公开(公告)号：CN117280224A

公开(公告)日：2023-12-22

申请号：CN202180098041.7

申请日：2021-05-21

Applicant: 株式会社日立高新技术

Inventor： 岛守智子 ,  奈良安彦 ,  布施润一 ,  影山晃

IPC: G01R31/302

Abstract: 本发明提供一种试样检查装置，能够确定电容性不良、电气容差低的潜在的不良部位。试样检查装置具有：带电粒子光学系统，其向试样(19)照射带电粒子束；第一探针(21a)，其与试样接触；放大器(23)，其输入端子与第一探针连接；以及相位检波部(40)，其被输入放大器的输出信号，对第一探针施加交流电压，相位检波部利用与交流电压同步且具有相同频率的参照信号对放大器的输出信号进行相位检波。

公开(公告)号：CN117242355A

公开(公告)日：2023-12-15

申请号：CN202180097029.4

申请日：2021-04-13

Applicant: 株式会社日立高新技术

Inventor： 吉田将大 ,  布施润一 ,  佐藤典夫 ,  梶山浩嗣

IPC: G01R31/26

Abstract: 试样检查装置(200)具备在工作台(8)上设置了试样(11)时执行的检查手段。检查手段具有：步骤a，在使探针(10a)与导电体(11a)接触且使探针(10b)与导电体(11b)接触的状态下，使电子束(EB1)在试样(11)的表面上扫描；步骤b，与电子束(EB1)的扫描同步地测量探针(10a)与探针(10b)之间的电位差的变化的微分值；步骤c，基于电位差的变化的微分值，取得将存在于导电体(11a)与导电体(11b)之间的不良部位(12)表示为亮部以及暗部的DI‑EBAC像；以及步骤d，从DI‑EBAC像确定不良部位(12)的方向。