电粒子束进行加减速；第一磁极片，其形成为覆盖助推电极；第二磁极片，其形成为覆盖第一磁极片；第一透镜线圈，其配置于第一磁极片的外侧，并且配置于上述第二磁极片的内侧，且形成第一透镜；第二透镜线圈，其配置于第二磁极片的外侧且形成第二透镜；以及控制电极，其形成于第一磁极片的前端部与第二磁极片的前端部之间，且控制形成于试样与第二磁极片的前端部之间的电场。
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公开(公告)号：CN111033677B
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN201780094118.7
申请日：2017-09-04
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: H01J37/141 , H01J37/28 , H01J37/317
Abstract: 本发明提供能够有效减少实施SEM观察时的残留磁场的作用的带电粒子线装置。本发明涉及的带电粒子线装置实施将第1线圈截止后在第2线圈流过直流电流的第1模式和将所述第1线圈截止后在所述第2线圈流过交流电流的第2模式中的至少任一种模式。
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公开(公告)号：CN111557041B
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN201880085517.1
申请日：2018-02-06
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: H01L21/66
Abstract: 随着半导体器件的微细化而具有晶圆上的划线区域也减少的倾向。因此，划线区域所配置的TEG也需要减小，并且需要高效地配置供探针接触用的电极焊垫。因此，需要使电极焊垫的高效布局与探针对应。本发明的目的是提供一种使容易进行电气特性评价的TEG的电极焊垫的布局、与探针对应的技术。在本发明的半导体装置的制造方法中，通过呈扇状排列的多个探针、或者与采用MEMS(Micro Electro Mechanical Systems：微机电系统)技术制造的探针对应的TEG的电极焊垫的布局来解决上述课题。
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公开(公告)号：CN111630648A
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN201880087224.7
申请日：2018-02-06
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: H01L21/66
Abstract: 随着半导体器件的微细化而具有晶圆上的划线区域也减少的倾向。因此，划线区域所配置的TEG也需要减小，并且需要高效地配置供探针接触用的电极焊垫。因此，需要使电极焊垫的高效布局与探针对应。本发明的目的是提供一种使容易进行电气特性评价的TEG的电极焊垫的布局、与探针对应的技术。在本发明中通过使多个探针呈扇状排列、或者MEMS(Micro Electro Mechanical Systems：微机电系统)的技术进行制造来解决上述课题。
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公开(公告)号：CN111566790A
公开(公告)日：2020-08-21
申请号：CN201880085638.6
申请日：2018-02-06
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: H01L21/66
Abstract: 随着半导体器件的微细化而具有晶圆上的划线区域也减少的倾向。因此，划线区域所配置的TEG也需要减小，并且需要高效地配置供探针接触用的电极焊垫。因此，需要使电极焊垫的高效布局与探针对应。本发明的目的是提供一种使容易进行电气特性评价的TEG的电极焊垫的布局、与探针对应的技术。在本发明的半导体装置的评价装置中，通过具备呈扇状排列的多个探针、或者以MEMS(Micro Electro Mechanical Systems：微机电系统)技术制造的探针来解决上述的课题。
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