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公开(公告)号：CN108351377B
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN201680042308.X
申请日：2016-07-07
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: G01R31/26 , G01R31/28 , G01R31/3183
Abstract: 本发明提供一种探测装置，在针对微小电子设备实施动态信号响应分析时，对输入至一个探针的动态电信号的输入波形进行整形，并对经由试样输出的动态电信号的输出波形进行观察，优选对输入波形进行整形，使得经由试样输出的动态电信号的输出波形为大致脉冲形状。由此，能够对构成LSI的微小晶体管等微小电子设备，进行兆赫级以上的高速动态信号的响应分析。
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公开(公告)号：CN111557041A
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN201880085517.1
申请日：2018-02-06
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: H01L21/66
Abstract: 随着半导体器件的微细化而具有晶圆上的划线区域也减少的倾向。因此，划线区域所配置的TEG也需要减小，并且需要高效地配置供探针接触用的电极焊垫。因此，需要使电极焊垫的高效布局与探针对应。本发明的目的是提供一种使容易进行电气特性评价的TEG的电极焊垫的布局、与探针对应的技术。在本发明的半导体装置的制造方法中，通过呈扇状排列的多个探针、或者与采用MEMS(Micro Electro Mechanical Systems：微机电系统)技术制造的探针对应的TEG的电极焊垫的布局来解决上述课题。
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公开(公告)号：CN111566790B
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN201880085638.6
申请日：2018-02-06
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: H01L21/66
Abstract: 随着半导体器件的微细化而具有晶圆上的划线区域也减少的倾向。因此，划线区域所配置的TEG也需要减小，并且需要高效地配置供探针接触用的电极焊垫。因此，需要使电极焊垫的高效布局与探针对应。本发明的目的是提供一种使容易进行电气特性评价的TEG的电极焊垫的布局、与探针对应的技术。在本发明的半导体装置的评价装置中，通过具备呈扇状排列的多个探针、或者以MEMS(Micro Electro Mechanical Systems：微机电系统)技术制造的探针来解决上述的课题。
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公开(公告)号：CN111630648B
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN201880087224.7
申请日：2018-02-06
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: H01L21/66
Abstract: 随着半导体器件的微细化而具有晶圆上的划线区域也减少的倾向。因此，划线区域所配置的TEG也需要减小，并且需要高效地配置供探针接触用的电极焊垫。因此，需要使电极焊垫的高效布局与探针对应。本发明的目的是提供一种使容易进行电气特性评价的TEG的电极焊垫的布局、与探针对应的技术。在本发明中通过使多个探针呈扇状排列、或者MEMS(Micro Electro Mechanical Systems：微机电系统)的技术进行制造来解决上述课题。
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公开(公告)号：CN107923939B
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN201680046775.X
申请日：2016-07-22
Applicant: 株式会社日立高新技术
Abstract: 本发明的目的涉及检测现有的EBAC中难以确定的不良部位所引起的信号。在本发明的一个实施方式中，使至少1根探针接触形成了电路的样品，一边经由探针对通过探针的接触确定的电路提供电力，一边用带电粒子束扫描样品，并经由探针测定被局部地加热的不良的电阻值变化。根据本发明，即使是高电阻不良、埋没于样品内部的不良所引起的信号，也能容易地检测。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111557041B
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN201880085517.1
申请日：2018-02-06
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: H01L21/66
Abstract: 随着半导体器件的微细化而具有晶圆上的划线区域也减少的倾向。因此，划线区域所配置的TEG也需要减小，并且需要高效地配置供探针接触用的电极焊垫。因此，需要使电极焊垫的高效布局与探针对应。本发明的目的是提供一种使容易进行电气特性评价的TEG的电极焊垫的布局、与探针对应的技术。在本发明的半导体装置的制造方法中，通过呈扇状排列的多个探针、或者与采用MEMS(Micro Electro Mechanical Systems：微机电系统)技术制造的探针对应的TEG的电极焊垫的布局来解决上述课题。
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公开(公告)号：CN117280224A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202180098041.7
申请日：2021-05-21
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: G01R31/302
Abstract: 本发明提供一种试样检查装置，能够确定电容性不良、电气容差低的潜在的不良部位。试样检查装置具有：带电粒子光学系统，其向试样(19)照射带电粒子束；第一探针(21a)，其与试样接触；放大器(23)，其输入端子与第一探针连接；以及相位检波部(40)，其被输入放大器的输出信号，对第一探针施加交流电压，相位检波部利用与交流电压同步且具有相同频率的参照信号对放大器的输出信号进行相位检波。
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公开(公告)号：CN111630648A
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN201880087224.7
申请日：2018-02-06
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: H01L21/66
Abstract: 随着半导体器件的微细化而具有晶圆上的划线区域也减少的倾向。因此，划线区域所配置的TEG也需要减小，并且需要高效地配置供探针接触用的电极焊垫。因此，需要使电极焊垫的高效布局与探针对应。本发明的目的是提供一种使容易进行电气特性评价的TEG的电极焊垫的布局、与探针对应的技术。在本发明中通过使多个探针呈扇状排列、或者MEMS(Micro Electro Mechanical Systems：微机电系统)的技术进行制造来解决上述课题。
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公开(公告)号：CN111566790A
公开(公告)日：2020-08-21
申请号：CN201880085638.6
申请日：2018-02-06
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: H01L21/66
Abstract: 随着半导体器件的微细化而具有晶圆上的划线区域也减少的倾向。因此，划线区域所配置的TEG也需要减小，并且需要高效地配置供探针接触用的电极焊垫。因此，需要使电极焊垫的高效布局与探针对应。本发明的目的是提供一种使容易进行电气特性评价的TEG的电极焊垫的布局、与探针对应的技术。在本发明的半导体装置的评价装置中，通过具备呈扇状排列的多个探针、或者以MEMS(Micro Electro Mechanical Systems：微机电系统)技术制造的探针来解决上述的课题。
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公开(公告)号：CN108351377A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201680042308.X
申请日：2016-07-07
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: G01R31/26 , G01R31/28 , G01R31/3183
Abstract: 本发明提供一种探测装置，在针对微小电子设备实施动态信号响应分析时，对输入至一个探针的动态电信号的输入波形进行整形，并对经由试样输出的动态电信号的输出波形进行观察，优选对输入波形进行整形，使得经由试样输出的动态电信号的输出波形为大致脉冲形状。由此，能够对构成LSI的微小晶体管等微小电子设备，进行兆赫级以上的高速动态信号的响应分析。
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