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公开(公告)号：CN105225933B
公开(公告)日：2018-06-26
申请号：CN201410230971.5
申请日：2014-05-28
Applicant: 上海凯世通半导体股份有限公司
IPC: H01L21/266 , H01L21/265
Abstract: 本发明公开了一种掺杂方法，包括以下步骤：在第一导电类型衬底的背面扩散掺杂形成第二导电类型掺杂层，并且在扩散掺杂的过程中在该第二导电类型掺杂层的背面形成氧化层；蚀刻预定区域的氧化层直至暴露出该第一导电类型衬底并由此在该第一导电类型衬底的背面中形成凹槽；向该凹槽中注入第一导电类型离子以形成第一导电类型掺杂区域；在该第一导电类型衬底的正面形成第一导电类型掺杂层。本发明利用了热扩散工艺中形成的氧化层作为掩膜，来实现后续离子注入的局部掺杂，由此，无需额外形成掩膜，整体工艺极为简单，连贯性很强。
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公开(公告)号：CN106469760A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201510508628.7
申请日：2015-08-18
Applicant: 上海凯世通半导体股份有限公司
IPC: H01L31/0224 , H01L31/042 , H01L31/05
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 本发明公开了一种光伏电池和太阳能电池组件，该光伏电池为两面受光的双面电池，该双面电池包括相互平行且相对的第一对边和第二对边，位于正面的、与第一电极相连的、相互平行间隔设置垂直于第一电极的第一导电条，该第一导电条的另一端具有伸出该第二对边外的第一伸出部，位于背面的、与该第二电极相连的、相互平行间隔设置垂直于第二电极的第二导电条，该第二导电条的另一端具有伸出该第一对边外的第二伸出部。通过改进原有的主栅结构，这样每片光伏电池的第一伸出部可以方便地与相邻光伏电池的第二伸出部相连，将原本组件制作时焊接的工作转移到光伏电池的制作上，从而降低太阳能电池组件制作的难度。
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公开(公告)号：CN105097987B
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201410208378.0
申请日：2014-05-16
Applicant: 上海凯世通半导体股份有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/05
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种背接触电池及其制作方法和太阳能电池组件。该背接触电池包括至少一对第一主栅和第二主栅，所有第一主栅和第二主栅在该第一导电类型衬底的背面被设置为：在第一导电类型衬底绕其几何中心旋转180°后的旋转图样中，该旋转图样中的第一主栅位于该第一导电类型衬底的第二主栅的延长线上，该旋转图样中的第二主栅位于该第一导电类型衬底的第一主栅的延长线上。由于相邻太阳能电池片之间的连接通过在主栅长度方向上将主栅相连来实现，由此包括每对主栅的单元之间形成的是并联结构，所有导电条的电阻等效为并联电阻，有效降低了导电条电阻对太阳能电池组件的影响。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106449863B
公开(公告)日：2018-08-14
申请号：CN201610634815.4
申请日：2016-08-04
Applicant: 上海凯世通半导体股份有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L31/068
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 本发明公开了一种光伏器件的处理方法，该光伏器件包括N型掺杂的硅衬底，该处理方法包括以下步骤：在该硅衬底中形成PN结构，其中该PN结构中包括P型掺杂层；在该P型掺杂层的表面形成钝化层；使光线透过该钝化层照射至该P型掺杂层上，该光线的波长为200nm‑3000nm，照射时间为10秒‑10小时。与现有认知完全不同的是，本发明对P型掺杂层施以特定波长的光线照射，光电转化效率不仅没有下降，反而有平均0.4％的提升，而且步骤简单，容易操作。
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公开(公告)号：CN106449863A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610634815.4
申请日：2016-08-04
Applicant: 上海凯世通半导体股份有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L31/068
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L31/1876 , H01L31/02167 , H01L31/0682 , H01L31/1868
Abstract: 本发明公开了一种光伏器件的处理方法，该光伏器件包括N型掺杂的硅衬底，该处理方法包括以下步骤：在该硅衬底中形成PN结构，其中该PN结构中包括P型掺杂层；在该P型掺杂层的表面形成钝化层；使光线透过该钝化层照射至该P型掺杂层上，该光线的波长为200nm-3000nm，照射时间为10秒-10小时。与现有认知完全不同的是，本发明对P型掺杂层施以特定波长的光线照射，光电转化效率不仅没有下降，反而有平均0.4％的提升，而且步骤简单，容易操作。
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公开(公告)号：CN106233422A
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201480078355.0
申请日：2014-06-26
Applicant: 上海凯世通半导体股份有限公司
Abstract: 一种离子注入设备，其包括：在该真空制程腔中移动的承载框架，该承载框架包括边框部和由该边框部围成的中空部，该边框部用于通过支撑晶片的边缘来承载晶片；位于晶片表面一侧的至少一个第一离子注入装置，用于将离子从晶片的表面注入至晶片中；位于晶片背面一侧的至少一个第二离子注入装置，用于将离子从晶片的背面注入至晶片中，离子束所在平面与该承载框架的运动方向垂直，该承载框架用于承载晶片经过每个第一离子注入装置和每个第二离子注入装置的离子束的作用区域。所述离子注入设备通过在同一真空制程腔中在晶片的两侧设置离子注入装置来实现对晶片两个表面的离子注入，提高了加工效率，且无需设置额外的支撑装置，精简了结构。
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公开(公告)号：CN106159032A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201510158303.0
申请日：2015-04-03
Applicant: 上海凯世通半导体股份有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L21/324
Abstract: 本发明公开了一种太阳能晶片的热处理方法，该太阳能晶片为经过磷离子注入的太阳能晶片，该热处理方法包括以下步骤：完成磷离子注入后，执行以下步骤：S1、在含BBr3的气体中热处理扩散炉管；S2、在该扩散炉管中对该太阳能晶片进行退火处理。在有少量BBr3的气氛中热处理扩散炉管后，经过离子注入的单晶硅片能够得到更好的退火效果，使得由于注入造成的晶格缺陷在退火后得到更完整的恢复，单晶硅片少子寿命提高，最终电池的开路电压也会有明显提升。
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公开(公告)号：CN106159031A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201510158233.9
申请日：2015-04-03
Applicant: 上海凯世通半导体股份有限公司
IPC: H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种太阳能晶片的退火方法，该太阳能晶片为经过磷离子注入的太阳能晶片，该退火方法包括以下步骤：完成磷离子注入后，在含BBr3的气体中对该太阳能晶片进行退火处理。在有少量BBr3的气氛中退火后，经过离子注入的单晶硅片能够得到更好的退火效果，使得由于注入造成的晶格缺陷在退火后得到更完整的恢复，单晶硅片少子寿命提高，最终电池的开路电压也会有明显提升，从而提高了太阳能电池的转换效率。
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