公开(公告)号：CN115910734A

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN202211738269.0

申请日：2022-12-31

申请人： 上海凯世通半导体股份有限公司 ,  北京凯世通半导体有限公司

发明人： 窦入青 ,  洪俊华 ,  王宇琳 ,  李正华 ,  易庆洋 ,  陈克禄 ,  张长勇 ,  尹超 ,  李书晓

IPC分类号： H01J37/317 ,  H01J37/304 ,  H01J37/32

摘要： 本发明提供一种改善高能离子注入机的离子注入均匀性的方法，其包括以下步骤：步骤S1：调整气体流量和灯丝电流，使得气体流量和灯丝电流满足高能离子注入机的离子注入需求；步骤S2：设定合适的萃取电压，匹配聚焦电压不超过45kv；步骤S3：根据最终能量及萃取电压，设定加速电压；步骤S4：设定分析磁体电流，控制所需电荷/质量比的离子转弯通过；步骤S5：展开束流至可以覆盖300毫米硅片的高度；步骤S6：调整束流的大小，角度，均匀度并完成最后进行离子注入。本发明可以实现更好的均匀性；可以较为合理的设定其工作电压，避免负载过大。