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公开(公告)号：CN118400857A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202311828106.6
申请日：2023-12-28
申请人： 上海凯世通半导体股份有限公司 , 上海临港凯世通半导体有限公司 , 北京凯世通半导体有限公司
IPC分类号： H05H1/46 , H01J37/08 , H01J37/30 , H01J37/317
摘要： 本发明公开了一种微波等离子体喷枪，可用于半导体加工技术领域中的离子注入机。本发明的微波等离子体喷枪，包括微波发生器、波导组件、等离子体腔室、工作气体供给装置以及介质管和导电杆。其中，介质管的开口端设置在等离子体腔室的外部并连接至波导组件，封闭端设置在等离子体腔室的内部；导电杆共轴地设置在介质管的内腔，其第一端延伸至介质管的开口端，第二端则延伸至介质管的封闭端。本发明的微波等离子体喷枪，不仅可以大大降低金属污染，而且其提供的电子分布均匀，能够更好地实现电荷中和反应。
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公开(公告)号：CN118866780A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202411354968.4
申请日：2024-09-27
申请人： 上海凯世通半导体股份有限公司 , 北京凯世通半导体有限公司 , 上海临港凯世通半导体有限公司
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/265
摘要： 一种离子注入角度的修正方法，包括：提供测试晶圆；对测试晶圆进行离子注入处理，离子注入处理的离子束为具有预设束散角的束流，以使得在测试晶圆表面的离子注入角度沿第一方向逐渐变化，其中，束散角为发散角或聚焦角，第一方向为离子束发散或聚焦方向；获取离子注入处理在测试晶圆上的理论垂直注入位置；在测试晶圆表面，沿第一方向选取多个采样点；获取多个采样点的特征值；基于特征值获取测试晶圆上离子束的实际垂直注入位置；获取实际垂直注入位置与理论垂直注入位置在第一方向上的位置偏离量；基于位置偏离量与束散角，修正离子注入处理的离子注入角度。本发明有利于更为精准的对离子注入角度进行修正。
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公开(公告)号：CN118706288A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202411204343.X
申请日：2024-08-30
申请人： 上海凯世通半导体股份有限公司 , 北京凯世通半导体有限公司 , 上海临港凯世通半导体有限公司
摘要： 一种无线晶圆测温装置以及应用其的测温方法，晶圆测温装置包括：单片测温晶圆；温度采集模块；其中，温度采集模块包括：温度探头，固定在测温晶圆的测温面上；数据处理单元，固定在测温晶圆上并通过数据传输线与温度探头耦接；防护盖板，固定在测温晶圆上，防护盖板遮盖温度探头、数据处理单元和数据传输线，且暴露测温晶圆上的其余位置。本发明实施例的防护盖板能够对温度采集模块起到保护作用，降低在执行工艺条件时的工艺氛围对温度采集模块所产生的不良影响，而且，防护盖板暴露测温晶圆上未设置有温度采集模块的位置，也有利于提高通过无线晶圆测温装置所获取的晶圆温度信息的准确性。
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公开(公告)号：CN118398460A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202311525124.7
申请日：2023-11-15
申请人： 上海凯世通半导体股份有限公司 , 北京凯世通半导体有限公司 , 上海临港凯世通半导体有限公司
IPC分类号： H01J37/04 , H01J37/317
摘要： 本专利申请公开了一种离子注入设备的快速灭弧装置，所述离子注入设备包括离子源引出电极和引出电源，所述快速灭弧装置包括：常闭的高压开关，用于连接所述离子源引出电极和所述离子源引出电源；电流传感器，用于对所述离子源引出电源和所述高压开关之间的高压输出线进行电流采样；及高压开关控制器，用于接收来自所述电流传感器的电流采样结果，并当所述电流采样结果超过判定阈值时，控制所述高压开关断开达指定灭弧时间。
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公开(公告)号：CN118398463A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202311525136.X
申请日：2023-11-15
申请人： 上海凯世通半导体股份有限公司 , 北京凯世通半导体有限公司 , 上海临港凯世通半导体有限公司
IPC分类号： H01J37/32 , H01J37/04 , H01J37/244 , H01J37/317
摘要： 本专利申请公开了离子注入设备的打火侦测及离子束快速关断装置及方法。根据本申请的一种离子注入设备的打火侦测和束流关断装置，所述离子注入设备包括离子源引出电极和引出电源，所述打火侦测和束流关断装置包括：常闭的高压开关(220)，用于串联在所述离子源引出电极和所述引出电源之间；高压开关控制装置(210)，所述高压开关控制装置从离子束电流采集装置获得束流大小的信息，并基于束流大小信息判断是否发生打火。
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公开(公告)号：CN115910734A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211738269.0
申请日：2022-12-31
申请人： 上海凯世通半导体股份有限公司 , 北京凯世通半导体有限公司
IPC分类号： H01J37/317 , H01J37/304 , H01J37/32
摘要： 本发明提供一种改善高能离子注入机的离子注入均匀性的方法，其包括以下步骤：步骤S1：调整气体流量和灯丝电流，使得气体流量和灯丝电流满足高能离子注入机的离子注入需求；步骤S2：设定合适的萃取电压，匹配聚焦电压不超过45kv；步骤S3：根据最终能量及萃取电压，设定加速电压；步骤S4：设定分析磁体电流，控制所需电荷/质量比的离子转弯通过；步骤S5：展开束流至可以覆盖300毫米硅片的高度；步骤S6：调整束流的大小，角度，均匀度并完成最后进行离子注入。本发明可以实现更好的均匀性；可以较为合理的设定其工作电压，避免负载过大。
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公开(公告)号：CN118280892A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202211710012.4
申请日：2022-12-29
申请人： 上海凯世通半导体股份有限公司
IPC分类号： H01L21/677 , H01L21/67 , H01L21/265
摘要： 本发明公开了一种晶圆传送装置，在半导体制造领域中用于传送待处理的晶圆以及离子注入后的晶圆。该晶圆传送装置包括大气传送模块、真空装载锁模块、真空传送模块、真空冷却模块和真空升温模块，其中真空升温模块在每片晶圆完成离子注入后立即进行真空下的升温，避免了杂质凝结在晶圆表面形成缺陷的问题。本发明还公开了一种利用该晶圆传送装置来传送晶圆的方法，进一步解决了机械手运动路径复杂、传送效率低等问题。
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公开(公告)号：CN218939623U
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202223541703.4
申请日：2022-12-29
申请人： 上海凯世通半导体股份有限公司
IPC分类号： H01L21/677 , H01L21/67 , H01L21/265
摘要： 本实用新型公开了一种晶圆传送装置，在半导体制造领域中用于传送待处理的晶圆以及离子注入后的晶圆。该晶圆传送装置包括大气传送模块、真空装载锁模块、真空传送模块、真空冷却模块和真空升温模块，其中真空升温模块在每片晶圆完成离子注入后立即进行真空下的升温，避免了杂质凝结在晶圆表面形成缺陷的问题。
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